Уменьшите ток в области насыщения Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика физика финансовый Химия

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Технология производства Химическая инженерия Электрические Электроника и приборы

⤿

Аналоговая электроника EDC Аналоговая связь Антенна и распространение волн Беспроводная связь Волоконно-оптическая передача Встроенная система Изготовление СБИС Интегральные схемы (ИС)Конструкция оптического волокна Линия передачи и антенна Оптоэлектронные устройства Проектирование и применение КМОП Радиолокационная система РФ Микроэлектроника Сигнал и системы Силовая электроника Система контроля Системы коммутации телекоммуникаций Спутниковая связь Твердотельные устройства Телевизионная инженерия Теория информации и кодирование Теория СВЧ Теория электромагнитного поля Усилители Цифровая обработка изображений Цифровая связь

⤿

МОП-транзистор БЮТ

⤿

МОП-транзистор Анализ малых сигналов Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR)Коэффициент усиления или усиление крутизна Напряжение Предвзятость Сопротивление Текущий Улучшение N-канала Улучшение P-канала Характеристики МОП-транзистора

✖Число транзисторов параллельного драйвера означает количество транзисторов параллельного драйвера в схеме.ⓘ Количество транзисторов параллельного управления [n]			+10% -10%
✖Мобильность электронов в MOSFET описывает, насколько легко электроны могут перемещаться по каналу, напрямую влияя на поток тока при заданном напряжении.ⓘ Электронная подвижность [μ_n]			+10% -10%
✖Оксидная емкость относится к емкости, связанной с изолирующим оксидным слоем в структуре металл-оксид-полупроводник (МОП), например, в МОП-транзисторах.ⓘ Оксидная емкость [C_ox]			+10% -10%
✖Ширина канала представляет собой ширину проводящего канала внутри МОП-транзистора, напрямую влияющую на величину тока, который он может выдержать.ⓘ ширина канала [W]			+10% -10%
✖Длина канала в MOSFET — это расстояние между областями истока и стока, определяющее, насколько легко протекает ток и влияющее на производительность транзистора.ⓘ Длина канала [L]			+10% -10%
✖Напряжение источника затвора — это напряжение, приложенное между клеммами затвора и истока МОП-транзистора.ⓘ Напряжение источника затвора [V_GS]			+10% -10%
✖Пороговое напряжение — это минимальное напряжение затвор-исток, необходимое для полевого МОП-транзистора, чтобы включить его и обеспечить протекание значительного тока.ⓘ Пороговое напряжение [V_T]			+10% -10%

✖Ток понижения области насыщения — это ток через резистор, когда понижающий резистор используется с N-канальным МОП-транзистором в режиме насыщения.ⓘ Уменьшите ток в области насыщения [I_D(sat)]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Уменьшите ток в области насыщения

Формула

I D(sat) = \sum (x, 0, n, (μ n \cdot \frac{C ox}{2}) \cdot (\frac{W}{L}) \cdot {(V GS - V T)}^{2})

Пример

101550.1 A = \sum (x, 0, 11, (9.92 m²/V*s \cdot \frac{3.9 F}{2}) \cdot (\frac{2.678 m}{3.45 m}) \cdot {(29.65 V - 5.91 V)}^{2})

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF PDF Image

Уменьшите ток в области насыщения Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Область насыщения Понижающий ток = sum(x,0,Количество транзисторов параллельного управления,(Электронная подвижность*Оксидная емкость/2)*(ширина канала/Длина канала)*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение)^2)
I_D(sat) = sum(x,0,n,(μ_n*C_ox/2)*(W/L)*(V_GS-V_T)^2)
В этой формуле используются 1 Функции, 8 Переменные

Используемые функции

sum - Обозначение суммирования или сигма (∑) — это метод, используемый для краткого записи длинной суммы., sum(i, from, to, expr)

Используемые переменные

Область насыщения Понижающий ток - (Измеряется в Ампер) - Ток понижения области насыщения — это ток через резистор, когда понижающий резистор используется с N-канальным МОП-транзистором в режиме насыщения.
Количество транзисторов параллельного управления - Число транзисторов параллельного драйвера означает количество транзисторов параллельного драйвера в схеме.
Электронная подвижность - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Мобильность электронов в MOSFET описывает, насколько легко электроны могут перемещаться по каналу, напрямую влияя на поток тока при заданном напряжении.
Оксидная емкость - (Измеряется в фарада) - Оксидная емкость относится к емкости, связанной с изолирующим оксидным слоем в структуре металл-оксид-полупроводник (МОП), например, в МОП-транзисторах.
ширина канала - (Измеряется в Метр) - Ширина канала представляет собой ширину проводящего канала внутри МОП-транзистора, напрямую влияющую на величину тока, который он может выдержать.
Длина канала - (Измеряется в Метр) - Длина канала в MOSFET — это расстояние между областями истока и стока, определяющее, насколько легко протекает ток и влияющее на производительность транзистора.
Напряжение источника затвора - (Измеряется в вольт) - Напряжение источника затвора — это напряжение, приложенное между клеммами затвора и истока МОП-транзистора.
Пороговое напряжение - (Измеряется в вольт) - Пороговое напряжение — это минимальное напряжение затвор-исток, необходимое для полевого МОП-транзистора, чтобы включить его и обеспечить протекание значительного тока.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Количество транзисторов параллельного управления: 11 --> Конверсия не требуется
Электронная подвижность: 9.92 Квадратный метр на вольт в секунду --> 9.92 Квадратный метр на вольт в секунду Конверсия не требуется
Оксидная емкость: 3.9 фарада --> 3.9 фарада Конверсия не требуется
ширина канала: 2.678 Метр --> 2.678 Метр Конверсия не требуется
Длина канала: 3.45 Метр --> 3.45 Метр Конверсия не требуется
Напряжение источника затвора: 29.65 вольт --> 29.65 вольт Конверсия не требуется
Пороговое напряжение: 5.91 вольт --> 5.91 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

I_D(sat) = sum(x,0,n,(μ_n*C_ox/2)*(W/L)*(V_GS-V_T)^2) --> sum(x,0,11,(9.92*3.9/2)*(2.678/3.45)*(29.65-5.91)^2)

Оценка ... ...

I_D(sat) = 101550.118939559

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

101550.118939559 Ампер --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

101550.118939559 ≈ 101550.1 Ампер <-- Область насыщения Понижающий ток

(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » МОП-транзистор » Уменьшите ток в области насыщения

Кредиты

Сделано Винеш Найду

Технологический институт Веллора (ВИТ), Веллор, Тамил Наду

Винеш Найду создал этот калькулятор и еще 25+!

Проверено Дипанхона Маллик

Технологический институт наследия (ХИТК), Калькутта

Дипанхона Маллик проверил этот калькулятор и еще 50+!

< 5 МОП-транзистор Калькуляторы

Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке

Идти Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке = -(2*sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок)/(Конечное напряжение-Начальное напряжение)*(sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок-Конечное напряжение)-sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок-Начальное напряжение)))

Потенциал Ферми для N-типа

Идти Потенциал Ферми для N-типа = ([BoltZ]*Абсолютная температура)/[Charge-e]*ln(Концентрация донорской легирующей примеси/Собственная концентрация носителей)

Потенциал Ферми для типа P

Идти Потенциал Ферми для типа P = ([BoltZ]*Абсолютная температура)/[Charge-e]*ln(Собственная концентрация носителей/Легирующая концентрация акцептора)

Эквивалентная большая емкость сигнального перехода

Идти Эквивалентная большая емкость сигнального перехода = Периметр боковой стенки*Емкость бокового перехода*Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке

Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины

Идти Емкость бокового перехода = Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением*Глубина боковины

Уменьшите ток в области насыщения формула

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!