НОД двух чисел

Время насыщения Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Аналоговая электроника EDC Аналоговая связь Антенна и распространение волн Больше >>

⤿

МОП-транзистор БЮТ

⤿

МОП-транзистор Анализ малых сигналов Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR)Больше >>

✖Емкость нагрузки — это общая емкость, подключенная к выходной клемме транзистора, включая внешние компоненты и собственную паразитную емкость МОП-транзистора.ⓘ Емкость нагрузки [C_load]			+10% -10%
✖Параметр процесса крутизны — это константа, специфичная для устройства, которая характеризует способность транзистора преобразовывать изменение напряжения на затворе в изменение выходного тока.ⓘ Параметр процесса крутизны [k_n]			+10% -10%
✖Высокое выходное напряжение — это максимальный уровень напряжения, который транзистор может достичь на своей выходной клемме при полном включении (работающем в режиме насыщения).ⓘ Высокое выходное напряжение [V_OH]			+10% -10%
✖Пороговое напряжение — это минимальное напряжение затвор-исток, необходимое для полевого МОП-транзистора, чтобы включить его и обеспечить протекание значительного тока.ⓘ Пороговое напряжение [V_T]			+10% -10%

✖Время насыщения — это время, необходимое выходному напряжению МОП-транзистора для достижения заданного уровня (В).ⓘ Время насыщения [T_sat]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF PDF Image

Время насыщения Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Время насыщения = -2*Емкость нагрузки/(Параметр процесса крутизны*(Высокое выходное напряжение-Пороговое напряжение)^2)*int(1,x,Высокое выходное напряжение,Высокое выходное напряжение-Пороговое напряжение)
T_sat = -2*C_load/(k_n*(V_OH-V_T)^2)*int(1,x,V_OH,V_OH-V_T)
В этой формуле используются 1 Функции, 5 Переменные

Используемые функции

int - Определенный интеграл можно использовать для вычисления чистой знаковой площади, которая представляет собой площадь над осью x за вычетом площади под осью x., int(expr, arg, from, to)

Используемые переменные

Время насыщения - (Измеряется в Второй) - Время насыщения — это время, необходимое выходному напряжению МОП-транзистора для достижения заданного уровня (В).
Емкость нагрузки - (Измеряется в фарада) - Емкость нагрузки — это общая емкость, подключенная к выходной клемме транзистора, включая внешние компоненты и собственную паразитную емкость МОП-транзистора.
Параметр процесса крутизны - (Измеряется в Ампер на квадратный вольт) - Параметр процесса крутизны — это константа, специфичная для устройства, которая характеризует способность транзистора преобразовывать изменение напряжения на затворе в изменение выходного тока.
Высокое выходное напряжение - (Измеряется в вольт) - Высокое выходное напряжение — это максимальный уровень напряжения, который транзистор может достичь на своей выходной клемме при полном включении (работающем в режиме насыщения).
Пороговое напряжение - (Измеряется в вольт) - Пороговое напряжение — это минимальное напряжение затвор-исток, необходимое для полевого МОП-транзистора, чтобы включить его и обеспечить протекание значительного тока.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Емкость нагрузки: 9.77 фарада --> 9.77 фарада Конверсия не требуется
Параметр процесса крутизны: 4.553 Ампер на квадратный вольт --> 4.553 Ампер на квадратный вольт Конверсия не требуется
Высокое выходное напряжение: 3.789 вольт --> 3.789 вольт Конверсия не требуется
Пороговое напряжение: 5.91 вольт --> 5.91 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

T_sat = -2*C_load/(k_n*(V_OH-V_T)^2)*int(1,x,V_OH,V_OH-V_T) --> -2*9.77/(4.553*(3.789-5.91)^2)*int(1,x,3.789,3.789-5.91)

Оценка ... ...

T_sat = 5.63810361511811

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

5.63810361511811 Второй --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

5.63810361511811 ≈ 5.638104 Второй <-- Время насыщения

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » МОП-транзистор » Время насыщения

Кредиты

Сделано Винеш Найду

Технологический институт Веллора (ВИТ), Веллор, Тамил Наду

Винеш Найду создал этот калькулятор и еще 10+!

Проверено Дипанхона Маллик

Технологический институт наследия (ХИТК), Калькутта

Дипанхона Маллик проверил этот калькулятор и еще 50+!

< МОП-транзистор Калькуляторы

Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке

LaTeX Идти Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке = -(2*sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок)/(Конечное напряжение-Начальное напряжение)*(sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок-Конечное напряжение)-sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок-Начальное напряжение)))

Потенциал Ферми для типа P

LaTeX Идти Потенциал Ферми для типа P = ([BoltZ]*Абсолютная температура)/[Charge-e]*ln(Собственная концентрация носителей/Легирующая концентрация акцептора)

Эквивалентная большая емкость сигнального перехода

LaTeX Идти Эквивалентная большая емкость сигнального перехода = Периметр боковой стенки*Емкость бокового перехода*Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке

Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины

LaTeX Идти Емкость бокового перехода = Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением*Глубина боковины

Узнать больше >>