Калькулятор от А до Я
🔍
Скачать PDF
Химия
Инженерное дело
финансовый
Здоровье
математика
физика
Процентного роста
Разделить дробь
калькулятор НОК
Рассеяние мощности после масштабирования напряжения VLSI Калькулятор
Инженерное дело
Детская площадка
Здоровье
математика
физика
финансовый
Химия
↳
Электроника
Гражданская
Материаловедение
Механический
Технология производства
Химическая инженерия
Электрические
Электроника и приборы
⤿
Изготовление СБИС
EDC
Аналоговая связь
Аналоговая электроника
Антенна
Беспроводная связь
Волоконно-оптическая передача
Встроенная система
Интегральные схемы (ИС)
Конструкция оптического волокна
Линия передачи и антенна
Оптоэлектронные устройства
Проектирование и применение КМОП
Радиолокационная система
РФ Микроэлектроника
Сигнал и системы
Силовая электроника
Система контроля
Системы коммутации телекоммуникаций
Спутниковая связь
Твердотельные устройства
Телевизионная инженерия
Теория информации и кодирование
Теория СВЧ
Теория электромагнитного поля
Усилители
Цифровая обработка изображений
Цифровая связь
⤿
Оптимизация материалов СБИС
Аналоговая СБИС
✖
Масштабный коэффициент определяется как соотношение, на которое размеры транзистора изменяются в процессе проектирования.
ⓘ
Коэффициент масштабирования [Sf]
+10%
-10%
✖
Рассеяние мощности — это преобразование электрической энергии в тепло внутри электронных компонентов или цепей.
ⓘ
Рассеяние мощности [P]
Attojoule / Second
Аттоватт
Тормозная мощность (л.с.)
БТЕ (IT) / час
БТЕ (IT) / мин
БТЕ (IT) / сек
БТЕ (й) / час
БТЕ (й) / мин
БТЕ (й) / сек
Калорийность (ИТ) / час
Калорийность (ИТ) / минуту
Калорийность (ИТ) / сек
Калорийность (й) / час
Калорийность (й) / минуту
Калорийность (й) / сек
Centijoule / сек
сантиватт
CHU в час
Декаджоуль / сек
Декаватт
дециджоуль / сек
Дециватт
Эрг в час
Эрг / сек
Эксаджоуль / сек
экса-ватт
Femtojoule / сек
Фемтоватт
Фут-фунт-сила в час
Фут-фунт-сила в минуту
Фут-фунт-сила в секунду
ГДж / сек
Гигаватт
гектоджоуль / сек
Гектоватт
Лошадиные силы
Лс (550 фут * фунт-сила / с)
Лс (котел)
Лс (электрический)
Лошадиная сила (метрическая)
Лс (вода)
Джоуль / час
Джоуль в минуту
Джоуль в секунду
Килокалорий (IT) / час
Килокалорий (IT) / минуту
Килокалорий (IT) / сек
Килокалорий (й) / час
Килокалорий (й) / минуту
Килокалорий (й) / сек
Килоджоулей / час
Килоджоуль в минуту
Килоджоуль в секунду
киловольт-ампер
киловатт
МБХ
МБТЕ (ИТ) в час
Мегаджоуль в секунду
Мегаватт
Микроджоуль / сек
Микроватт
Millijoule / сек
Милливатт
MMBH
MMBtu (IT) в час
Nanojoule / сек
Нановатт
Ньютон-метр / сек
Петаджоуль / сек
петаватт
Pferdestarke
Picojoule / сек
Пиковатт
Планка питания
Фунт-фут в час
Фунт-фут в минуту
Фунт-фут в секунду
Тераджоуль / сек
Тераватт
Тон (холодильная техника)
вольт-ампер
Вольт Ампер Реактивный
Ватт
Йоктоватт
Yottawatt
Zeptowatt
Зеттаватт
+10%
-10%
✖
Рассеяние мощности после масштабирования напряжения определяется как количество мощности, рассеиваемой после уменьшения МОП-транзистора методом масштабирования напряжения.
ⓘ
Рассеяние мощности после масштабирования напряжения VLSI [P']
Attojoule / Second
Аттоватт
Тормозная мощность (л.с.)
БТЕ (IT) / час
БТЕ (IT) / мин
БТЕ (IT) / сек
БТЕ (й) / час
БТЕ (й) / мин
БТЕ (й) / сек
Калорийность (ИТ) / час
Калорийность (ИТ) / минуту
Калорийность (ИТ) / сек
Калорийность (й) / час
Калорийность (й) / минуту
Калорийность (й) / сек
Centijoule / сек
сантиватт
CHU в час
Декаджоуль / сек
Декаватт
дециджоуль / сек
Дециватт
Эрг в час
Эрг / сек
Эксаджоуль / сек
экса-ватт
Femtojoule / сек
Фемтоватт
Фут-фунт-сила в час
Фут-фунт-сила в минуту
Фут-фунт-сила в секунду
ГДж / сек
Гигаватт
гектоджоуль / сек
Гектоватт
Лошадиные силы
Лс (550 фут * фунт-сила / с)
Лс (котел)
Лс (электрический)
Лошадиная сила (метрическая)
Лс (вода)
Джоуль / час
Джоуль в минуту
Джоуль в секунду
Килокалорий (IT) / час
Килокалорий (IT) / минуту
Килокалорий (IT) / сек
Килокалорий (й) / час
Килокалорий (й) / минуту
Килокалорий (й) / сек
Килоджоулей / час
Килоджоуль в минуту
Килоджоуль в секунду
киловольт-ампер
киловатт
МБХ
МБТЕ (ИТ) в час
Мегаджоуль в секунду
Мегаватт
Микроджоуль / сек
Микроватт
Millijoule / сек
Милливатт
MMBH
MMBtu (IT) в час
Nanojoule / сек
Нановатт
Ньютон-метр / сек
Петаджоуль / сек
петаватт
Pferdestarke
Picojoule / сек
Пиковатт
Планка питания
Фунт-фут в час
Фунт-фут в минуту
Фунт-фут в секунду
Тераджоуль / сек
Тераватт
Тон (холодильная техника)
вольт-ампер
Вольт Ампер Реактивный
Ватт
Йоктоватт
Yottawatt
Zeptowatt
Зеттаватт
⎘ копия
Шаги
👎
Формула
✖
Рассеяние мощности после масштабирования напряжения VLSI
Формула
`"P'" = "Sf"*"P"`
Пример
`"4.95W"="1.5"*"3.3W"`
Калькулятор
LaTeX
сбросить
👍
Скачать Электроника формула PDF
Рассеяние мощности после масштабирования напряжения VLSI Решение
ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Рассеяние мощности после масштабирования напряжения
=
Коэффициент масштабирования
*
Рассеяние мощности
P'
=
Sf
*
P
В этой формуле используются
3
Переменные
Используемые переменные
Рассеяние мощности после масштабирования напряжения
-
(Измеряется в Ватт)
- Рассеяние мощности после масштабирования напряжения определяется как количество мощности, рассеиваемой после уменьшения МОП-транзистора методом масштабирования напряжения.
Коэффициент масштабирования
- Масштабный коэффициент определяется как соотношение, на которое размеры транзистора изменяются в процессе проектирования.
Рассеяние мощности
-
(Измеряется в Ватт)
- Рассеяние мощности — это преобразование электрической энергии в тепло внутри электронных компонентов или цепей.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Коэффициент масштабирования:
1.5 --> Конверсия не требуется
Рассеяние мощности:
3.3 Ватт --> 3.3 Ватт Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
P' = Sf*P -->
1.5*3.3
Оценка ... ...
P'
= 4.95
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
4.95 Ватт --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
4.95 Ватт
<--
Рассеяние мощности после масштабирования напряжения
(Расчет завершен через 00.004 секунд)
Вы здесь
-
Дом
»
Инженерное дело
»
Электроника
»
Изготовление СБИС
»
Оптимизация материалов СБИС
»
Рассеяние мощности после масштабирования напряжения VLSI
Кредиты
Сделано
Приянка Патель
Инженерный колледж Лалбхай Далпатбхай
(ЛДЦЭ)
,
Ахмедабад
Приянка Патель создал этот калькулятор и еще 25+!
Проверено
Сантош Ядав
Инженерный колледж Даянанды Сагара
(ДСКЭ)
,
Банглор
Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!
<
25 Оптимизация материалов СБИС Калькуляторы
Плотность заряда области массового истощения СБИС
Идти
Плотность заряда области массового истощения
= -(1-((
Боковая протяженность области истощения с источником
+
Боковая протяженность области истощения с дренажом
)/(2*
Длина канала
)))*
sqrt
(2*
[Charge-e]
*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Концентрация акцептора
*
abs
(2*
Поверхностный потенциал
))
Коэффициент эффекта тела
Идти
Коэффициент эффекта тела
=
modulus
((
Пороговое напряжение
-
Пороговое напряжение DIBL
)/(
sqrt
(
Поверхностный потенциал
+(
Разница в потенциале исходного тела
))-
sqrt
(
Поверхностный потенциал
)))
Соединение Встроенное напряжение СБИС
Идти
Встроенное напряжение соединения
= (
[BoltZ]
*
Температура
/
[Charge-e]
)*
ln
(
Концентрация акцептора
*
Концентрация доноров
/(
Внутренняя концентрация
)^2)
Глубина истощения PN-перехода с источником СБИС
Идти
Глубина истощения Pn-перехода с источником
=
sqrt
((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
*
Встроенное напряжение соединения
)/(
[Charge-e]
*
Концентрация акцептора
))
Общая паразитная емкость источника
Идти
Паразитная емкость источника
= (
Емкость между соединением тела и источника
*
Область диффузии источника
)+(
Емкость между соединением корпуса и боковой стенкой
*
Периметр боковой стенки диффузии источника
)
Ток насыщения короткого канала СБИС
Идти
Ток насыщения короткого канала
=
ширина канала
*
Скорость дрейфа электронов насыщения
*
Оксидная емкость на единицу площади
*
Напряжение источника насыщения, стока
Переходный ток
Идти
Ток перехода
= (
Статическая мощность
/
Базовое напряжение коллектора
)-(
Подпороговый ток
+
Текущий конфликт
+
Ток затвора
)
Поверхностный потенциал
Идти
Поверхностный потенциал
= 2*
Разница в потенциале исходного тела
*
ln
(
Концентрация акцептора
/
Внутренняя концентрация
)
DIBL Коэффициент
Идти
Коэффициент DIBL
= (
Пороговое напряжение DIBL
-
Пороговое напряжение
)/
Сток в источник потенциала
Пороговое напряжение, когда источник соответствует потенциалу тела
Идти
Пороговое напряжение DIBL
=
Коэффициент DIBL
*
Сток в источник потенциала
+
Пороговое напряжение
Оксидная емкость после полного масштабирования СБИС
Идти
Оксидная емкость после полного масштабирования
=
Оксидная емкость на единицу площади
*
Коэффициент масштабирования
Пороговое напряжение
Идти
Пороговое напряжение
=
Ворота к напряжению канала
-(
Плата за канал
/
Емкость затвора
)
Емкость затвора
Идти
Емкость затвора
=
Плата за канал
/(
Ворота к напряжению канала
-
Пороговое напряжение
)
Плата за канал
Идти
Плата за канал
=
Емкость затвора
*(
Ворота к напряжению канала
-
Пороговое напряжение
)
Подпороговый наклон
Идти
Подпороговый наклон
=
Разница в потенциале исходного тела
*
Коэффициент DIBL
*
ln
(10)
Длина затвора с использованием оксидной емкости затвора
Идти
Длина ворот
=
Емкость затвора
/(
Емкость оксидного слоя затвора
*
Ширина ворот
)
Оксидная емкость затвора
Идти
Емкость оксидного слоя затвора
=
Емкость затвора
/(
Ширина ворот
*
Длина ворот
)
Толщина оксида затвора после полного масштабирования СБИС
Идти
Толщина оксида затвора после полного масштабирования
=
Толщина оксида ворот
/
Коэффициент масштабирования
Глубина соединения после полного масштабирования СБИС
Идти
Глубина соединения после полного масштабирования
=
Глубина соединения
/
Коэффициент масштабирования
Критическое напряжение
Идти
Критическое напряжение
=
Критическое электрическое поле
*
Электрическое поле по длине канала
Ширина канала после полного масштабирования СБИС
Идти
Ширина канала после полного масштабирования
=
ширина канала
/
Коэффициент масштабирования
Длина канала после полного масштабирования СБИС
Идти
Длина канала после полного масштабирования
=
Длина канала
/
Коэффициент масштабирования
Внутренняя емкость затвора
Идти
Емкость перекрытия МОП-затвора
=
Емкость МОП-ворота
*
Ширина перехода
Мобильность в Mosfet
Идти
Мобильность в MOSFET
=
К Прайм
/
Емкость оксидного слоя затвора
K-Prime
Идти
К Прайм
=
Мобильность в MOSFET
*
Емкость оксидного слоя затвора
Рассеяние мощности после масштабирования напряжения VLSI формула
Рассеяние мощности после масштабирования напряжения
=
Коэффициент масштабирования
*
Рассеяние мощности
P'
=
Sf
*
P
Дом
БЕСПЛАТНО PDF-файлы
🔍
Поиск
Категории
доля
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!