Что такое динамическая оперативная память (DRAM)?
Динамические RAM (DRAM) хранят свое содержимое в виде заряда на конденсаторе, а не в контуре обратной связи. Коммерческие DRAM создаются по специализированным процессам, оптимизированным для плотных конденсаторных структур. Они предлагают в 10–20 раз большую плотность (бит/см2), чем высокопроизводительная SRAM, встроенная в стандартный логический процесс, но они также имеют гораздо более высокую задержку. Доступ к ячейке осуществляется путем утверждения словарной линии для подключения конденсатора к битовой линии. При чтении битовая линия сначала предварительно заряжается до VDD/2. Когда словная линия поднимается, конденсатор разделяет свой заряд с битовой линией, вызывая изменение напряжения, которое можно почувствовать. Чтение нарушает содержимое ячейки в точке x, поэтому ячейка должна перезаписываться после каждого чтения. При записи на битовую линию подается высокий или низкий уровень, и напряжение подается на конденсатор. Некоторые DRAM переводят словную линию в VDDP = VDD Vt, чтобы избежать ухудшения уровня при записи «1».