НОД трех чисел

Ширина зоны истощения Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Теория СВЧ EDC Аналоговая связь Аналоговая электроника Больше >>

⤿

Микроволновые трубки и схемы Микроволновые полупроводниковые приборы Микроволновые устройства

⤿

клистрон Q-фактор Клистрон Полость Лучевая трубка Больше >>

✖Плотность легирования относится к концентрации атомов легирующей примеси в полупроводниковом материале. Легирующие примеси — это атомы примесей, которые намеренно вводятся в полупроводник.ⓘ Плотность легирования [N_d]			+10% -10%
✖Потенциальный барьер Шоттки действует как барьер для электронов, а высота барьера зависит от разницы работ выхода между двумя материалами.ⓘ Потенциальный барьер Шоттки [V_i]			+10% -10%
✖Напряжение затвора — это напряжение, возникающее на переходе затвор-исток транзистора JFET.ⓘ Напряжение затвора [V_g]			+10% -10%

✖Ширина области обеднения — это область полупроводникового устройства, в которой нет свободных носителей заряда.ⓘ Ширина зоны истощения [x_depl]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Микроволновые трубки и схемы формула PDF PDF Image

Ширина зоны истощения Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Ширина области истощения = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*Плотность легирования))*(Потенциальный барьер Шоттки-Напряжение затвора))
x_depl = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*N_d))*(V_i-V_g))
В этой формуле используются 2 Константы, 1 Функции, 4 Переменные

Используемые константы

[Permitivity-silicon] - Диэлектрическая проницаемость кремния Значение, принятое как 11.7
[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19

Используемые функции

sqrt - Функция квадратного корня — это функция, которая принимает в качестве входных данных неотрицательное число и возвращает квадратный корень заданного входного числа., sqrt(Number)

Используемые переменные

Ширина области истощения - (Измеряется в Метр) - Ширина области обеднения — это область полупроводникового устройства, в которой нет свободных носителей заряда.
Плотность легирования - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Плотность легирования относится к концентрации атомов легирующей примеси в полупроводниковом материале. Легирующие примеси — это атомы примесей, которые намеренно вводятся в полупроводник.
Потенциальный барьер Шоттки - (Измеряется в вольт) - Потенциальный барьер Шоттки действует как барьер для электронов, а высота барьера зависит от разницы работ выхода между двумя материалами.
Напряжение затвора - (Измеряется в вольт) - Напряжение затвора — это напряжение, возникающее на переходе затвор-исток транзистора JFET.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Плотность легирования: 9E+22 1 на кубический сантиметр --> 9E+28 1 на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)
Потенциальный барьер Шоттки: 15.9 вольт --> 15.9 вольт Конверсия не требуется
Напряжение затвора: 0.25 вольт --> 0.25 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

x_depl = sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*N_d))*(V_i-V_g)) --> sqrt((([Permitivity-silicon]*2)/([Charge-e]*9E+28))*(15.9-0.25))

Оценка ... ...

x_depl = 0.000159363423174517

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.000159363423174517 Метр --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.000159363423174517 ≈ 0.000159 Метр <-- Ширина области истощения

(Расчет завершен через 00.023 секунд)

Вы здесь -