Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Первичная крутизна МОП-транзистора = Коллекторный ток/Пороговое напряжение
gmp = ic/Vt
В этой формуле используются 3 Переменные
Используемые переменные
Первичная крутизна МОП-транзистора - (Измеряется в Сименс) - Первичная крутизна МОП-транзистора — это изменение тока стока, деленное на небольшое изменение напряжения затвор/исток при постоянном напряжении сток/исток.
Коллекторный ток - (Измеряется в Ампер) - Коллекторный ток — это усиленный выходной ток биполярного транзистора.
Пороговое напряжение - (Измеряется в вольт) - Пороговое напряжение транзистора — это минимальное напряжение затвор-исток, которое необходимо для создания проводящего пути между клеммами истока и стока.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Коллекторный ток: 39.52 Миллиампер --> 0.03952 Ампер (Проверьте преобразование ​здесь)
Пороговое напряжение: 2 вольт --> 2 вольт Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
gmp = ic/Vt --> 0.03952/2
Оценка ... ...
gmp = 0.01976
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.01976 Сименс -->19.76 Миллисименс (Проверьте преобразование ​здесь)
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
19.76 Миллисименс <-- Первичная крутизна МОП-транзистора
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Паял Прия
Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри
Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!
Verifier Image
Проверено Аншика Арья
Национальный Технологический Институт (NIT), Хамирпур
Аншика Арья проверил этот калькулятор и еще 2500+!

Характеристики транзисторного усилителя Калькуляторы

Ток, протекающий через индуцированный канал в транзисторе при заданном напряжении оксида
​ Идти Выходной ток = (Мобильность электрона*Оксидная емкость*(Ширина канала/Длина канала)*(Напряжение на оксиде-Пороговое напряжение))*Напряжение насыщения между стоком и истоком
Ток, поступающий на клемму стока MOSFET при насыщении
​ Идти Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса*(Ширина канала/Длина канала)*(Эффективное напряжение)^2
Общее мгновенное напряжение стока
​ Идти Общее мгновенное напряжение стока = Основное напряжение компонента-Сопротивление дренажу*Ток стока
Входное напряжение транзистора
​ Идти Основное напряжение компонента = Сопротивление дренажу*Ток стока-Общее мгновенное напряжение стока

CV-действия усилителей общего каскада Калькуляторы

Входное сопротивление усилителя с общим эмиттером
​ Идти Входное сопротивление = (1/Базовое сопротивление+1/Базовое сопротивление 2+1/Малое входное сопротивление сигнала)^-1
Входное сопротивление усилителя с общей базой
​ Идти Входное сопротивление = (1/Сопротивление эмиттера+1/Малое входное сопротивление сигнала)^(-1)
Основное напряжение в усилителе с общим эмиттером
​ Идти Основное напряжение компонента = Входное сопротивление*Базовый ток
Ток эмиттера усилителя с общей базой
​ Идти Ток эмиттера = Входное напряжение/Сопротивление эмиттера

Транскондуктивность с использованием тока коллектора транзисторного усилителя формула

Первичная крутизна МОП-транзистора = Коллекторный ток/Пороговое напряжение
gmp = ic/Vt

Какая польза от крутизны в MOSFET?

Крутизна - это выражение характеристик биполярного транзистора или полевого транзистора (FET). В общем, чем больше коэффициент крутизны для устройства, тем большее усиление (усиление) оно способно обеспечить, когда все другие факторы остаются постоянными.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!