Крутизна в области насыщения Калькулятор

Крутизна = Выходная проводимость*(1-sqrt((Потенциальный барьер диода Шоттки-Напряжение затвора)/Напряжение отсечки))
g_m = G_o*(1-sqrt((V_i-V_g)/V_p))
В этой формуле используются 1 Функции, 5 Переменные
sqrt - Функция квадратного корня — это функция, которая принимает в качестве входных данных неотрицательное число и возвращает квадратный корень заданного входного числа., sqrt(Number)Крутизна - (Измеряется в Сименс) - Крутизна определяется как отношение изменения тока стока к изменению напряжения затвор-исток при условии постоянного напряжения сток-исток.
Выходная проводимость - (Измеряется в Сименс) - Выходная проводимость представляет собой проводимость сток-исток МОП-транзистора при малых сигналах, когда напряжение затвор-исток поддерживается постоянным.
Потенциальный барьер диода Шоттки - (Измеряется в вольт) - Потенциальный барьер диода Шоттки — это энергетический барьер, который существует на границе раздела металла и полупроводникового материала в диоде Шоттки.
Напряжение затвора - (Измеряется в вольт) - Напряжение на затворе относится к напряжению, подаваемому на управляющий вывод MESFET для регулирования его проводимости. Напряжение на затворе определяет количество свободных носителей заряда в канале.
Напряжение отсечки - (Измеряется в вольт) - Напряжение отключения — это напряжение затвора, при котором канал полностью пережимается, и это ключевой параметр в работе полевых транзисторов. Это важный параметр при проектировании схем.

(Расчет завершен через 00.004 секунд)