калькулятор НОД

Крутизна в области насыщения в MESFET Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Теория СВЧ EDC Аналоговая связь Аналоговая электроника Больше >>

⤿

Микроволновые полупроводниковые приборы Микроволновые трубки и схемы Микроволновые устройства

⤿

Транзисторные усилители БЮТ-микроволновые устройства Нелинейные схемы Параметрические устройства Больше >>

✖Выходная проводимость — параметр, характеризующий поведение полевого транзистора (FET) в области его насыщения.ⓘ Выходная проводимость [g₀]			+10% -10%
✖Входное напряжение — это разность электрических потенциалов, приложенная к входным клеммам компонента или системы.ⓘ Входное напряжение [V_i]			+10% -10%
✖Пороговое напряжение — это напряжение, при котором транзистор начинает проводить ток.ⓘ Пороговое напряжение [V_G]			+10% -10%
✖Напряжение отсечки представляет собой напряжение затвор-исток, при котором канал MESFET закрывается или «зажимается».ⓘ Напряжение отсечки [V_p]			+10% -10%

✖Крутизна MESFET является ключевым параметром MESFET, отражающим изменение тока стока по отношению к изменению напряжения затвор-исток.ⓘ Крутизна в области насыщения в MESFET [G_m]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Микроволновые полупроводниковые приборы формула PDF PDF Image

Крутизна в области насыщения в MESFET Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Крутизна транзистора MESFET = Выходная проводимость*(1-sqrt((Входное напряжение-Пороговое напряжение)/Напряжение отсечки))
G_m = g₀*(1-sqrt((V_i-V_G)/V_p))
В этой формуле используются 1 Функции, 5 Переменные

Используемые функции

sqrt - Функция квадратного корня — это функция, которая принимает в качестве входных данных неотрицательное число и возвращает квадратный корень заданного входного числа., sqrt(Number)

Используемые переменные

Крутизна транзистора MESFET - (Измеряется в Сименс) - Крутизна MESFET является ключевым параметром MESFET, отражающим изменение тока стока по отношению к изменению напряжения затвор-исток.
Выходная проводимость - (Измеряется в Сименс) - Выходная проводимость — параметр, характеризующий поведение полевого транзистора (FET) в области его насыщения.
Входное напряжение - (Измеряется в вольт) - Входное напряжение — это разность электрических потенциалов, приложенная к входным клеммам компонента или системы.
Пороговое напряжение - (Измеряется в вольт) - Пороговое напряжение — это напряжение, при котором транзистор начинает проводить ток.
Напряжение отсечки - (Измеряется в вольт) - Напряжение отсечки представляет собой напряжение затвор-исток, при котором канал MESFET закрывается или «зажимается».

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Выходная проводимость: 0.152 Сименс --> 0.152 Сименс Конверсия не требуется
Входное напряжение: 2.25 вольт --> 2.25 вольт Конверсия не требуется
Пороговое напряжение: 1.562 вольт --> 1.562 вольт Конверсия не требуется
Напряжение отсечки: 2.01 вольт --> 2.01 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

G_m = g₀*(1-sqrt((V_i-V_G)/V_p)) --> 0.152*(1-sqrt((2.25-1.562)/2.01))

Оценка ... ...

G_m = 0.0630717433777618

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.0630717433777618 Сименс --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.0630717433777618 ≈ 0.063072 Сименс <-- Крутизна транзистора MESFET

(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Теория СВЧ » Микроволновые полупроводниковые приборы » Транзисторные усилители » Крутизна в области насыщения в MESFET

Кредиты

Сделано банупракаш

Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор

банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Дипанхона Маллик

Технологический институт наследия (ХИТК), Калькутта

Дипанхона Маллик проверил этот калькулятор и еще 50+!

< Транзисторные усилители Калькуляторы

Максимальная рабочая частота

LaTeX Идти Максимальная рабочая частота = Частота среза MESFET/2*sqrt(Сопротивление дренажу/(Источник сопротивления+Входное сопротивление+Сопротивление металлизации ворот))

Крутизна в области насыщения в MESFET

LaTeX Идти Крутизна транзистора MESFET = Выходная проводимость*(1-sqrt((Входное напряжение-Пороговое напряжение)/Напряжение отсечки))

Частота среза MESFET

LaTeX Идти Частота среза MESFET = Крутизна транзистора MESFET/(2*pi*Емкость источника затвора)

Максимальная частота колебаний

LaTeX Идти Максимальная частота колебаний = Скорость насыщения/(2*pi*Длина канала)

Узнать больше >>

Крутизна в области насыщения в MESFET формула

LaTeX Идти

Крутизна транзистора MESFET = Выходная проводимость*(1-sqrt((Входное напряжение-Пороговое напряжение)/Напряжение отсечки))
G_m = g₀*(1-sqrt((V_i-V_G)/V_p))

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!