Калькулятор от А до Я
🔍
Скачать PDF
Химия
Инженерное дело
финансовый
Здоровье
математика
физика
Обратный процент
простая дробь
калькулятор НОД
Плотность заряда области истощения Калькулятор
Инженерное дело
Детская площадка
Здоровье
математика
Больше >>
↳
Электроника
Гражданская
Материаловедение
Механический
Больше >>
⤿
Аналоговая электроника
EDC
Аналоговая связь
Антенна и распространение волн
Больше >>
⤿
МОП-транзистор
БЮТ
⤿
МОП-транзистор
Анализ малых сигналов
Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель
Коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR)
Больше >>
✖
Легирующая концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцептора, намеренно добавленных в полупроводниковый материал.
ⓘ
Легирующая концентрация акцептора [N
A
]
Электронов на кубический сантиметр
Электронов на кубический метр
+10%
-10%
✖
Поверхностный потенциал — это электрический потенциал на поверхности полупроводника, особенно на границе между полупроводником и изолятором.
ⓘ
Поверхностный потенциал [Φ
s
]
киловольт
Мегавольт
микровольт
милливольт
Нановольт
Планка напряжения
вольт
+10%
-10%
✖
Объемный потенциал Ферми — это параметр, который описывает электростатический потенциал в объеме (внутри) полупроводникового материала.
ⓘ
Объемный потенциал Ферми [Φ
f
]
киловольт
Мегавольт
микровольт
милливольт
Нановольт
Планка напряжения
вольт
+10%
-10%
✖
Плотность заряда слоя истощения — это количество этих фиксированных зарядов на единицу площади в пределах региона истощения.
ⓘ
Плотность заряда области истощения [Q
d
]
Электронов на кубический сантиметр
Электронов на кубический метр
⎘ копия
Шаги
👎
Формула
✖
Плотность заряда области истощения
Формула
Q
d
=
(
2
⋅
[Charge-e]
⋅
[Permitivity-silicon]
⋅
N
A
⋅
mod
u
̲
s
(
Φ
s
-
Φ
f
)
)
Пример
1.6E-6 electrons/m³
=
(
2
⋅
[Charge-e]
⋅
[Permitivity-silicon]
⋅
1.32 electrons/cm³
⋅
mod
u
̲
s
(
0.78 V
-
0.25 V
)
)
Калькулятор
LaTeX
сбросить
👍
Скачать МОП-транзистор формула PDF
Плотность заряда области истощения Решение
ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Плотность заряда слоя истощения
= (
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Легирующая концентрация акцептора
*
modulus
(
Поверхностный потенциал
-
Объемный потенциал Ферми
)))
Q
d
= (
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
N
A
*
modulus
(
Φ
s
-
Φ
f
)))
В этой формуле используются
2
Константы
,
2
Функции
,
4
Переменные
Используемые константы
[Permitivity-silicon]
- Диэлектрическая проницаемость кремния Значение, принятое как 11.7
[Charge-e]
- Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19
Используемые функции
sqrt
- Функция извлечения квадратного корня — это функция, которая принимает на вход неотрицательное число и возвращает квадратный корень из заданного входного числа., sqrt(Number)
modulus
- Модуль числа — это остаток от деления этого числа на другое число., modulus
Используемые переменные
Плотность заряда слоя истощения
-
(Измеряется в Электронов на кубический метр)
- Плотность заряда слоя истощения — это количество этих фиксированных зарядов на единицу площади в пределах региона истощения.
Легирующая концентрация акцептора
-
(Измеряется в Электронов на кубический метр)
- Легирующая концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцептора, намеренно добавленных в полупроводниковый материал.
Поверхностный потенциал
-
(Измеряется в вольт)
- Поверхностный потенциал — это электрический потенциал на поверхности полупроводника, особенно на границе между полупроводником и изолятором.
Объемный потенциал Ферми
-
(Измеряется в вольт)
- Объемный потенциал Ферми — это параметр, который описывает электростатический потенциал в объеме (внутри) полупроводникового материала.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Легирующая концентрация акцептора:
1.32 Электронов на кубический сантиметр --> 1320000 Электронов на кубический метр
(Проверьте преобразование
здесь
)
Поверхностный потенциал:
0.78 вольт --> 0.78 вольт Конверсия не требуется
Объемный потенциал Ферми:
0.25 вольт --> 0.25 вольт Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Q
d
= (sqrt(2*[Charge-e]*[Permitivity-silicon]*N
A
*modulus(Φ
s
-Φ
f
))) -->
(
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*1320000*
modulus
(0.78-0.25)))
Оценка ... ...
Q
d
= 1.61952637096272E-06
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
1.61952637096272E-06 Электронов на кубический метр --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
1.61952637096272E-06
≈
1.6E-6 Электронов на кубический метр
<--
Плотность заряда слоя истощения
(Расчет завершен через 00.004 секунд)
Вы здесь
-
Дом
»
Инженерное дело
»
Электроника
»
МОП-транзистор
»
Аналоговая электроника
»
МОП-транзистор
»
Плотность заряда области истощения
Кредиты
Сделано
банупракаш
Инженерный колледж Даянанда Сагар
(ДСКЭ)
,
Бангалор
банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!
Проверено
Дипанхона Маллик
Технологический институт наследия
(ХИТК)
,
Калькутта
Дипанхона Маллик проверил этот калькулятор и еще 50+!
<
МОП-транзистор Калькуляторы
Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке
Идти
Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке
= -(2*
sqrt
(
Заложенный потенциал соединений боковых стенок
)/(
Конечное напряжение
-
Начальное напряжение
)*(
sqrt
(
Заложенный потенциал соединений боковых стенок
-
Конечное напряжение
)-
sqrt
(
Заложенный потенциал соединений боковых стенок
-
Начальное напряжение
)))
Потенциал Ферми для типа P
Идти
Потенциал Ферми для типа P
= (
[BoltZ]
*
Абсолютная температура
)/
[Charge-e]
*
ln
(
Собственная концентрация носителей
/
Легирующая концентрация акцептора
)
Эквивалентная большая емкость сигнального перехода
Идти
Эквивалентная большая емкость сигнального перехода
=
Периметр боковой стенки
*
Емкость бокового перехода
*
Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке
Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины
Идти
Емкость бокового перехода
=
Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением
*
Глубина боковины
Узнать больше >>
Плотность заряда области истощения формула
Плотность заряда слоя истощения
= (
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
Легирующая концентрация акцептора
*
modulus
(
Поверхностный потенциал
-
Объемный потенциал Ферми
)))
Q
d
= (
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
N
A
*
modulus
(
Φ
s
-
Φ
f
)))
Дом
БЕСПЛАТНО PDF-файлы
🔍
Поиск
Категории
доля
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!