НОК двух чисел

Частота перехода MOSFET Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Аналоговая электроника EDC Аналоговая связь Антенна и распространение волн Больше >>

⤿

МОП-транзистор БЮТ

⤿

Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Анализ малых сигналов Коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR)Коэффициент усиления или усиление Больше >>

✖Крутизна определяется как отношение изменения выходного тока к изменению входного напряжения при постоянном напряжении затвор-исток.ⓘ крутизна [g_m]			+10% -10%
✖Емкость затвора истока — это мера емкости между электродами истока и затвора в полевом транзисторе (FET).ⓘ Емкость затвора источника [C_sg]			+10% -10%
✖Емкость затвор-сток — это паразитная емкость, которая существует между электродами затвора и стока полевого транзистора (FET).ⓘ Емкость затвор-сток [C_gd]			+10% -10%

✖Частота перехода — это термин, который описывает скорость или частоту, с которой происходит изменение или переход из одного состояния в другое.ⓘ Частота перехода MOSFET [f_t]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF PDF Image

Частота перехода MOSFET Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Частота перехода = крутизна/(2*pi*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток))
f_t = g_m/(2*pi*(C_sg+C_gd))
В этой формуле используются 1 Константы, 4 Переменные

Используемые константы

pi - постоянная Архимеда Значение, принятое как 3.14159265358979323846264338327950288

Используемые переменные

Частота перехода - (Измеряется в Герц) - Частота перехода — это термин, который описывает скорость или частоту, с которой происходит изменение или переход из одного состояния в другое.
крутизна - (Измеряется в Сименс) - Крутизна определяется как отношение изменения выходного тока к изменению входного напряжения при постоянном напряжении затвор-исток.
Емкость затвора источника - (Измеряется в фарада) - Емкость затвора истока — это мера емкости между электродами истока и затвора в полевом транзисторе (FET).
Емкость затвор-сток - (Измеряется в фарада) - Емкость затвор-сток — это паразитная емкость, которая существует между электродами затвора и стока полевого транзистора (FET).

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

крутизна: 0.5 Миллисименс --> 0.0005 Сименс (Проверьте преобразование здесь)
Емкость затвора источника: 8.16 Микрофарад --> 8.16E-06 фарада (Проверьте преобразование здесь)
Емкость затвор-сток: 7 Микрофарад --> 7E-06 фарада (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

f_t = g_m/(2*pi*(C_sg+C_gd)) --> 0.0005/(2*pi*(8.16E-06+7E-06))

Оценка ... ...

f_t = 5.24917358482504

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

5.24917358482504 Герц --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

5.24917358482504 ≈ 5.249174 Герц <-- Частота перехода

(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель » Частота перехода MOSFET

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Аншика Арья

Национальный Технологический Институт (NIT), Хамирпур

Аншика Арья проверил этот калькулятор и еще 2500+!

< Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Калькуляторы

Частота перехода MOSFET

LaTeX Идти Частота перехода = крутизна/(2*pi*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток))

Ширина канала от шлюза к источнику MOSFET

LaTeX Идти ширина канала = Емкость перекрытия/(Оксидная емкость*Длина перекрытия)

Суммарная емкость между затвором и каналом MOSFET

LaTeX Идти Емкость канала затвора = Оксидная емкость*ширина канала*Длина канала

Емкость перекрытия MOSFET

LaTeX Идти Емкость перекрытия = ширина канала*Оксидная емкость*Длина перекрытия

Узнать больше >>

< Характеристики МОП-транзистора Калькуляторы

Коэффициент усиления по напряжению при заданном сопротивлении нагрузки MOSFET

LaTeX Идти Усиление напряжения = крутизна*(1/(1/Сопротивление нагрузки+1/Выходное сопротивление))/(1+крутизна*Сопротивление источника)

Максимальное усиление напряжения в точке смещения

LaTeX Идти Максимальное усиление напряжения = 2*(Напряжение питания-Эффективное напряжение)/(Эффективное напряжение)

Усиление напряжения при заданном напряжении стока

LaTeX Идти Усиление напряжения = (Ток стока*Сопротивление нагрузки*2)/Эффективное напряжение

Максимальное усиление напряжения при всех напряжениях

LaTeX Идти Максимальное усиление напряжения = (Напряжение питания-0.3)/Тепловое напряжение

Узнать больше >>

Частота перехода MOSFET формула

LaTeX Идти

Частота перехода = крутизна/(2*pi*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток))
f_t = g_m/(2*pi*(C_sg+C_gd))

Почему MOSFET используется для высокочастотных приложений?

МОП-транзисторы могут работать на высоких частотах, они могут выполнять приложения с быстрым переключением с небольшими потерями при выключении. По сравнению с IGBT силовой MOSFET имеет преимущества более высокой скорости коммутации и большей эффективности при работе при низких напряжениях.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!