Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Емкость бокового перехода = Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением*Глубина боковины
Cjsw = Cj0sw*xj
В этой формуле используются 3 Переменные
Используемые переменные
Емкость бокового перехода - (Измеряется в фарада) - Емкость бокового перехода относится к емкости, связанной с боковой стенкой полупроводникового перехода.
Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением - (Измеряется в фарада) - Потенциал перехода на боковой стенке с нулевым смещением — это встроенный потенциал в переходе на боковой стенке определенных транзисторных структур.
Глубина боковины - (Измеряется в Метр) - Глубина боковой стенки — это расстояние от поверхности конструкции или материала до указанной точки внутри боковой стенки.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением: 4.6E-10 фарада --> 4.6E-10 фарада Конверсия не требуется
Глубина боковины: 6.32 микрометр --> 6.32E-06 Метр (Проверьте преобразование ​здесь)
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Cjsw = Cj0sw*xj --> 4.6E-10*6.32E-06
Оценка ... ...
Cjsw = 2.9072E-15
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
2.9072E-15 фарада --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
2.9072E-15 2.9E-15 фарада <-- Емкость бокового перехода
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано банупракаш
Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор
банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!
Verifier Image
Проверено Дипанхона Маллик
Технологический институт наследия (ХИТК), Калькутта
Дипанхона Маллик проверил этот калькулятор и еще 50+!

МОП-транзистор Калькуляторы

Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке
​ Идти Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке = -(2*sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок)/(Конечное напряжение-Начальное напряжение)*(sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок-Конечное напряжение)-sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок-Начальное напряжение)))
Потенциал Ферми для типа P
​ Идти Потенциал Ферми для типа P = ([BoltZ]*Абсолютная температура)/[Charge-e]*ln(Собственная концентрация носителей/Легирующая концентрация акцептора)
Эквивалентная большая емкость сигнального перехода
​ Идти Эквивалентная большая емкость сигнального перехода = Периметр боковой стенки*Емкость бокового перехода*Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке
Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины
​ Идти Емкость бокового перехода = Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением*Глубина боковины

Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины формула

Емкость бокового перехода = Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением*Глубина боковины
Cjsw = Cj0sw*xj
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!