Ток насыщения в транзисторе Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Ток насыщения = (Заряжать*Зона базового соединения эмиттера*Эффективное распространение*Внутренняя концентрация^2)/Общая примесь
Isat = (q*A*Dn*ni^2)/Qb
В этой формуле используются 6 Переменные
Используемые переменные
Ток насыщения - (Измеряется в Ампер) - Ток насыщения — это максимальный ток, который может протекать через транзистор, когда он полностью открыт.
Заряжать - (Измеряется в Кулон) - Заряд — характеристика единицы вещества, которая выражает степень, в которой у нее больше или меньше электронов, чем у протонов.
Зона базового соединения эмиттера - (Измеряется в Квадратный метр) - Область эмиттерного базового перехода представляет собой PN-переход, образованный между сильно легированным материалом P-типа (эмиттер) и слаболегированным материалом N-типа (база) транзистора.
Эффективное распространение - Эффективная диффузия — это параметр, связанный с процессом диффузии носителей, на который влияют свойства материала и геометрия полупроводникового перехода.
Внутренняя концентрация - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Собственная концентрация — это количество электронов в зоне проводимости или количество дырок в валентной зоне собственного материала.
Общая примесь - (Измеряется в Квадратный метр) - Общая примесь определяет примеси, которые смешиваются по атому на единицу площади в основе, или количество примеси, добавленной к собственному полупроводнику, изменяет его уровень проводимости.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Заряжать: 5 Милликулон --> 0.005 Кулон (Проверьте преобразование ​здесь)
Зона базового соединения эмиттера: 1.75 Площадь Сантиметр --> 0.000175 Квадратный метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Эффективное распространение: 0.5 --> Конверсия не требуется
Внутренняя концентрация: 1.32 1 на кубический сантиметр --> 1320000 1 на кубический метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Общая примесь: 3600000000 Площадь Сантиметр --> 360000 Квадратный метр (Проверьте преобразование ​здесь)
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Isat = (q*A*Dn*ni^2)/Qb --> (0.005*0.000175*0.5*1320000^2)/360000
Оценка ... ...
Isat = 2.1175
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
2.1175 Ампер --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
2.1175 Ампер <-- Ток насыщения
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Рахул Гупта
Чандигархский университет (КУ), Мохали, Пенджаб
Рахул Гупта создал этот калькулятор и еще 25+!
Verifier Image
Проверено Ритвик Трипати
Веллорский технологический институт (ВИТ Веллор), Веллор
Ритвик Трипати проверил этот калькулятор и еще 100+!

Изготовление биполярных ИС Калькуляторы

Проводимость N-типа
​ LaTeX ​ Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Равновесная концентрация N-типа+Подвижность кремния, легированного дырками*(Внутренняя концентрация^2/Равновесная концентрация N-типа))
Омическая проводимость примесей
​ LaTeX ​ Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Электронная концентрация+Подвижность кремния, легированного дырками*Концентрация дырок)
Примеси с собственной концентрацией
​ LaTeX ​ Идти Внутренняя концентрация = sqrt((Электронная концентрация*Концентрация дырок)/Температурная примесь)
Напряжение пробоя коллектора-эмиттера
​ LaTeX ​ Идти Напряжение пробоя коллектор-эмиттер = Напряжение пробоя базы коллектора/(Текущий прирост BJT)^(1/Корневой номер)

Ток насыщения в транзисторе формула

​LaTeX ​Идти
Ток насыщения = (Заряжать*Зона базового соединения эмиттера*Эффективное распространение*Внутренняя концентрация^2)/Общая примесь
Isat = (q*A*Dn*ni^2)/Qb
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!