Ток насыщения Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Ток насыщения = (Базовая область излучателя*[Charge-e]*Электронная диффузия*Тепловая равновесная концентрация)/Ширина базового соединения
isat = (Abe*[Charge-e]*Dn*npo)/wb
В этой формуле используются 1 Константы, 5 Переменные
Используемые константы
[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19
Используемые переменные
Ток насыщения - (Измеряется в Ампер) - Ток насыщения — это плотность тока утечки диода в отсутствие света. Это важный параметр, который отличает один диод от другого.
Базовая область излучателя - (Измеряется в Квадратный метр) - Площадь базового эмиттера определяется как площадь поперечного сечения перехода база-эмиттер в усилителе.
Электронная диффузия - (Измеряется в Квадратный метр в секунду) - Диффузия электронов — это диффузионный ток — ток в полупроводнике, вызванный диффузией носителей заряда (дырок и/или электронов).
Тепловая равновесная концентрация - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Тепловая равновесная концентрация определяется как концентрация носителей в усилителе.
Ширина базового соединения - (Измеряется в Метр) - Ширина базового перехода — это параметр, который показывает ширину базового перехода любого элемента аналоговой электроники.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Базовая область излучателя: 0.12 Площадь Сантиметр --> 1.2E-05 Квадратный метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Электронная диффузия: 0.8 Квадратный сантиметр в секунду --> 8E-05 Квадратный метр в секунду (Проверьте преобразование ​здесь)
Тепловая равновесная концентрация: 1E+15 1 на кубический сантиметр --> 1E+21 1 на кубический метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Ширина базового соединения: 0.0085 сантиметр --> 8.5E-05 Метр (Проверьте преобразование ​здесь)
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
isat = (Abe*[Charge-e]*Dn*npo)/wb --> (1.2E-05*[Charge-e]*8E-05*1E+21)/8.5E-05
Оценка ... ...
isat = 0.00180951712376471
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
0.00180951712376471 Ампер -->1.80951712376471 Миллиампер (Проверьте преобразование ​здесь)
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
1.80951712376471 1.809517 Миллиампер <-- Ток насыщения
(Расчет завершен через 00.051 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Паял Прия
Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри
Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!
Verifier Image
Проверено Урви Ратод
Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад
Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

Характеристики усилителя Калькуляторы

Ширина базового соединения усилителя
​ LaTeX ​ Идти Ширина базового соединения = (Базовая область излучателя*[Charge-e]*Электронная диффузия*Тепловая равновесная концентрация)/Ток насыщения
Дифференциальное напряжение в усилителе
​ LaTeX ​ Идти Дифференциальный входной сигнал = Выходное напряжение/((Сопротивление 4/Сопротивление 3)*(1+(Сопротивление 2)/Сопротивление 1))
Коэффициент усиления мощности усилителя
​ LaTeX ​ Идти Прирост мощности = Мощность нагрузки/Входная мощность
Текущее усиление усилителя
​ LaTeX ​ Идти Текущее усиление = Выходной ток/Входной ток

Ток насыщения формула

​LaTeX ​Идти
Ток насыщения = (Базовая область излучателя*[Charge-e]*Электронная диффузия*Тепловая равновесная концентрация)/Ширина базового соединения
isat = (Abe*[Charge-e]*Dn*npo)/wb

Почему мы рассчитываем ток насыщения в транзисторе?

Расчет тока насыщения транзисторов имеет решающее значение для понимания их поведения и производительности. Ток насыщения — это ток, при котором выходное напряжение транзистора больше не зависит от входного тока. Он представляет собой максимальный ток, который может выдержать транзистор без значительного искажения его выходного сигнала.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!