НОД трех чисел

Поверхностный потенциал Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Изготовление СБИС EDC Аналоговая связь Аналоговая электроника Больше >>

⤿

Оптимизация материалов СБИС Аналоговая СБИС

✖Разность потенциалов тела источника рассчитывается, когда внешний приложенный потенциал равен сумме падения напряжения на оксидном слое и падения напряжения на полупроводнике.ⓘ Разница в потенциале исходного тела [V_sb]			+10% -10%
✖Концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцепторной примеси в полупроводниковом материале.ⓘ Концентрация акцептора [N_A]			+10% -10%
✖Собственная концентрация относится к концентрации носителей заряда (электронов и дырок) в собственном полупроводнике при тепловом равновесии.ⓘ Внутренняя концентрация [N_i]			+10% -10%

✖Поверхностный потенциал является ключевым параметром при оценке свойств тонкопленочных транзисторов по постоянному току.ⓘ Поверхностный потенциал [Φ_s]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Электроника формула PDF PDF Image

Поверхностный потенциал Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Поверхностный потенциал = 2*Разница в потенциале исходного тела*ln(Концентрация акцептора/Внутренняя концентрация)
Φ_s = 2*V_sb*ln(N_A/N_i)
В этой формуле используются 1 Функции, 4 Переменные

Используемые функции

ln - Натуральный логарифм, также известный как логарифм по основанию е, является обратной функцией натуральной показательной функции., ln(Number)

Используемые переменные

Поверхностный потенциал - (Измеряется в вольт) - Поверхностный потенциал является ключевым параметром при оценке свойств тонкопленочных транзисторов по постоянному току.
Разница в потенциале исходного тела - (Измеряется в вольт) - Разность потенциалов тела источника рассчитывается, когда внешний приложенный потенциал равен сумме падения напряжения на оксидном слое и падения напряжения на полупроводнике.
Концентрация акцептора - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцепторной примеси в полупроводниковом материале.
Внутренняя концентрация - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Собственная концентрация относится к концентрации носителей заряда (электронов и дырок) в собственном полупроводнике при тепловом равновесии.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Разница в потенциале исходного тела: 1.36 вольт --> 1.36 вольт Конверсия не требуется
Концентрация акцептора: 1E+16 1 на кубический сантиметр --> 1E+22 1 на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)
Внутренняя концентрация: 14500000000 1 на кубический сантиметр --> 1.45E+16 1 на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

Φ_s = 2*V_sb*ln(N_A/N_i) --> 2*1.36*ln(1E+22/1.45E+16)

Оценка ... ...

Φ_s = 36.5675358441665

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

36.5675358441665 вольт --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

36.5675358441665 ≈ 36.56754 вольт <-- Поверхностный потенциал

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Изготовление СБИС » Оптимизация материалов СБИС » Поверхностный потенциал

Кредиты

Сделано Шобхит Димри

Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат

Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< Оптимизация материалов СБИС Калькуляторы

Коэффициент эффекта тела

LaTeX Идти Коэффициент эффекта тела = modulus((Пороговое напряжение-Пороговое напряжение DIBL)/(sqrt(Поверхностный потенциал+(Разница в потенциале исходного тела))-sqrt(Поверхностный потенциал)))

DIBL Коэффициент

LaTeX Идти Коэффициент DIBL = (Пороговое напряжение DIBL-Пороговое напряжение)/Сток в источник потенциала

Плата за канал

LaTeX Идти Плата за канал = Емкость затвора*(Ворота к напряжению канала-Пороговое напряжение)

Критическое напряжение

LaTeX Идти Критическое напряжение = Критическое электрическое поле*Электрическое поле по длине канала

Узнать больше >>

Поверхностный потенциал формула

LaTeX Идти

Поверхностный потенциал = 2*Разница в потенциале исходного тела*ln(Концентрация акцептора/Внутренняя концентрация)
Φ_s = 2*V_sb*ln(N_A/N_i)

Зачем мы рассчитываем поверхностный потенциал?

Поверхностный потенциал рассчитывается для определения уровня напряжения на поверхности полупроводника. Он помогает оценить производительность устройства, пороговое напряжение и энергопотребление КМОП-транзисторов, помогая при проектировании и оптимизации схем.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!