Калькулятор от А до Я
🔍
Скачать PDF
Химия
Инженерное дело
финансовый
Здоровье
математика
физика
Процентная ошибка
Вычесть дробь
НОК трех чисел
Глубина истощения региона, связанного с дренажом Калькулятор
Инженерное дело
Детская площадка
Здоровье
математика
Больше >>
↳
Электроника
Гражданская
Материаловедение
Механический
Больше >>
⤿
Аналоговая электроника
EDC
Аналоговая связь
Антенна и распространение волн
Больше >>
⤿
МОП-транзистор
БЮТ
⤿
МОП-транзистор
Анализ малых сигналов
Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель
Коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR)
Больше >>
✖
Встроенный потенциал перехода — это разность потенциалов или напряжение, которое существует на полупроводниковом переходе, когда он не подключен к внешнему источнику напряжения.
ⓘ
Встроенный потенциал соединения [Φ
o
]
киловольт
Мегавольт
микровольт
милливольт
Нановольт
Планка напряжения
вольт
+10%
-10%
✖
Напряжение источника стока — это напряжение, приложенное между клеммами стока и истока.
ⓘ
Напряжение источника стока [V
DS
]
киловольт
Мегавольт
микровольт
милливольт
Нановольт
Планка напряжения
вольт
+10%
-10%
✖
Легирующая концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцептора, намеренно добавленных в полупроводниковый материал.
ⓘ
Легирующая концентрация акцептора [N
A
]
Электронов на кубический сантиметр
Электронов на кубический метр
+10%
-10%
✖
Область истощения стока — это область истощения, которая образуется рядом с клеммой стока, когда напряжение подается на клемму затвора.
ⓘ
Глубина истощения региона, связанного с дренажом [x
dD
]
Ангстрем
астрономическая единица
сантиметр
Дециметр
Экваториальный радиус Земли
Ферми
Фут
дюйм
километр
Световой год
Метр
микродюйм
микрометр
микрон
мили
Миллиметр
нанометр
пикометра
Двор
⎘ копия
Шаги
👎
Формула
✖
Глубина истощения региона, связанного с дренажом
Формула
x
dD
=
2
⋅
[Permitivity-silicon]
⋅
(
Φ
o
+
V
DS
)
[Charge-e]
⋅
N
A
Пример
7.2E+7 m
=
2
⋅
[Permitivity-silicon]
⋅
(
2 V
+
45 V
)
[Charge-e]
⋅
1.32 electrons/cm³
Калькулятор
LaTeX
сбросить
👍
Скачать МОП-транзистор формула PDF
Глубина истощения региона, связанного с дренажом Решение
ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Область истощения стока
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Встроенный потенциал соединения
+
Напряжение источника стока
))/(
[Charge-e]
*
Легирующая концентрация акцептора
))
x
dD
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Φ
o
+
V
DS
))/(
[Charge-e]
*
N
A
))
В этой формуле используются
2
Константы
,
1
Функции
,
4
Переменные
Используемые константы
[Permitivity-silicon]
- Диэлектрическая проницаемость кремния Значение, принятое как 11.7
[Charge-e]
- Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19
Используемые функции
sqrt
- Функция извлечения квадратного корня — это функция, которая принимает на вход неотрицательное число и возвращает квадратный корень из заданного входного числа., sqrt(Number)
Используемые переменные
Область истощения стока
-
(Измеряется в Метр)
- Область истощения стока — это область истощения, которая образуется рядом с клеммой стока, когда напряжение подается на клемму затвора.
Встроенный потенциал соединения
-
(Измеряется в вольт)
- Встроенный потенциал перехода — это разность потенциалов или напряжение, которое существует на полупроводниковом переходе, когда он не подключен к внешнему источнику напряжения.
Напряжение источника стока
-
(Измеряется в вольт)
- Напряжение источника стока — это напряжение, приложенное между клеммами стока и истока.
Легирующая концентрация акцептора
-
(Измеряется в Электронов на кубический метр)
- Легирующая концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцептора, намеренно добавленных в полупроводниковый материал.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Встроенный потенциал соединения:
2 вольт --> 2 вольт Конверсия не требуется
Напряжение источника стока:
45 вольт --> 45 вольт Конверсия не требуется
Легирующая концентрация акцептора:
1.32 Электронов на кубический сантиметр --> 1320000 Электронов на кубический метр
(Проверьте преобразование
здесь
)
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
x
dD
= sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Φ
o
+V
DS
))/([Charge-e]*N
A
)) -->
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(2+45))/(
[Charge-e]
*1320000))
Оценка ... ...
x
dD
= 72113188.282716
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
72113188.282716 Метр --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
72113188.282716
≈
7.2E+7 Метр
<--
Область истощения стока
(Расчет завершен через 00.004 секунд)
Вы здесь
-
Дом
»
Инженерное дело
»
Электроника
»
МОП-транзистор
»
Аналоговая электроника
»
МОП-транзистор
»
Глубина истощения региона, связанного с дренажом
Кредиты
Сделано
банупракаш
Инженерный колледж Даянанда Сагар
(ДСКЭ)
,
Бангалор
банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!
Проверено
Дипанхона Маллик
Технологический институт наследия
(ХИТК)
,
Калькутта
Дипанхона Маллик проверил этот калькулятор и еще 50+!
<
МОП-транзистор Калькуляторы
Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке
Идти
Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке
= -(2*
sqrt
(
Заложенный потенциал соединений боковых стенок
)/(
Конечное напряжение
-
Начальное напряжение
)*(
sqrt
(
Заложенный потенциал соединений боковых стенок
-
Конечное напряжение
)-
sqrt
(
Заложенный потенциал соединений боковых стенок
-
Начальное напряжение
)))
Потенциал Ферми для типа P
Идти
Потенциал Ферми для типа P
= (
[BoltZ]
*
Абсолютная температура
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Собственная концентрация носителей
/
Легирующая концентрация акцептора
)
Эквивалентная большая емкость сигнального перехода
Идти
Эквивалентная большая емкость сигнального перехода
=
Периметр боковой стенки
*
Емкость бокового перехода
*
Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке
Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины
Идти
Емкость бокового перехода
=
Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением
*
Глубина боковины
Узнать больше >>
Глубина истощения региона, связанного с дренажом формула
Область истощения стока
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Встроенный потенциал соединения
+
Напряжение источника стока
))/(
[Charge-e]
*
Легирующая концентрация акцептора
))
x
dD
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*(
Φ
o
+
V
DS
))/(
[Charge-e]
*
N
A
))
Дом
БЕСПЛАТНО PDF-файлы
🔍
Поиск
Категории
доля
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!