НОД двух чисел

Плотность тока насыщения Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Оптоэлектронные устройства EDC Аналоговая связь Аналоговая электроника Больше >>

⤿

Фотонные устройства Лазеры Устройства с оптическими компонентами

✖Коэффициент диффузии дырки является мерой легкости движения дырки через кристаллическую решетку. Это связано с подвижностью носителя, в данном случае дырки.ⓘ Коэффициент диффузии отверстия [D_h]			+10% -10%
✖Диффузионная длина дырки — это характерное расстояние, которое проходят дырки перед рекомбинацией в процессе диффузии.ⓘ Диффузионная длина отверстия [L_h]			+10% -10%
✖Концентрация дырок в n-области — это количество дырок на единицу объема в легированной области n-типа pn-перехода.ⓘ Концентрация дырок в n-области [p_n]			+10% -10%
✖Коэффициент диффузии электронов является мерой легкости движения электронов через кристаллическую решетку. Это связано с подвижностью носителя, в данном случае электрона.ⓘ Коэффициент диффузии электронов [D_E]			+10% -10%
✖Диффузионная длина электрона — это характерное расстояние, которое проходят электроны перед рекомбинацией в процессе диффузии.ⓘ Диффузионная длина электрона [L_e]			+10% -10%
✖Концентрация электронов в p-области — это количество электронов на единицу объема в легированной области p-типа pn-перехода.ⓘ Концентрация электронов в p-области [n_p]			+10% -10%

✖Плотность тока насыщения — это ток, протекающий на единицу площади pn-перехода, когда к переходу приложено обратное смещение в несколько вольт.ⓘ Плотность тока насыщения [J₀]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Плотность тока насыщения

Формула

J 0 = [Charge-e] \cdot (\frac{D h}{L h} \cdot p n + \frac{D E}{L e} \cdot n p)

Пример

1.6E-7 A/m² = [Charge-e] \cdot (\frac{1.2e-3 m²/s}{0.35 mm} \cdot 2.56e+11 /m³ + \frac{0.003387 m²/s}{0.71 mm} \cdot 2.55e+10 /m³)

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Фотонные устройства Формулы PDF PDF Image

Плотность тока насыщения Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Плотность тока насыщения = [Charge-e]*((Коэффициент диффузии отверстия)/Диффузионная длина отверстия*Концентрация дырок в n-области+(Коэффициент диффузии электронов)/Диффузионная длина электрона*Концентрация электронов в p-области)
J₀ = [Charge-e]*((D_h)/L_h*p_n+(D_E)/L_e*n_p)
В этой формуле используются 1 Константы, 7 Переменные

Используемые константы

[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19

Используемые переменные

Плотность тока насыщения - (Измеряется в Ампер на квадратный метр) - Плотность тока насыщения — это ток, протекающий на единицу площади pn-перехода, когда к переходу приложено обратное смещение в несколько вольт.
Коэффициент диффузии отверстия - (Измеряется в Квадратный метр в секунду) - Коэффициент диффузии дырки является мерой легкости движения дырки через кристаллическую решетку. Это связано с подвижностью носителя, в данном случае дырки.
Диффузионная длина отверстия - (Измеряется в Метр) - Диффузионная длина дырки — это характерное расстояние, которое проходят дырки перед рекомбинацией в процессе диффузии.
Концентрация дырок в n-области - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация дырок в n-области — это количество дырок на единицу объема в легированной области n-типа pn-перехода.
Коэффициент диффузии электронов - (Измеряется в Квадратный метр в секунду) - Коэффициент диффузии электронов является мерой легкости движения электронов через кристаллическую решетку. Это связано с подвижностью носителя, в данном случае электрона.
Диффузионная длина электрона - (Измеряется в Метр) - Диффузионная длина электрона — это характерное расстояние, которое проходят электроны перед рекомбинацией в процессе диффузии.
Концентрация электронов в p-области - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация электронов в p-области — это количество электронов на единицу объема в легированной области p-типа pn-перехода.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Коэффициент диффузии отверстия: 0.0012 Квадратный метр в секунду --> 0.0012 Квадратный метр в секунду Конверсия не требуется
Диффузионная длина отверстия: 0.35 Миллиметр --> 0.00035 Метр (Проверьте преобразование здесь)
Концентрация дырок в n-области: 256000000000 1 на кубический метр --> 256000000000 1 на кубический метр Конверсия не требуется
Коэффициент диффузии электронов: 0.003387 Квадратный метр в секунду --> 0.003387 Квадратный метр в секунду Конверсия не требуется
Диффузионная длина электрона: 0.71 Миллиметр --> 0.00071 Метр (Проверьте преобразование здесь)
Концентрация электронов в p-области: 25500000000 1 на кубический метр --> 25500000000 1 на кубический метр Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

J₀ = [Charge-e]*((D_h)/L_h*p_n+(D_E)/L_e*n_p) --> [Charge-e]*((0.0012)/0.00035*256000000000+(0.003387)/0.00071*25500000000)

Оценка ... ...

J₀ = 1.60115132367406E-07

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

1.60115132367406E-07 Ампер на квадратный метр --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

1.60115132367406E-07 ≈ 1.6E-7 Ампер на квадратный метр <-- Плотность тока насыщения

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -