В диоде с p-n-переходом обратный ток насыщения обусловлен диффузионным потоком неосновных электронов из p-стороны в n-сторону и неосновных дырок из n-стороны в p-сторону. Следовательно, обратный ток насыщения зависит от коэффициента диффузии электронов и дырок.