✖Ток стока насыщения определяется как подпороговой ток и изменяется экспоненциально в зависимости от напряжения затвор-исток.ⓘ Ток стока насыщения [ids] | | | +10% -10% |
✖Параметр крутизны процесса является произведением подвижности электронов в канале и оксидной емкости.ⓘ Параметр крутизны процесса [k'n] | | | +10% -10% |
✖Ширина канала — это размер канала MOSFET.ⓘ Ширина канала [Wc] | | | +10% -10% |
✖Длина канала L — расстояние между двумя -p-переходами.ⓘ Длина канала [L] | | | +10% -10% |