НОК трех чисел

Глубина истощения региона, связанного с дренажом Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Аналоговая электроника EDC Аналоговая связь Антенна и распространение волн Больше >>

⤿

МОП-транзистор БЮТ

⤿

МОП-транзистор Анализ малых сигналов Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR)Больше >>

✖Встроенный потенциал перехода — это разность потенциалов или напряжение, которое существует на полупроводниковом переходе, когда он не подключен к внешнему источнику напряжения.ⓘ Встроенный потенциал соединения [Φ_o]			+10% -10%
✖Напряжение источника стока — это напряжение, приложенное между клеммами стока и истока.ⓘ Напряжение источника стока [V_DS]			+10% -10%
✖Легирующая концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцептора, намеренно добавленных в полупроводниковый материал.ⓘ Легирующая концентрация акцептора [N_A]			+10% -10%

✖Область истощения стока — это область истощения, которая образуется рядом с клеммой стока, когда напряжение подается на клемму затвора.ⓘ Глубина истощения региона, связанного с дренажом [x_dD]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Глубина истощения региона, связанного с дренажом

Формула

x dD = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot (Φ o + V DS)}{[Charge-e] \cdot N A}}

Пример

7.2E+7 m = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot (2 V + 45 V)}{[Charge-e] \cdot 1.32 electrons/cm³}}

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF PDF Image

Глубина истощения региона, связанного с дренажом Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Область истощения стока = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Встроенный потенциал соединения+Напряжение источника стока))/([Charge-e]*Легирующая концентрация акцептора))
x_dD = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Φ_o+V_DS))/([Charge-e]*N_A))
В этой формуле используются 2 Константы, 1 Функции, 4 Переменные

Используемые константы

[Permitivity-silicon] - Диэлектрическая проницаемость кремния Значение, принятое как 11.7
[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19

Используемые функции

sqrt - Функция извлечения квадратного корня — это функция, которая принимает на вход неотрицательное число и возвращает квадратный корень из заданного входного числа., sqrt(Number)

Используемые переменные

Область истощения стока - (Измеряется в Метр) - Область истощения стока — это область истощения, которая образуется рядом с клеммой стока, когда напряжение подается на клемму затвора.
Встроенный потенциал соединения - (Измеряется в вольт) - Встроенный потенциал перехода — это разность потенциалов или напряжение, которое существует на полупроводниковом переходе, когда он не подключен к внешнему источнику напряжения.
Напряжение источника стока - (Измеряется в вольт) - Напряжение источника стока — это напряжение, приложенное между клеммами стока и истока.
Легирующая концентрация акцептора - (Измеряется в Электронов на кубический метр) - Легирующая концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцептора, намеренно добавленных в полупроводниковый материал.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Встроенный потенциал соединения: 2 вольт --> 2 вольт Конверсия не требуется
Напряжение источника стока: 45 вольт --> 45 вольт Конверсия не требуется
Легирующая концентрация акцептора: 1.32 Электронов на кубический сантиметр --> 1320000 Электронов на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

x_dD = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(Φ_o+V_DS))/([Charge-e]*N_A)) --> sqrt((2*[Permitivity-silicon]*(2+45))/([Charge-e]*1320000))

Оценка ... ...

x_dD = 72113188.282716

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

72113188.282716 Метр --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

72113188.282716 ≈ 7.2E+7 Метр <-- Область истощения стока

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » МОП-транзистор » Глубина истощения региона, связанного с дренажом

Кредиты

Сделано банупракаш

Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор

банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Дипанхона Маллик

Технологический институт наследия (ХИТК), Калькутта

Дипанхона Маллик проверил этот калькулятор и еще 50+!

< МОП-транзистор Калькуляторы

Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке

Идти Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке = -(2*sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок)/(Конечное напряжение-Начальное напряжение)*(sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок-Конечное напряжение)-sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок-Начальное напряжение)))

Потенциал Ферми для типа P

Идти Потенциал Ферми для типа P = ([BoltZ]*Абсолютная температура)/[Charge-e]*ln(Собственная концентрация носителей/Легирующая концентрация акцептора)

Эквивалентная большая емкость сигнального перехода

Идти Эквивалентная большая емкость сигнального перехода = Периметр боковой стенки*Емкость бокового перехода*Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке

Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины

Идти Емкость бокового перехода = Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением*Глубина боковины

Узнать больше >>

Глубина истощения региона, связанного с дренажом формула

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!