НОД двух чисел

Потенциал между источником и телом Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Изготовление СБИС EDC Аналоговая связь Аналоговая электроника Больше >>

⤿

Аналоговая СБИС Оптимизация материалов СБИС

✖Поверхностный потенциал является ключевым параметром при оценке свойств тонкопленочных транзисторов по постоянному току.ⓘ Поверхностный потенциал [Φ_s]			+10% -10%
✖Концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцепторной примеси в полупроводниковом материале.ⓘ Концентрация акцептора [N_A]			+10% -10%
✖Собственная концентрация относится к концентрации носителей заряда (электронов и дырок) в собственном полупроводнике при тепловом равновесии.ⓘ Внутренняя концентрация [N_i]			+10% -10%

✖Разность потенциалов тела источника рассчитывается, когда внешний приложенный потенциал равен сумме падения напряжения на оксидном слое и падения напряжения на полупроводнике.ⓘ Потенциал между источником и телом [V_sb]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Электроника формула PDF PDF Image

Потенциал между источником и телом Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Разница в потенциале исходного тела = Поверхностный потенциал/(2*ln(Концентрация акцептора/Внутренняя концентрация))
V_sb = Φ_s/(2*ln(N_A/N_i))
В этой формуле используются 1 Функции, 4 Переменные

Используемые функции

ln - Натуральный логарифм, также известный как логарифм по основанию е, является обратной функцией натуральной показательной функции., ln(Number)

Используемые переменные

Разница в потенциале исходного тела - (Измеряется в вольт) - Разность потенциалов тела источника рассчитывается, когда внешний приложенный потенциал равен сумме падения напряжения на оксидном слое и падения напряжения на полупроводнике.
Поверхностный потенциал - (Измеряется в вольт) - Поверхностный потенциал является ключевым параметром при оценке свойств тонкопленочных транзисторов по постоянному току.
Концентрация акцептора - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцепторной примеси в полупроводниковом материале.
Внутренняя концентрация - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Собственная концентрация относится к концентрации носителей заряда (электронов и дырок) в собственном полупроводнике при тепловом равновесии.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Поверхностный потенциал: 6.86 вольт --> 6.86 вольт Конверсия не требуется
Концентрация акцептора: 1E+16 1 на кубический сантиметр --> 1E+22 1 на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)
Внутренняя концентрация: 14500000000 1 на кубический сантиметр --> 1.45E+16 1 на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

V_sb = Φ_s/(2*ln(N_A/N_i)) --> 6.86/(2*ln(1E+22/1.45E+16))

Оценка ... ...

V_sb = 0.255133406849134

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.255133406849134 вольт --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.255133406849134 ≈ 0.255133 вольт <-- Разница в потенциале исходного тела

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Изготовление СБИС » Аналоговая СБИС » Потенциал между источником и телом

Кредиты

Сделано Шобхит Димри

Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат

Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< Аналоговая СБИС Калькуляторы

Напряжение слива

LaTeX Идти Базовое напряжение коллектора = sqrt(Динамическая мощность/(Частота*Емкость))

Ворота к базовой емкости

LaTeX Идти Ворота к базовой емкости = Емкость затвора-(Ворота к емкости источника+Ворота для стока емкости)

Напряжение затвора в канал

LaTeX Идти Ворота к напряжению канала = (Плата за канал/Емкость затвора)+Пороговое напряжение

Ворота к коллекторскому потенциалу

LaTeX Идти Ворота к напряжению канала = (Ворота к источнику потенциала+Ворота для истощения потенциала)/2

Узнать больше >>

Потенциал между источником и телом формула

LaTeX Идти

Разница в потенциале исходного тела = Поверхностный потенциал/(2*ln(Концентрация акцептора/Внутренняя концентрация))
V_sb = Φ_s/(2*ln(N_A/N_i))

Как тело влияет на пороговое напряжение?

Транзисторы - это четырехвыводное устройство. Это ворота, исток, сток и тело. Когда напряжение Vsb прикладывается между источником и телом, оно увеличивает количество заряда, необходимого для инвертирования канала, следовательно, увеличивает пороговое напряжение. Эффект тела еще больше ухудшает производительность проходных транзисторов, пытающихся передать слабое значение.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!