Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Глубина истощения Pn-перехода с дренажем = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*Концентрация акцептора))*(Встроенное напряжение соединения+Сток в источник потенциала))
xdD = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*NA))*(Ø0+Vds))
В этой формуле используются 3 Константы, 1 Функции, 4 Переменные
Используемые константы
[Permitivity-silicon] - Диэлектрическая проницаемость кремния Значение, принятое как 11.7
[Permitivity-vacuum] - Диэлектрическая проницаемость вакуума Значение, принятое как 8.85E-12
[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19
Используемые функции
sqrt - Функция квадратного корня — это функция, которая принимает в качестве входных данных неотрицательное число и возвращает квадратный корень заданного входного числа., sqrt(Number)
Используемые переменные
Глубина истощения Pn-перехода с дренажем - (Измеряется в Метр) - Глубина обеднения Pn-перехода со стоком определяется как расширение области обеднения в полупроводниковый материал вблизи стоковой клеммы.
Концентрация акцептора - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцепторной примеси в полупроводниковом материале.
Встроенное напряжение соединения - (Измеряется в вольт) - Встроенное напряжение перехода определяется как напряжение, которое существует на полупроводниковом переходе в тепловом равновесии, когда внешнее напряжение не приложено.
Сток в источник потенциала - (Измеряется в вольт) - Сток к истоку. Потенциал – это потенциал между стоком и истоком.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Концентрация акцептора: 1E+16 1 на кубический сантиметр --> 1E+22 1 на кубический метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Встроенное напряжение соединения: 0.76 вольт --> 0.76 вольт Конверсия не требуется
Сток в источник потенциала: 1.45 вольт --> 1.45 вольт Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
xdD = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*NA))*(Ø0+Vds)) --> sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*1E+22))*(0.76+1.45))
Оценка ... ...
xdD = 5.34466520692296E-07
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
5.34466520692296E-07 Метр -->0.534466520692296 микрометр (Проверьте преобразование ​здесь)
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
0.534466520692296 0.534467 микрометр <-- Глубина истощения Pn-перехода с дренажем
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Инженерный колледж Лалбхай Далпатбхай (ЛДЦЭ), Ахмедабад
Приянка Патель создал этот калькулятор и еще 25+!
Verifier Image
Проверено Сантош Ядав
Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор
Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

Оптимизация материалов СБИС Калькуляторы

Коэффициент эффекта тела
​ LaTeX ​ Идти Коэффициент эффекта тела = modulus((Пороговое напряжение-Пороговое напряжение DIBL)/(sqrt(Поверхностный потенциал+(Разница в потенциале исходного тела))-sqrt(Поверхностный потенциал)))
DIBL Коэффициент
​ LaTeX ​ Идти Коэффициент DIBL = (Пороговое напряжение DIBL-Пороговое напряжение)/Сток в источник потенциала
Плата за канал
​ LaTeX ​ Идти Плата за канал = Емкость затвора*(Ворота к напряжению канала-Пороговое напряжение)
Критическое напряжение
​ LaTeX ​ Идти Критическое напряжение = Критическое электрическое поле*Электрическое поле по длине канала

Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС формула

​LaTeX ​Идти
Глубина истощения Pn-перехода с дренажем = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*Концентрация акцептора))*(Встроенное напряжение соединения+Сток в источник потенциала))
xdD = sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*NA))*(Ø0+Vds))
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!