Плотность заряда области истощения Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Плотность заряда слоя истощения = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Легирующая концентрация акцептора*modulus(Поверхностный потенциал-Объемный потенциал Ферми)))
Qd = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*NA*modulus(Φs-Φf)))
В этой формуле используются 2 Константы, 2 Функции, 4 Переменные
Используемые константы
[Permitivity-silicon] - Диэлектрическая проницаемость кремния Значение, принятое как 11.7
[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19
Используемые функции
sqrt - Функция извлечения квадратного корня — это функция, которая принимает на вход неотрицательное число и возвращает квадратный корень из заданного входного числа., sqrt(Number)
modulus - Модуль числа — это остаток от деления этого числа на другое число., modulus
Используемые переменные
Плотность заряда слоя истощения - (Измеряется в Электронов на кубический метр) - Плотность заряда слоя истощения — это количество этих фиксированных зарядов на единицу площади в пределах региона истощения.
Легирующая концентрация акцептора - (Измеряется в Электронов на кубический метр) - Легирующая концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцептора, намеренно добавленных в полупроводниковый материал.
Поверхностный потенциал - (Измеряется в вольт) - Поверхностный потенциал — это электрический потенциал на поверхности полупроводника, особенно на границе между полупроводником и изолятором.
Объемный потенциал Ферми - (Измеряется в вольт) - Объемный потенциал Ферми — это параметр, который описывает электростатический потенциал в объеме (внутри) полупроводникового материала.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Легирующая концентрация акцептора: 1.32 Электронов на кубический сантиметр --> 1320000 Электронов на кубический метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Поверхностный потенциал: 0.78 вольт --> 0.78 вольт Конверсия не требуется
Объемный потенциал Ферми: 0.25 вольт --> 0.25 вольт Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Qd = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*NA*modulus(Φsf))) --> (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*1320000*modulus(0.78-0.25)))
Оценка ... ...
Qd = 1.61952637096272E-06
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
1.61952637096272E-06 Электронов на кубический метр --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
1.61952637096272E-06 1.6E-6 Электронов на кубический метр <-- Плотность заряда слоя истощения
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано банупракаш
Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор
банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!
Verifier Image
Проверено Дипанхона Маллик
Технологический институт наследия (ХИТК), Калькутта
Дипанхона Маллик проверил этот калькулятор и еще 50+!

МОП-транзистор Калькуляторы

Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке
​ Идти Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке = -(2*sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок)/(Конечное напряжение-Начальное напряжение)*(sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок-Конечное напряжение)-sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок-Начальное напряжение)))
Потенциал Ферми для типа P
​ Идти Потенциал Ферми для типа P = ([BoltZ]*Абсолютная температура)/[Charge-e]*ln(Собственная концентрация носителей/Легирующая концентрация акцептора)
Эквивалентная большая емкость сигнального перехода
​ Идти Эквивалентная большая емкость сигнального перехода = Периметр боковой стенки*Емкость бокового перехода*Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке
Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины
​ Идти Емкость бокового перехода = Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением*Глубина боковины

Плотность заряда области истощения формула

Плотность заряда слоя истощения = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*Легирующая концентрация акцептора*modulus(Поверхностный потенциал-Объемный потенциал Ферми)))
Qd = (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*NA*modulus(Φs-Φf)))
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!