калькулятор НОД

Плотность заряда области истощения Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Аналоговая электроника EDC Аналоговая связь Антенна и распространение волн Больше >>

⤿

МОП-транзистор БЮТ

⤿

МОП-транзистор Анализ малых сигналов Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR)Больше >>

✖Легирующая концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцептора, намеренно добавленных в полупроводниковый материал.ⓘ Легирующая концентрация акцептора [N_A]			+10% -10%
✖Поверхностный потенциал — это электрический потенциал на поверхности полупроводника, особенно на границе между полупроводником и изолятором.ⓘ Поверхностный потенциал [Φ_s]			+10% -10%
✖Объемный потенциал Ферми — это параметр, который описывает электростатический потенциал в объеме (внутри) полупроводникового материала.ⓘ Объемный потенциал Ферми [Φ_f]			+10% -10%

✖Плотность заряда слоя истощения — это количество этих фиксированных зарядов на единицу площади в пределах региона истощения.ⓘ Плотность заряда области истощения [Q_d]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF PDF Image

Плотность заряда области истощения Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Плотность заряда слоя истощения = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Легирующая концентрация акцептора*modulus(Поверхностный потенциал-Объемный потенциал Ферми)))
Q_d = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N_A*modulus(Φ_s-Φ_f)))
В этой формуле используются 2 Константы, 2 Функции, 4 Переменные

Используемые константы

[Permitivity-silicon] - Диэлектрическая проницаемость кремния Значение, принятое как 11.7
[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19

Используемые функции

sqrt - Функция квадратного корня — это функция, которая принимает в качестве входных данных неотрицательное число и возвращает квадратный корень заданного входного числа., sqrt(Number)
modulus - Модуль числа — это остаток от деления этого числа на другое число., modulus

Используемые переменные

Плотность заряда слоя истощения - (Измеряется в Электронов на кубический метр) - Плотность заряда слоя истощения — это количество этих фиксированных зарядов на единицу площади в пределах региона истощения.
Легирующая концентрация акцептора - (Измеряется в Электронов на кубический метр) - Легирующая концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцептора, намеренно добавленных в полупроводниковый материал.
Поверхностный потенциал - (Измеряется в вольт) - Поверхностный потенциал — это электрический потенциал на поверхности полупроводника, особенно на границе между полупроводником и изолятором.
Объемный потенциал Ферми - (Измеряется в вольт) - Объемный потенциал Ферми — это параметр, который описывает электростатический потенциал в объеме (внутри) полупроводникового материала.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Легирующая концентрация акцептора: 1.32 Электронов на кубический сантиметр --> 1320000 Электронов на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)
Поверхностный потенциал: 0.78 вольт --> 0.78 вольт Конверсия не требуется
Объемный потенциал Ферми: 0.25 вольт --> 0.25 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

Q_d = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N_A*modulus(Φ_s-Φ_f))) --> (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*1320000*modulus(0.78-0.25)))

Оценка ... ...

Q_d = 1.61952637096272E-06

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

1.61952637096272E-06 Электронов на кубический метр --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

1.61952637096272E-06 ≈ 1.6E-6 Электронов на кубический метр <-- Плотность заряда слоя истощения

(Расчет завершен через 00.035 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » МОП-транзистор » Плотность заряда области истощения

Кредиты

Сделано банупракаш

Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор

банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Дипанхона Маллик

Технологический институт наследия (ХИТК), Калькутта

Дипанхона Маллик проверил этот калькулятор и еще 50+!

< МОП-транзистор Калькуляторы

Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке

LaTeX Идти Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке = -(2*sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок)/(Конечное напряжение-Начальное напряжение)*(sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок-Конечное напряжение)-sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок-Начальное напряжение)))

Потенциал Ферми для типа P

LaTeX Идти Потенциал Ферми для типа P = ([BoltZ]*Абсолютная температура)/[Charge-e]*ln(Собственная концентрация носителей/Легирующая концентрация акцептора)

Эквивалентная большая емкость сигнального перехода

LaTeX Идти Эквивалентная большая емкость сигнального перехода = Периметр боковой стенки*Емкость бокового перехода*Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке

Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины

LaTeX Идти Емкость бокового перехода = Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением*Глубина боковины

Узнать больше >>