калькулятор НОК

Тепловая равновесная концентрация неосновных носителей заряда Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Аналоговая электроника EDC Аналоговая связь Антенна и распространение волн Больше >>

⤿

БЮТ МОП-транзистор

⤿

Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR)Коэффициент усиления или усиление крутизна Больше >>

✖Внутренняя плотность носителей — это количество электронов в зоне проводимости или количество дырок в валентной зоне собственного материала.ⓘ Внутренняя плотность несущей [n_i]			+10% -10%
✖Концентрация легирования основания представляет собой количество примесей, добавленных к основанию.ⓘ Легирующая концентрация основания [N_B]			+10% -10%

✖Концентрация теплового равновесия определяется как концентрация носителей в усилителе.ⓘ Тепловая равновесная концентрация неосновных носителей заряда [n_po]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Тепловая равновесная концентрация неосновных носителей заряда

Формула

n po = \frac{{(n i)}^{2}}{N B}

Пример

1.1E+18 /m³ = \frac{{(4.5E+9 /m³)}^{2}}{19 /m³}

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать БЮТ формула PDF PDF Image

Тепловая равновесная концентрация неосновных носителей заряда Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Тепловая равновесная концентрация = ((Внутренняя плотность несущей)^2)/Легирующая концентрация основания
n_po = ((n_i)^2)/N_B
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

Тепловая равновесная концентрация - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация теплового равновесия определяется как концентрация носителей в усилителе.
Внутренняя плотность несущей - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Внутренняя плотность носителей — это количество электронов в зоне проводимости или количество дырок в валентной зоне собственного материала.
Легирующая концентрация основания - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация легирования основания представляет собой количество примесей, добавленных к основанию.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Внутренняя плотность несущей: 4500000000 1 на кубический метр --> 4500000000 1 на кубический метр Конверсия не требуется
Легирующая концентрация основания: 19 1 на кубический метр --> 19 1 на кубический метр Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

n_po = ((n_i)^2)/N_B --> ((4500000000)^2)/19

Оценка ... ...

n_po = 1.06578947368421E+18

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

1.06578947368421E+18 1 на кубический метр --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

1.06578947368421E+18 ≈ 1.1E+18 1 на кубический метр <-- Тепловая равновесная концентрация

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » БЮТ » Аналоговая электроника » Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель » Тепловая равновесная концентрация неосновных носителей заряда

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Калькуляторы

Диффузионная емкость слабого сигнала BJT

Идти Емкость эмиттер-база = Константа устройства*(Коллекторный ток/Пороговое напряжение)

Сохраненный электронный заряд в базе BJT

Идти Сохраненный электронный заряд = Константа устройства*Коллекторный ток

Диффузионная емкость слабого сигнала

Идти Емкость эмиттер-база = Константа устройства*крутизна

Емкость перехода база-эмиттер

Идти Емкость перехода база-эмиттер = 2*Емкость эмиттер-база

Узнать больше >>

< Схема БЮТ Калькуляторы

Суммарная мощность, рассеиваемая в BJT

Идти Власть = Напряжение коллектор-эмиттер*Коллекторный ток+Напряжение база-эмиттер*Базовый ток

Коэффициент подавления синфазного сигнала

Идти Коэффициент подавления синфазного сигнала = 20*log10(Усиление дифференциального режима/Усиление синфазного сигнала)

Коэффициент усиления по току с общей базой

Идти Коэффициент усиления по току с общей базой = Коэффициент усиления по току с общим эмиттером/(Коэффициент усиления по току с общим эмиттером+1)

Внутреннее усиление BJT

Идти Внутреннее усиление = Раннее напряжение/Тепловое напряжение

Узнать больше >>

Тепловая равновесная концентрация неосновных носителей заряда формула

Тепловая равновесная концентрация = ((Внутренняя плотность несущей)^2)/Легирующая концентрация основания
n_po = ((n_i)^2)/N_B

Что такое тепловая равновесная концентрация носителей?

Количество носителей в зоне проводимости и валентной зоне без внешнего смещения называется равновесной концентрацией носителей. Для большинства носителей заряда равновесная концентрация носителей равна собственной концентрации носителей плюс количество свободных носителей, добавленных путем легирования полупроводника.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!