✖Проникновение заряда N-типа относится к явлению, когда дополнительные электроны от атомов примеси, обычно фосфора или мышьяка, проникают в кристаллическую решетку полупроводникового материала.ⓘ Проникновение заряда N-типа [xno] | | | +10% -10% |
✖Область перехода — это граница или область интерфейса между двумя типами полупроводниковых материалов в p-n-диоде.ⓘ Зона соединения [Aj] | | | +10% -10% |
✖Концентрация акцептора — это концентрация атома-акцептора или легирующей примеси, который при замещении в решетке полупроводника образует область p-типа.ⓘ Концентрация акцептора [Na] | | | +10% -10% |