Калькулятор от А до Я
🔍
Скачать PDF
Химия
Инженерное дело
финансовый
Здоровье
математика
физика
Процент выигрыша
Cмешанная дробь
НОК двух чисел
Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС Калькулятор
Инженерное дело
Детская площадка
Здоровье
математика
Больше >>
↳
Электроника
Гражданская
Материаловедение
Механический
Больше >>
⤿
Изготовление СБИС
EDC
Аналоговая связь
Аналоговая электроника
Больше >>
⤿
Оптимизация материалов СБИС
Аналоговая СБИС
✖
Концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцепторной примеси в полупроводниковом материале.
ⓘ
Концентрация акцептора [N
A
]
1 на кубический сантиметр
1 на кубический метр
за литр
+10%
-10%
✖
Встроенное напряжение перехода определяется как напряжение, которое существует на полупроводниковом переходе в тепловом равновесии, когда внешнее напряжение не приложено.
ⓘ
Встроенное напряжение соединения [Ø
0
]
киловольт
Мегавольт
микровольт
милливольт
Нановольт
Планка напряжения
вольт
+10%
-10%
✖
Сток к истоку. Потенциал – это потенциал между стоком и истоком.
ⓘ
Сток в источник потенциала [V
ds
]
киловольт
Мегавольт
микровольт
милливольт
Нановольт
Планка напряжения
вольт
+10%
-10%
✖
Глубина обеднения Pn-перехода со стоком определяется как расширение области обеднения в полупроводниковый материал вблизи стоковой клеммы.
ⓘ
Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС [x
dD
]
Ангстрем
астрономическая единица
сантиметр
Дециметр
Экваториальный радиус Земли
Ферми
Фут
дюйм
километр
Световой год
Метр
микродюйм
микрометр
микрон
мили
Миллиметр
нанометр
пикометра
Двор
⎘ копия
Шаги
👎
Формула
LaTeX
сбросить
👍
Скачать Электроника формула PDF
Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС Решение
ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Глубина истощения Pn-перехода с дренажем
=
sqrt
(((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
)/(
[Charge-e]
*
Концентрация акцептора
))*(
Встроенное напряжение соединения
+
Сток в источник потенциала
))
x
dD
=
sqrt
(((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
)/(
[Charge-e]
*
N
A
))*(
Ø
0
+
V
ds
))
В этой формуле используются
3
Константы
,
1
Функции
,
4
Переменные
Используемые константы
[Permitivity-silicon]
- Диэлектрическая проницаемость кремния Значение, принятое как 11.7
[Permitivity-vacuum]
- Диэлектрическая проницаемость вакуума Значение, принятое как 8.85E-12
[Charge-e]
- Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19
Используемые функции
sqrt
- Функция квадратного корня — это функция, которая принимает в качестве входных данных неотрицательное число и возвращает квадратный корень заданного входного числа., sqrt(Number)
Используемые переменные
Глубина истощения Pn-перехода с дренажем
-
(Измеряется в Метр)
- Глубина обеднения Pn-перехода со стоком определяется как расширение области обеднения в полупроводниковый материал вблизи стоковой клеммы.
Концентрация акцептора
-
(Измеряется в 1 на кубический метр)
- Концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцепторной примеси в полупроводниковом материале.
Встроенное напряжение соединения
-
(Измеряется в вольт)
- Встроенное напряжение перехода определяется как напряжение, которое существует на полупроводниковом переходе в тепловом равновесии, когда внешнее напряжение не приложено.
Сток в источник потенциала
-
(Измеряется в вольт)
- Сток к истоку. Потенциал – это потенциал между стоком и истоком.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Концентрация акцептора:
1E+16 1 на кубический сантиметр --> 1E+22 1 на кубический метр
(Проверьте преобразование
здесь
)
Встроенное напряжение соединения:
0.76 вольт --> 0.76 вольт Конверсия не требуется
Сток в источник потенциала:
1.45 вольт --> 1.45 вольт Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
x
dD
= sqrt(((2*[Permitivity-silicon]*[Permitivity-vacuum])/([Charge-e]*N
A
))*(Ø
0
+V
ds
)) -->
sqrt
(((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
)/(
[Charge-e]
*1E+22))*(0.76+1.45))
Оценка ... ...
x
dD
= 5.34466520692296E-07
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
5.34466520692296E-07 Метр -->0.534466520692296 микрометр
(Проверьте преобразование
здесь
)
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
0.534466520692296
≈
0.534467 микрометр
<--
Глубина истощения Pn-перехода с дренажем
(Расчет завершен через 00.004 секунд)
Вы здесь
-
Дом
»
Инженерное дело
»
Электроника
»
Изготовление СБИС
»
Оптимизация материалов СБИС
»
Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС
Кредиты
Сделано
Приянка Патель
Инженерный колледж Лалбхай Далпатбхай
(ЛДЦЭ)
,
Ахмедабад
Приянка Патель создал этот калькулятор и еще 25+!
Проверено
Сантош Ядав
Инженерный колледж Даянанды Сагара
(ДСКЭ)
,
Банглор
Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!
<
Оптимизация материалов СБИС Калькуляторы
Коэффициент эффекта тела
LaTeX
Идти
Коэффициент эффекта тела
=
modulus
((
Пороговое напряжение
-
Пороговое напряжение DIBL
)/(
sqrt
(
Поверхностный потенциал
+(
Разница в потенциале исходного тела
))-
sqrt
(
Поверхностный потенциал
)))
DIBL Коэффициент
LaTeX
Идти
Коэффициент DIBL
= (
Пороговое напряжение DIBL
-
Пороговое напряжение
)/
Сток в источник потенциала
Плата за канал
LaTeX
Идти
Плата за канал
=
Емкость затвора
*(
Ворота к напряжению канала
-
Пороговое напряжение
)
Критическое напряжение
LaTeX
Идти
Критическое напряжение
=
Критическое электрическое поле
*
Электрическое поле по длине канала
Узнать больше >>
Глубина истощения PN-перехода с дренажом СБИС формула
LaTeX
Идти
Глубина истощения Pn-перехода с дренажем
=
sqrt
(((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
)/(
[Charge-e]
*
Концентрация акцептора
))*(
Встроенное напряжение соединения
+
Сток в источник потенциала
))
x
dD
=
sqrt
(((2*
[Permitivity-silicon]
*
[Permitivity-vacuum]
)/(
[Charge-e]
*
N
A
))*(
Ø
0
+
V
ds
))
Дом
БЕСПЛАТНО PDF-файлы
🔍
Поиск
Категории
доля
Let Others Know
✖
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!