НОК двух чисел

Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Аналоговая электроника EDC Аналоговая связь Антенна и распространение волн Больше >>

⤿

МОП-транзистор БЮТ

⤿

МОП-транзистор Анализ малых сигналов Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR)Больше >>

✖Потенциал перехода на боковой стенке с нулевым смещением — это встроенный потенциал в переходе на боковой стенке определенных транзисторных структур.ⓘ Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением [C_j0sw]			+10% -10%
✖Глубина боковой стенки — это расстояние от поверхности конструкции или материала до указанной точки внутри боковой стенки.ⓘ Глубина боковины [x_j]			+10% -10%

✖Емкость бокового перехода относится к емкости, связанной с боковой стенкой полупроводникового перехода.ⓘ Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины [C_jsw]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF PDF Image

Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Емкость бокового перехода = Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением*Глубина боковины
C_jsw = C_j0sw*x_j
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

Емкость бокового перехода - (Измеряется в фарада) - Емкость бокового перехода относится к емкости, связанной с боковой стенкой полупроводникового перехода.
Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением - (Измеряется в фарада) - Потенциал перехода на боковой стенке с нулевым смещением — это встроенный потенциал в переходе на боковой стенке определенных транзисторных структур.
Глубина боковины - (Измеряется в Метр) - Глубина боковой стенки — это расстояние от поверхности конструкции или материала до указанной точки внутри боковой стенки.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением: 4.6E-10 фарада --> 4.6E-10 фарада Конверсия не требуется
Глубина боковины: 6.32 микрометр --> 6.32E-06 Метр (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

C_jsw = C_j0sw*x_j --> 4.6E-10*6.32E-06

Оценка ... ...

C_jsw = 2.9072E-15

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

2.9072E-15 фарада --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

2.9072E-15 ≈ 2.9E-15 фарада <-- Емкость бокового перехода

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » МОП-транзистор » Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины

Кредиты

Сделано банупракаш

Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор

банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Дипанхона Маллик

Технологический институт наследия (ХИТК), Калькутта

Дипанхона Маллик проверил этот калькулятор и еще 50+!

< МОП-транзистор Калькуляторы

Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке

LaTeX Идти Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке = -(2*sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок)/(Конечное напряжение-Начальное напряжение)*(sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок-Конечное напряжение)-sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок-Начальное напряжение)))

Потенциал Ферми для типа P

LaTeX Идти Потенциал Ферми для типа P = ([BoltZ]*Абсолютная температура)/[Charge-e]*ln(Собственная концентрация носителей/Легирующая концентрация акцептора)

Эквивалентная большая емкость сигнального перехода

LaTeX Идти Эквивалентная большая емкость сигнального перехода = Периметр боковой стенки*Емкость бокового перехода*Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке

Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины

LaTeX Идти Емкость бокового перехода = Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением*Глубина боковины

Узнать больше >>