Ток насыщения с использованием концентрации легирующей примеси Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Ток насыщения = (Площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер*[Charge-e]*Электронная диффузия*(Концентрация внутреннего носителя)^2)/(Ширина базового соединения*Легирующая концентрация основания)
Isat = (AE*[Charge-e]*Dn*(ni1)^2)/(Wbase*NB)
В этой формуле используются 1 Константы, 6 Переменные
Используемые константы
[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19
Используемые переменные
Ток насыщения - (Измеряется в Ампер) - Ток насыщения — это плотность тока утечки диода в отсутствие света. Это важный параметр, который отличает один диод от другого.
Площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер - (Измеряется в Квадратный метр) - Площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер равна ширине в направлении, перпендикулярном странице.
Электронная диффузия - (Измеряется в Квадратный метр в секунду) - Электронная диффузия — это диффузионный ток — это ток в полупроводнике, вызванный диффузией носителей заряда (дырок и/или электронов).
Концентрация внутреннего носителя - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация внутренних носителей — это количество электронов в зоне проводимости или количество дырок в валентной зоне собственного материала.
Ширина базового соединения - (Измеряется в Метр) - Ширина базового перехода — это параметр, указывающий ширину базового перехода любого элемента аналоговой электроники.
Легирующая концентрация основания - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация легирования основания представляет собой количество примесей, добавленных к основанию.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер: 8 Площадь Сантиметр --> 0.0008 Квадратный метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Электронная диффузия: 0.8 Квадратный сантиметр в секунду --> 8E-05 Квадратный метр в секунду (Проверьте преобразование ​здесь)
Концентрация внутреннего носителя: 100000 1 на кубический метр --> 100000 1 на кубический метр Конверсия не требуется
Ширина базового соединения: 0.002 Метр --> 0.002 Метр Конверсия не требуется
Легирующая концентрация основания: 19 1 на кубический метр --> 19 1 на кубический метр Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Isat = (AE*[Charge-e]*Dn*(ni1)^2)/(Wbase*NB) --> (0.0008*[Charge-e]*8E-05*(100000)^2)/(0.002*19)
Оценка ... ...
Isat = 2.69840272842105E-15
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
2.69840272842105E-15 Ампер -->2.69840272842105E-12 Миллиампер (Проверьте преобразование ​здесь)
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
2.69840272842105E-12 2.7E-12 Миллиампер <-- Ток насыщения
(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Паял Прия
Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри
Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!
Verifier Image
Проверено Урви Ратод
Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад
Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

Базовый ток Калькуляторы

Базовый ток с использованием тока насыщения в постоянном токе
​ LaTeX ​ Идти Базовый ток = (Ток насыщения/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером)*e^(Напряжение база-коллектор/Тепловое напряжение)+Давление пара насыщения*e^(Напряжение база-коллектор/Тепловое напряжение)
Ток стока с заданным параметром устройства
​ LaTeX ​ Идти Ток стока = 1/2*крутизна*Соотношение сторон*(Эффективное напряжение-Пороговое напряжение)^2*(1+Параметр устройства*Напряжение между стоком и истоком)
Базовый ток 2 BJT
​ LaTeX ​ Идти Базовый ток = (Ток насыщения/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером)*(e^(Напряжение база-эмиттер/Тепловое напряжение))
Базовый ток 1 BJT
​ LaTeX ​ Идти Базовый ток = Коллекторный ток/Коэффициент усиления по току с общим эмиттером

Ток насыщения с использованием концентрации легирующей примеси формула

​LaTeX ​Идти
Ток насыщения = (Площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер*[Charge-e]*Электронная диффузия*(Концентрация внутреннего носителя)^2)/(Ширина базового соединения*Легирующая концентрация основания)
Isat = (AE*[Charge-e]*Dn*(ni1)^2)/(Wbase*NB)

Что такое ток насыщения в транзисторе?

Транзистор будет смещен так, что будет приложена максимальная величина базового тока, что приведет к максимальному току коллектора, что приведет к минимальному падению напряжения коллектор-эмиттер, в результате чего слой обеднения будет как можно меньшим, а максимальный ток, протекающий через транзистор. Поэтому транзистор переключается в положение «Полностью ВКЛ». Тогда мы можем определить «область насыщения» или «режим ВКЛ» при использовании биполярного транзистора в качестве переключателя как когда оба перехода смещены в прямом направлении, VB> 0,7 В и IC = Максимум. Для транзистора PNP потенциал эмиттера должен быть положительным по отношению к базе.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!