калькулятор НОД

Параметр крутизны процесса PMOS Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Аналоговая электроника EDC Аналоговая связь Антенна и распространение волн Больше >>

⤿

МОП-транзистор БЮТ

⤿

Улучшение P-канала Анализ малых сигналов Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR)Больше >>

✖Подвижность дырок в канале зависит от различных факторов, таких как кристаллическая структура полупроводникового материала, наличие примесей, температура,ⓘ Подвижность отверстий в канале [μ_p]			+10% -10%
✖Оксидная емкость является важным параметром, влияющим на производительность МОП-устройств, например, на быстродействие и энергопотребление интегральных схем.ⓘ Оксид Емкость [C_ox]			+10% -10%

✖Параметр крутизны процесса в PMOS (PTM) — это параметр, используемый при моделировании полупроводниковых устройств для характеристики производительности транзистора.ⓘ Параметр крутизны процесса PMOS [k'_p]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF PDF Image

Параметр крутизны процесса PMOS Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Параметр крутизны процесса в PMOS = Подвижность отверстий в канале*Оксид Емкость
k'_p = μ_p*C_ox
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

Параметр крутизны процесса в PMOS - (Измеряется в Сименс) - Параметр крутизны процесса в PMOS (PTM) — это параметр, используемый при моделировании полупроводниковых устройств для характеристики производительности транзистора.
Подвижность отверстий в канале - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Подвижность дырок в канале зависит от различных факторов, таких как кристаллическая структура полупроводникового материала, наличие примесей, температура,
Оксид Емкость - (Измеряется в фарада) - Оксидная емкость является важным параметром, влияющим на производительность МОП-устройств, например, на быстродействие и энергопотребление интегральных схем.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Подвижность отверстий в канале: 2.66 Квадратный метр на вольт в секунду --> 2.66 Квадратный метр на вольт в секунду Конверсия не требуется
Оксид Емкость: 0.0008 фарада --> 0.0008 фарада Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

k'_p = μ_p*C_ox --> 2.66*0.0008

Оценка ... ...

k'_p = 0.002128

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.002128 Сименс -->2.128 Миллисименс (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

2.128 Миллисименс <-- Параметр крутизны процесса в PMOS

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » Улучшение P-канала » Параметр крутизны процесса PMOS

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< Улучшение P-канала Калькуляторы

Ток стока в области триода PMOS-транзистора

LaTeX Идти Ток стока = Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*((Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение))*Напряжение между стоком и истоком-1/2*(Напряжение между стоком и истоком)^2)

Ток стока в области триода PMOS-транзистора с учетом Vsd

LaTeX Идти Ток стока = Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(modulus(Эффективное напряжение)-1/2*Напряжение между стоком и истоком)*Напряжение между стоком и истоком

Ток стока в области насыщения транзистора PMOS

LaTeX Идти Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение))^2

Ток стока в области насыщения PMOS-транзистора с учетом Vov

LaTeX Идти Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(Эффективное напряжение)^2

Узнать больше >>

Параметр крутизны процесса PMOS формула

LaTeX Идти

Параметр крутизны процесса в PMOS = Подвижность отверстий в канале*Оксид Емкость
k'_p = μ_p*C_ox

Для чего используется полевой МОП-транзистор?

Транзистор MOSFET (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) представляет собой полупроводниковое устройство, которое широко используется для коммутации и усиления электронных сигналов в электронных устройствах.

Какие бывают типы полевых МОП-транзисторов?

Есть два класса полевых МОП-транзисторов. Есть режим истощения и есть режим улучшения. Каждый класс доступен как n- или p-канал, что дает в общей сложности четыре типа полевых МОП-транзисторов. Режим истощения обозначается буквой N или P, а режим улучшения - буквой N или P.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!