Коэффициент смещения подложки Калькулятор

Коэффициент смещения подложки = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Легирующая концентрация акцептора)/Оксидная емкость
γ_s = sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N_A)/C_ox
В этой формуле используются 2 Константы, 1 Функции, 3 Переменные
[Permitivity-silicon] - Диэлектрическая проницаемость кремния Значение, принятое как 11.7
[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19sqrt - Функция квадратного корня — это функция, которая принимает в качестве входных данных неотрицательное число и возвращает квадратный корень заданного входного числа., sqrt(Number)Коэффициент смещения подложки - Коэффициент смещения подложки — это параметр, используемый при моделировании полевых транзисторов металл-оксид-полупроводник (MOSFET).
Легирующая концентрация акцептора - (Измеряется в Электронов на кубический метр) - Легирующая концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцептора, намеренно добавленных в полупроводниковый материал.
Оксидная емкость - (Измеряется в фарада) - Оксидная емкость относится к емкости, связанной с изолирующим оксидным слоем в структуре металл-оксид-полупроводник (МОП), например, в МОП-транзисторах.

(Расчет завершен через 00.007 секунд)