Оксидная емкость NMOS Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Оксид Емкость = (3.45*10^(-11))/Толщина оксида
Cox = (3.45*10^(-11))/tox
В этой формуле используются 2 Переменные
Используемые переменные
Оксид Емкость - (Измеряется в фарада) - Оксидная емкость является важным параметром, влияющим на производительность МОП-устройств, например, на быстродействие и энергопотребление интегральных схем.
Толщина оксида - (Измеряется в Метр) - Толщина оксида относится к толщине тонкого слоя оксидного материала, который формируется на поверхности подложки, обычно полупроводникового материала, такого как кремний.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Толщина оксида: 17 микрометр --> 1.7E-05 Метр (Проверьте преобразование ​здесь)
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Cox = (3.45*10^(-11))/tox --> (3.45*10^(-11))/1.7E-05
Оценка ... ...
Cox = 2.02941176470588E-06
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
2.02941176470588E-06 фарада -->2.02941176470588 Микрофарад (Проверьте преобразование ​здесь)
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
2.02941176470588 2.029412 Микрофарад <-- Оксид Емкость
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Паял Прия
Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри
Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!
Verifier Image
Проверено Урви Ратод
Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад
Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

Улучшение N-канала Калькуляторы

Ток, поступающий в сток-источник в области триода NMOS
​ LaTeX ​ Идти Ток стока в NMOS = Параметр крутизны процесса в NMOS*Ширина канала/Длина канала*((Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение)*Напряжение источника стока-1/2*(Напряжение источника стока)^2)
Ток, поступающий на клемму стока NMOS, при заданном напряжении источника затвора
​ LaTeX ​ Идти Ток стока в NMOS = Параметр крутизны процесса в NMOS*Ширина канала/Длина канала*((Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение)*Напряжение источника стока-1/2*Напряжение источника стока^2)
NMOS как линейное сопротивление
​ LaTeX ​ Идти Линейное сопротивление = Длина канала/(Подвижность электронов на поверхности канала*Оксид Емкость*Ширина канала*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение))
Скорость дрейфа электронов канала в транзисторе NMOS
​ LaTeX ​ Идти Скорость дрейфа электронов = Подвижность электронов на поверхности канала*Электрическое поле по длине канала

Оксидная емкость NMOS формула

​LaTeX ​Идти
Оксид Емкость = (3.45*10^(-11))/Толщина оксида
Cox = (3.45*10^(-11))/tox

Что такое оксидная емкость?

Это отношение диэлектрической проницаемости диоксида кремния, которое составляет 3,45 × 10

Объясните весь процесс формирования канальной области полевого МОП-транзистора конденсатора с параллельными пластинами.

Затвор и область канала полевого МОП-транзистора образуют конденсатор с параллельными пластинами, причем оксидный слой действует как диэлектрик конденсатора. Положительное напряжение затвора вызывает накопление положительного заряда на верхней пластине конденсатора (электрод затвора). Соответствующий отрицательный заряд на нижней пластине формируется электронами в индуцированном канале. Таким образом, электрическое поле развивается в вертикальном направлении. Именно это поле контролирует количество заряда в канале и, таким образом, определяет проводимость канала и, в свою очередь, ток, который будет течь через канал при приложении напряжения.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!