Используемая формула
Снижение порогового напряжения короткого канала = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*Концентрация акцептора*abs(2*Поверхностный потенциал))*Глубина соединения)/(Оксидная емкость на единицу площади*2*Длина канала)*((sqrt(1+(2*Глубина истощения Pn-перехода с источником)/Глубина соединения)-1)+(sqrt(1+(2*Глубина истощения Pn-перехода с дренажем)/Глубина соединения)-1))ΔVT0 = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum]*NA*abs(2*Φs))*xj)/(Coxide*2*L)*((sqrt(1+(2*xdS)/xj)-1)+(sqrt(1+(2*xdD)/xj)-1))В этой формуле используются
3 Константы,
2 Функции,
8 Переменные Используемые константы
[Permitivity-silicon] - Диэлектрическая проницаемость кремния Значение, принятое как 11.7
[Permitivity-vacuum] - Диэлектрическая проницаемость вакуума Значение, принятое как 8.85E-12
[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19
Используемые функции
sqrt - Функция извлечения квадратного корня — это функция, которая принимает на вход неотрицательное число и возвращает квадратный корень из заданного входного числа., sqrt(Number)
abs - Абсолютное значение числа — это его расстояние от нуля на числовой прямой. Это всегда положительное значение, поскольку оно представляет величину числа без учета его направления., abs(Number)
Используемые переменные
Снижение порогового напряжения короткого канала -
(Измеряется в вольт) - Снижение порогового напряжения короткого канала определяется как снижение порогового напряжения MOSFET из-за эффекта короткого канала.
Концентрация акцептора -
(Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцепторной примеси в полупроводниковом материале.
Поверхностный потенциал -
(Измеряется в вольт) - Поверхностный потенциал является ключевым параметром при оценке свойств тонкопленочных транзисторов по постоянному току.
Глубина соединения -
(Измеряется в Метр) - Глубина перехода определяется как расстояние от поверхности полупроводникового материала до точки, где происходит значительное изменение концентрации атомов примеси.
Оксидная емкость на единицу площади -
(Измеряется в Фарада на квадратный метр) - Оксидная емкость на единицу площади определяется как емкость на единицу площади изолирующего оксидного слоя, который отделяет металлический затвор от полупроводникового материала.
Длина канала -
(Измеряется в Метр) - Длина канала относится к физической длине полупроводникового материала между клеммами истока и стока внутри транзисторной структуры.
Глубина истощения Pn-перехода с источником -
(Измеряется в Метр) - Глубина истощения Pn-перехода с источником определяется как область вокруг pn-перехода, где носители заряда обеднены из-за образования электрического поля.
Глубина истощения Pn-перехода с дренажем -
(Измеряется в Метр) - Глубина обеднения Pn-перехода со стоком определяется как расширение области обеднения в полупроводниковый материал вблизи стоковой клеммы.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок