Коэффициент преобразования напряжения в частоту в микросхемах Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Коэффициент преобразования напряжения в частоту в микросхемах = Частота выходного сигнала/Входное напряжение
Kv = fo/Vi
В этой формуле используются 3 Переменные
Используемые переменные
Коэффициент преобразования напряжения в частоту в микросхемах - (Измеряется в Герц на вольт) - Коэффициент преобразования напряжения в частоту в микросхемах — это процесс, при котором сигнал входного напряжения преобразуется в соответствующий выходной сигнал.
Частота выходного сигнала - (Измеряется в Герц) - Частота выходного сигнала относится к скорости, с которой сигнал изменяется или колеблется в электрической или электронной системе.
Входное напряжение - (Измеряется в вольт) - Входное напряжение — это разность электрических потенциалов, приложенная к входным клеммам компонента или системы.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Частота выходного сигнала: 1.1 Герц --> 1.1 Герц Конверсия не требуется
Входное напряжение: 2.25 вольт --> 2.25 вольт Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Kv = fo/Vi --> 1.1/2.25
Оценка ... ...
Kv = 0.488888888888889
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.488888888888889 Герц на вольт --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
0.488888888888889 0.488889 Герц на вольт <-- Коэффициент преобразования напряжения в частоту в микросхемах
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано банупракаш
Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор
банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!
Verifier Image
Проверено Сантош Ядав
Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор
Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

Изготовление биполярных ИС Калькуляторы

Проводимость N-типа
​ Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Равновесная концентрация N-типа+Подвижность кремния, легированного дырками*(Внутренняя концентрация^2/Равновесная концентрация N-типа))
Омическая проводимость примесей
​ Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Электронная концентрация+Подвижность кремния, легированного дырками*Концентрация дырок)
Примеси с собственной концентрацией
​ Идти Внутренняя концентрация = sqrt((Электронная концентрация*Концентрация дырок)/Температурная примесь)
Напряжение пробоя коллектора-эмиттера
​ Идти Напряжение пробоя коллектор-эмиттер = Напряжение пробоя базы коллектора/(Текущий прирост BJT)^(1/Корневой номер)

Коэффициент преобразования напряжения в частоту в микросхемах формула

Коэффициент преобразования напряжения в частоту в микросхемах = Частота выходного сигнала/Входное напряжение
Kv = fo/Vi
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!