НОД трех чисел

XOR Напряжение И-НЕ-ворот Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Проектирование и применение КМОП EDC Аналоговая связь Аналоговая электроника Больше >>

⤿

Временные характеристики КМОП КМОП-инверторы Подсистема путей передачи данных массива Подсистема специального назначения КМОП Больше >>

✖Емкость 2 выражается как отношение электрического заряда на каждом проводнике к разности потенциалов (т. е. напряжению) между ними.ⓘ Емкость 2 [C_y]			+10% -10%
✖Напряжение базового коллектора является важнейшим параметром смещения транзистора. Это относится к разнице напряжений между базовыми и коллекторными выводами транзистора, когда он находится в активном состоянии.ⓘ Базовое напряжение коллектора [V_bc]			+10% -10%
✖Емкость 1 выражается как отношение электрического заряда на каждом проводнике к разности потенциалов (т. е. напряжения) между ними.ⓘ Емкость 1 [C_x]			+10% -10%

✖Напряжение XOR Nand Gate — это напряжение в направлении x в вентиле NAND.ⓘ XOR Напряжение И-НЕ-ворот [V_x]

⎘ копия

👎

Формула

✖

XOR Напряжение И-НЕ-ворот

Формула

V x = \frac{C y \cdot V bc}{C x + C y}

Пример

0.881972 V = \frac{3.1 mF \cdot 2.02 V}{4 mF + 3.1 mF}

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Временные характеристики КМОП Формулы PDF PDF Image

XOR Напряжение И-НЕ-ворот Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

XOR Напряжение Nand Gate = (Емкость 2*Базовое напряжение коллектора)/(Емкость 1+Емкость 2)
V_x = (C_y*V_bc)/(C_x+C_y)
В этой формуле используются 4 Переменные

Используемые переменные

XOR Напряжение Nand Gate - (Измеряется в вольт) - Напряжение XOR Nand Gate — это напряжение в направлении x в вентиле NAND.
Емкость 2 - (Измеряется в фарада) - Емкость 2 выражается как отношение электрического заряда на каждом проводнике к разности потенциалов (т. е. напряжению) между ними.
Базовое напряжение коллектора - (Измеряется в вольт) - Напряжение базового коллектора является важнейшим параметром смещения транзистора. Это относится к разнице напряжений между базовыми и коллекторными выводами транзистора, когда он находится в активном состоянии.
Емкость 1 - (Измеряется в фарада) - Емкость 1 выражается как отношение электрического заряда на каждом проводнике к разности потенциалов (т. е. напряжения) между ними.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Емкость 2: 3.1 Миллифарад --> 0.0031 фарада (Проверьте преобразование здесь)
Базовое напряжение коллектора: 2.02 вольт --> 2.02 вольт Конверсия не требуется
Емкость 1: 4 Миллифарад --> 0.004 фарада (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

V_x = (C_y*V_bc)/(C_x+C_y) --> (0.0031*2.02)/(0.004+0.0031)

Оценка ... ...

V_x = 0.881971830985915

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.881971830985915 вольт --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.881971830985915 ≈ 0.881972 вольт <-- XOR Напряжение Nand Gate

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Проектирование и применение КМОП » Временные характеристики КМОП » XOR Напряжение И-НЕ-ворот

Кредиты

Сделано Шобхит Димри

Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат

Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!

Проверено Аншика Арья

Национальный Технологический Институт (NIT), Хамирпур

Аншика Арья проверил этот калькулятор и еще 2500+!

< Временные характеристики КМОП Калькуляторы

Время апертуры для возрастающего входного сигнала

Идти Время апертуры для возрастающего входного сигнала = Время настройки при высокой логике+Время удержания при низкой логике

Время настройки в High Logic

Идти Время настройки при высокой логике = Время апертуры для возрастающего входного сигнала-Время удержания при низкой логике

Время диафрагмы для падающего входного сигнала

Идти Время диафрагмы для падающего входного сигнала = Время настройки при низкой логике+Удержание времени при высокой логике

Время настройки при низкой логике

Идти Время настройки при низкой логике = Время диафрагмы для падающего входного сигнала-Удержание времени при высокой логике

Узнать больше >>

XOR Напряжение И-НЕ-ворот формула

XOR Напряжение Nand Gate = (Емкость 2*Базовое напряжение коллектора)/(Емкость 1+Емкость 2)
V_x = (C_y*V_bc)/(C_x+C_y)

Объясните последствия разделения заряда.

Динамические ворота подвержены проблемам с разделением заряда. Распределение заряда наиболее серьезно, когда выход слабо загружен, а внутренняя емкость велика. Например, динамические вентили NAND с 4 входами и сложные вентили AOI могут распределять заряд между несколькими узлами. Если шум распределения заряда мал, хранитель в конечном итоге восстановит динамический выходной сигнал на VDD. Однако, если шум разделения заряда велик, выход может перевернуться и отключить кипер, что приведет к неверным результатам.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!