✖Прямой ток (IGBT) — это максимальный ток, который может протекать через устройство при его включении.ⓘ Прямой ток (IGBT) [i_f(igbt)]			+10% -10%
✖Сопротивление N-канала (IGBT) — это сопротивление полупроводникового материала в устройстве, когда IGBT включен.ⓘ Сопротивление N-канала (IGBT) [R_ch(igbt)]			+10% -10%
✖Дрейфовое сопротивление (IGBT) — это область N-дрейфа полупроводникового материала в устройстве. Область N-дрейфа представляет собой толстый легированный кремний, который отделяет коллектор от области P-базы.ⓘ Дрейфовое сопротивление (IGBT) [R_d(igbt)]			+10% -10%
✖Напряжение Pn-перехода 1 (IGBT) вызвано потенциальным барьером, существующим на переходе. Этот потенциальный барьер создается диффузией носителей заряда через переход.ⓘ Напряжение Pn-перехода 1 (IGBT) [V_j1(igbt)]			+10% -10%

✖Стадия падения напряжения (IGBT) — это разница напряжений между клеммами коллектора и эмиттера, когда IGBT включен. В устройстве используется полупроводниковый материал.ⓘ Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии [V_ON(igbt)]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии

Формула

`"V"_{"ON(igbt)"} = "i"_{"f(igbt)"}*"R"_{"ch(igbt)"}+"i"_{"f(igbt)"}*"R"_{"d(igbt)"}+"V"_{"j1(igbt)"}`

Пример

`"20.2533V"="1.69mA"*"10.59kΩ"+"1.69mA"*"0.98kΩ"+"0.7V"`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Усовершенствованные транзисторные устройства Формулы PDF PDF Image

Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Падение напряжения на этапе включения (IGBT) = Прямой ток (IGBT)*Сопротивление N-канала (IGBT)+Прямой ток (IGBT)*Дрейфовое сопротивление (IGBT)+Напряжение Pn-перехода 1 (IGBT)
V_ON(igbt) = i_f(igbt)*R_ch(igbt)+i_f(igbt)*R_d(igbt)+V_j1(igbt)
В этой формуле используются 5 Переменные

Используемые переменные

Падение напряжения на этапе включения (IGBT) - (Измеряется в вольт) - Стадия падения напряжения (IGBT) — это разница напряжений между клеммами коллектора и эмиттера, когда IGBT включен. В устройстве используется полупроводниковый материал.
Прямой ток (IGBT) - (Измеряется в Ампер) - Прямой ток (IGBT) — это максимальный ток, который может протекать через устройство при его включении.
Сопротивление N-канала (IGBT) - (Измеряется в ом) - Сопротивление N-канала (IGBT) — это сопротивление полупроводникового материала в устройстве, когда IGBT включен.
Дрейфовое сопротивление (IGBT) - (Измеряется в ом) - Дрейфовое сопротивление (IGBT) — это область N-дрейфа полупроводникового материала в устройстве. Область N-дрейфа представляет собой толстый легированный кремний, который отделяет коллектор от области P-базы.
Напряжение Pn-перехода 1 (IGBT) - (Измеряется в вольт) - Напряжение Pn-перехода 1 (IGBT) вызвано потенциальным барьером, существующим на переходе. Этот потенциальный барьер создается диффузией носителей заряда через переход.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Прямой ток (IGBT): 1.69 Миллиампер --> 0.00169 Ампер (Проверьте преобразование здесь)
Сопротивление N-канала (IGBT): 10.59 килоом --> 10590 ом (Проверьте преобразование здесь)
Дрейфовое сопротивление (IGBT): 0.98 килоом --> 980 ом (Проверьте преобразование здесь)
Напряжение Pn-перехода 1 (IGBT): 0.7 вольт --> 0.7 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

V_ON(igbt) = i_f(igbt)*R_ch(igbt)+i_f(igbt)*R_d(igbt)+V_j1(igbt) --> 0.00169*10590+0.00169*980+0.7

Оценка ... ...

V_ON(igbt) = 20.2533

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

20.2533 вольт --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

20.2533 вольт <-- Падение напряжения на этапе включения (IGBT)

(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электрические » Силовая электроника » Усовершенствованные транзисторные устройства » БТИЗ » Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии

Кредиты

Сделано Мохамед Фазиль V

Технологический институт Ачарья (АИТ), Бангалор

Мохамед Фазиль V создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Парминдер Сингх

Чандигархский университет (ТС), Пенджаб

Парминдер Сингх проверил этот калькулятор и еще 500+!

< 8 БТИЗ Калькуляторы

Номинальный непрерывный ток коллектора IGBT

Идти Прямой ток (IGBT) = (-Общее напряжение коллектора и эмиттера (IGBT)+sqrt((Общее напряжение коллектора и эмиттера (IGBT))^2+4*Сопротивление коллектора и эмиттера (IGBT)*((Максимальный рабочий переход (IGBT)-Температура корпуса IGBT)/Термическое сопротивление (IGBT))))/(2*Сопротивление коллектора и эмиттера (IGBT))

Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии

Идти Падение напряжения на этапе включения (IGBT) = Прямой ток (IGBT)*Сопротивление N-канала (IGBT)+Прямой ток (IGBT)*Дрейфовое сопротивление (IGBT)+Напряжение Pn-перехода 1 (IGBT)

Напряжение насыщения IGBT

Идти Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IGBT) = Напряжение базы-эмиттера PNP IGBT+Ток стока (IGBT)*(Сопротивление проводимости IGBT+Сопротивление N-канала (IGBT))

Время выключения IGBT

Идти Время выключения (IGBT) = Время задержки (IGBT)+Начальное время падения (IGBT)+Время последнего падения (IGBT)

Максимальная рассеиваемая мощность в IGBT

Идти Максимальная рассеиваемая мощность (IGBT) = Максимальный рабочий переход (IGBT)/Угол соединения с корпусом (IGBT)

Входная емкость IGBT

Идти Входная емкость (IGBT) = Емкость затвор-эмиттер (IGBT)+Емкость ворота-коллектора (IGBT)

Ток эмиттера IGBT

Идти Ток эмиттера (IGBT) = Ток дырки (IGBT)+Электронный ток (IGBT)

Напряжение пробоя прямосмещенного IGBT

Идти Напряжение пробоя SOA IGBT = (5.34*10^13)/((Чистый положительный заряд (IGBT))^(3/4))

Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии формула

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!