✖Базовое напряжение эмиттера PNP IGBT. IGBT — это гибридное устройство, сочетающее в себе преимущества MOSFET и BJT.ⓘ Напряжение базы-эмиттера PNP IGBT [V_{B-E(pnp)(igbt)}]			+10% -10%
✖Ток стока (IGBT) — это ток, который течет через стоковой переход MOSFET и IGBT.ⓘ Ток стока (IGBT) [I_d(igbt)]			+10% -10%
✖Сопротивление проводимости IGBT — это сопротивление, когда IGBT включен и проводит ток.ⓘ Сопротивление проводимости IGBT [R_s(igbt)]			+10% -10%
✖Сопротивление N-канала (IGBT) — это сопротивление полупроводникового материала в устройстве, когда IGBT включен.ⓘ Сопротивление N-канала (IGBT) [R_ch(igbt)]			+10% -10%

✖Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IGBT) биполярного транзистора с изолированным затвором — это падение напряжения на IGBT, когда он включен и проводит ток.ⓘ Напряжение насыщения IGBT [V_{c-e(sat)(igbt)}]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Напряжение насыщения IGBT

Формула

`"V"_{"c-e(sat)(igbt)"} = "V"_{"B-E(pnp)(igbt)"}+"I"_{"d(igbt)"}*("R"_{"s(igbt)"}+"R"_{"ch(igbt)"})`

Пример

`"1222.25V"="2.15V"+"105mA"*("1.03kΩ"+"10.59kΩ")`

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Усовершенствованные транзисторные устройства Формулы PDF PDF Image

Напряжение насыщения IGBT Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IGBT) = Напряжение базы-эмиттера PNP IGBT+Ток стока (IGBT)*(Сопротивление проводимости IGBT+Сопротивление N-канала (IGBT))
V_{c-e(sat)(igbt)} = V_{B-E(pnp)(igbt)}+I_d(igbt)*(R_s(igbt)+R_ch(igbt))
В этой формуле используются 5 Переменные

Используемые переменные

Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IGBT) - (Измеряется в вольт) - Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IGBT) биполярного транзистора с изолированным затвором — это падение напряжения на IGBT, когда он включен и проводит ток.
Напряжение базы-эмиттера PNP IGBT - (Измеряется в вольт) - Базовое напряжение эмиттера PNP IGBT. IGBT — это гибридное устройство, сочетающее в себе преимущества MOSFET и BJT.
Ток стока (IGBT) - (Измеряется в Ампер) - Ток стока (IGBT) — это ток, который течет через стоковой переход MOSFET и IGBT.
Сопротивление проводимости IGBT - (Измеряется в ом) - Сопротивление проводимости IGBT — это сопротивление, когда IGBT включен и проводит ток.
Сопротивление N-канала (IGBT) - (Измеряется в ом) - Сопротивление N-канала (IGBT) — это сопротивление полупроводникового материала в устройстве, когда IGBT включен.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Напряжение базы-эмиттера PNP IGBT: 2.15 вольт --> 2.15 вольт Конверсия не требуется
Ток стока (IGBT): 105 Миллиампер --> 0.105 Ампер (Проверьте преобразование здесь)
Сопротивление проводимости IGBT: 1.03 килоом --> 1030 ом (Проверьте преобразование здесь)
Сопротивление N-канала (IGBT): 10.59 килоом --> 10590 ом (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

V_{c-e(sat)(igbt)} = V_{B-E(pnp)(igbt)}+I_d(igbt)*(R_s(igbt)+R_ch(igbt)) --> 2.15+0.105*(1030+10590)

Оценка ... ...

V_{c-e(sat)(igbt)} = 1222.25

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

1222.25 вольт --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

1222.25 вольт <-- Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IGBT)

(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электрические » Силовая электроника » Усовершенствованные транзисторные устройства » БТИЗ » Напряжение насыщения IGBT

Кредиты

Сделано Мохамед Фазиль V

Технологический институт Ачарья (АИТ), Бангалор

Мохамед Фазиль V создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Парминдер Сингх

Чандигархский университет (ТС), Пенджаб

Парминдер Сингх проверил этот калькулятор и еще 500+!

< 8 БТИЗ Калькуляторы

Номинальный непрерывный ток коллектора IGBT

Идти Прямой ток (IGBT) = (-Общее напряжение коллектора и эмиттера (IGBT)+sqrt((Общее напряжение коллектора и эмиттера (IGBT))^2+4*Сопротивление коллектора и эмиттера (IGBT)*((Максимальный рабочий переход (IGBT)-Температура корпуса IGBT)/Термическое сопротивление (IGBT))))/(2*Сопротивление коллектора и эмиттера (IGBT))

Падение напряжения в IGBT во включенном состоянии

Идти Падение напряжения на этапе включения (IGBT) = Прямой ток (IGBT)*Сопротивление N-канала (IGBT)+Прямой ток (IGBT)*Дрейфовое сопротивление (IGBT)+Напряжение Pn-перехода 1 (IGBT)

Напряжение насыщения IGBT

Идти Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (IGBT) = Напряжение базы-эмиттера PNP IGBT+Ток стока (IGBT)*(Сопротивление проводимости IGBT+Сопротивление N-канала (IGBT))

Время выключения IGBT

Идти Время выключения (IGBT) = Время задержки (IGBT)+Начальное время падения (IGBT)+Время последнего падения (IGBT)

Максимальная рассеиваемая мощность в IGBT

Идти Максимальная рассеиваемая мощность (IGBT) = Максимальный рабочий переход (IGBT)/Угол соединения с корпусом (IGBT)

Входная емкость IGBT

Идти Входная емкость (IGBT) = Емкость затвор-эмиттер (IGBT)+Емкость ворота-коллектора (IGBT)

Ток эмиттера IGBT

Идти Ток эмиттера (IGBT) = Ток дырки (IGBT)+Электронный ток (IGBT)

Напряжение пробоя прямосмещенного IGBT

Идти Напряжение пробоя SOA IGBT = (5.34*10^13)/((Чистый положительный заряд (IGBT))^(3/4))

Напряжение насыщения IGBT формула

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!