Плотность мощности после масштабирования напряжения VLSI Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Плотность мощности после масштабирования напряжения = Плотность мощности MOSFET*(Коэффициент масштабирования)^3
PD' = PD*(Sf)^3
В этой формуле используются 3 Переменные
Используемые переменные
Плотность мощности после масштабирования напряжения - Плотность мощности после масштабирования напряжения определяется как мера выходной мощности на единицу площади. Он количественно определяет распределение мощности в заданном пространстве, когда MOSFET масштабируется методом масштабирования напряжения.
Плотность мощности MOSFET - Плотность мощности МОП-транзистора определяется как мера выходной мощности на единицу площади. Он количественно определяет, сколько энергии распределяется в данном пространстве.
Коэффициент масштабирования - Масштабный коэффициент определяется как соотношение, на которое размеры транзистора изменяются в процессе проектирования.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Плотность мощности MOSFET: 20 --> Конверсия не требуется
Коэффициент масштабирования: 1.5 --> Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
PD' = PD*(Sf)^3 --> 20*(1.5)^3
Оценка ... ...
PD' = 67.5
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
67.5 --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
67.5 <-- Плотность мощности после масштабирования напряжения
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Инженерный колледж Лалбхай Далпатбхай (ЛДЦЭ), Ахмедабад
Приянка Патель создал этот калькулятор и еще 25+!
Verifier Image
Проверено Сантош Ядав
Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор
Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

Оптимизация материалов СБИС Калькуляторы

Коэффициент эффекта тела
​ Идти Коэффициент эффекта тела = modulus((Пороговое напряжение-Пороговое напряжение DIBL)/(sqrt(Поверхностный потенциал+(Разница в потенциале исходного тела))-sqrt(Поверхностный потенциал)))
DIBL Коэффициент
​ Идти Коэффициент DIBL = (Пороговое напряжение DIBL-Пороговое напряжение)/Сток в источник потенциала
Плата за канал
​ Идти Плата за канал = Емкость затвора*(Ворота к напряжению канала-Пороговое напряжение)
Критическое напряжение
​ Идти Критическое напряжение = Критическое электрическое поле*Электрическое поле по длине канала

Плотность мощности после масштабирования напряжения VLSI формула

Плотность мощности после масштабирования напряжения = Плотность мощности MOSFET*(Коэффициент масштабирования)^3
PD' = PD*(Sf)^3
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!