Временная задержка, когда NMOS работает в линейной области Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Линейная область во временной задержке = -2*Емкость перехода*int(1/(Параметр процесса крутизны*(2*(Входное напряжение-Пороговое напряжение)*x-x^2)),x,Начальное напряжение,Конечное напряжение)
tdelay = -2*Cj*int(1/(kn*(2*(Vi-VT)*x-x^2)),x,V1,V2)
В этой формуле используются 1 Функции, 7 Переменные
Используемые функции
int - Определенный интеграл можно использовать для расчета чистой площади со знаком, которая представляет собой площадь над осью x минус площадь под осью x., int(expr, arg, from, to)
Используемые переменные
Линейная область во временной задержке - (Измеряется в Второй) - Линейная область временной задержки определяется как задержка, возникающая при зарядке и разрядке конденсаторов, подключенных к NMOS, во время событий переключения.
Емкость перехода - (Измеряется в фарада) - Емкость перехода относится к емкости, возникающей в области обеднения между клеммами истока/стока и подложкой.
Параметр процесса крутизны - (Измеряется в Ампер на квадратный вольт) - Параметр процесса крутизны — это константа, специфичная для устройства, которая характеризует способность транзистора преобразовывать изменение напряжения на затворе в изменение выходного тока.
Входное напряжение - (Измеряется в вольт) - Входное напряжение — это разность электрических потенциалов, приложенная к входным клеммам компонента или системы.
Пороговое напряжение - (Измеряется в вольт) - Пороговое напряжение — это минимальное напряжение затвор-исток, необходимое для полевого МОП-транзистора, чтобы включить его и обеспечить протекание значительного тока.
Начальное напряжение - (Измеряется в вольт) - Начальное напряжение относится к напряжению, присутствующему в определенной точке цепи в начале определенной операции или при определенных условиях.
Конечное напряжение - (Измеряется в вольт) - Конечное напряжение относится к уровню напряжения, достигнутому или измеренному по завершении определенного процесса или события.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Емкость перехода: 95009 фарада --> 95009 фарада Конверсия не требуется
Параметр процесса крутизны: 4.553 Ампер на квадратный вольт --> 4.553 Ампер на квадратный вольт Конверсия не требуется
Входное напряжение: 2.25 вольт --> 2.25 вольт Конверсия не требуется
Пороговое напряжение: 5.91 вольт --> 5.91 вольт Конверсия не требуется
Начальное напряжение: 5.42 Нановольт --> 5.42E-09 вольт (Проверьте преобразование ​здесь)
Конечное напряжение: 6.135 Нановольт --> 6.135E-09 вольт (Проверьте преобразование ​здесь)
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
tdelay = -2*Cj*int(1/(kn*(2*(Vi-VT)*x-x^2)),x,V1,V2) --> -2*95009*int(1/(4.553*(2*(2.25-5.91)*x-x^2)),x,5.42E-09,6.135E-09)
Оценка ... ...
tdelay = 706.520454377221
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
706.520454377221 Второй --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
706.520454377221 706.5205 Второй <-- Линейная область во временной задержке
(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Винеш Найду
Технологический институт Веллора (ВИТ), Веллор, Тамил Наду
Винеш Найду создал этот калькулятор и еще 10+!
Verifier Image
Проверено Дипанхона Маллик
Технологический институт наследия (ХИТК), Калькутта
Дипанхона Маллик проверил этот калькулятор и еще 50+!

МОП-транзистор Калькуляторы

Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке
​ Идти Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке = -(2*sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок)/(Конечное напряжение-Начальное напряжение)*(sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок-Конечное напряжение)-sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок-Начальное напряжение)))
Потенциал Ферми для типа P
​ Идти Потенциал Ферми для типа P = ([BoltZ]*Абсолютная температура)/[Charge-e]*ln(Собственная концентрация носителей/Легирующая концентрация акцептора)
Эквивалентная большая емкость сигнального перехода
​ Идти Эквивалентная большая емкость сигнального перехода = Периметр боковой стенки*Емкость бокового перехода*Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке
Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины
​ Идти Емкость бокового перехода = Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением*Глубина боковины

Временная задержка, когда NMOS работает в линейной области формула

Линейная область во временной задержке = -2*Емкость перехода*int(1/(Параметр процесса крутизны*(2*(Входное напряжение-Пороговое напряжение)*x-x^2)),x,Начальное напряжение,Конечное напряжение)
tdelay = -2*Cj*int(1/(kn*(2*(Vi-VT)*x-x^2)),x,V1,V2)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!