калькулятор НОК

Плотность мощности после масштабирования напряжения VLSI Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Изготовление СБИС EDC Аналоговая связь Аналоговая электроника Больше >>

⤿

Оптимизация материалов СБИС Аналоговая СБИС

✖Плотность мощности МОП-транзистора определяется как мера выходной мощности на единицу площади. Он количественно определяет, сколько энергии распределяется в данном пространстве.ⓘ Плотность мощности MOSFET [P_D]			+10% -10%
✖Масштабный коэффициент определяется как соотношение, на которое размеры транзистора изменяются в процессе проектирования.ⓘ Коэффициент масштабирования [Sf]			+10% -10%

✖Плотность мощности после масштабирования напряжения определяется как мера выходной мощности на единицу площади. Он количественно определяет распределение мощности в заданном пространстве, когда MOSFET масштабируется методом масштабирования напряжения.ⓘ Плотность мощности после масштабирования напряжения VLSI [P_D']

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Электроника формула PDF PDF Image

Плотность мощности после масштабирования напряжения VLSI Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Плотность мощности после масштабирования напряжения = Плотность мощности MOSFET*(Коэффициент масштабирования)^3
P_D' = P_D*(Sf)^3
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

Плотность мощности после масштабирования напряжения - Плотность мощности после масштабирования напряжения определяется как мера выходной мощности на единицу площади. Он количественно определяет распределение мощности в заданном пространстве, когда MOSFET масштабируется методом масштабирования напряжения.
Плотность мощности MOSFET - Плотность мощности МОП-транзистора определяется как мера выходной мощности на единицу площади. Он количественно определяет, сколько энергии распределяется в данном пространстве.
Коэффициент масштабирования - Масштабный коэффициент определяется как соотношение, на которое размеры транзистора изменяются в процессе проектирования.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Плотность мощности MOSFET: 20 --> Конверсия не требуется
Коэффициент масштабирования: 1.5 --> Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

P_D' = P_D*(Sf)^3 --> 20*(1.5)^3

Оценка ... ...

P_D' = 67.5

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

67.5 --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

67.5 <-- Плотность мощности после масштабирования напряжения

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Изготовление СБИС » Оптимизация материалов СБИС » Плотность мощности после масштабирования напряжения VLSI

Кредиты

Сделано Приянка Патель

Инженерный колледж Лалбхай Далпатбхай (ЛДЦЭ), Ахмедабад

Приянка Патель создал этот калькулятор и еще 25+!

Проверено Сантош Ядав

Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор

Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

< Оптимизация материалов СБИС Калькуляторы

Коэффициент эффекта тела

LaTeX Идти Коэффициент эффекта тела = modulus((Пороговое напряжение-Пороговое напряжение DIBL)/(sqrt(Поверхностный потенциал+(Разница в потенциале исходного тела))-sqrt(Поверхностный потенциал)))

DIBL Коэффициент

LaTeX Идти Коэффициент DIBL = (Пороговое напряжение DIBL-Пороговое напряжение)/Сток в источник потенциала

Плата за канал

LaTeX Идти Плата за канал = Емкость затвора*(Ворота к напряжению канала-Пороговое напряжение)

Критическое напряжение

LaTeX Идти Критическое напряжение = Критическое электрическое поле*Электрическое поле по длине канала

Узнать больше >>

Плотность мощности после масштабирования напряжения VLSI формула

LaTeX Идти

Плотность мощности после масштабирования напряжения = Плотность мощности MOSFET*(Коэффициент масштабирования)^3
P_D' = P_D*(Sf)^3

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!