✖Площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер равна ширине в направлении, перпендикулярном странице.ⓘ Площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер [AE] | | | +10% -10% |
✖Электронная диффузия — это диффузионный ток — это ток в полупроводнике, вызванный диффузией носителей заряда (дырок и/или электронов).ⓘ Электронная диффузия [Dn] | | | +10% -10% |
✖Концентрация внутренних носителей — это количество электронов в зоне проводимости или количество дырок в валентной зоне собственного материала.ⓘ Концентрация внутреннего носителя [ni1] | | | +10% -10% |
✖Ширина базового перехода — это параметр, указывающий ширину базового перехода любого элемента аналоговой электроники.ⓘ Ширина базового соединения [Wbase] | | | +10% -10% |
✖Концентрация легирования основания представляет собой количество примесей, добавленных к основанию.ⓘ Легирующая концентрация основания [NB] | | | +10% -10% |