НОК трех чисел

Ток стока омической области полевого транзистора Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электрические Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Силовая электроника Дизайн электрических машин Использование электроэнергии Машина Больше >>

⤿

Усовершенствованные транзисторные устройства Базовые транзисторные устройства Импульсный регулятор Инверторы Больше >>

⤿

полевой транзистор БТИЗ ТРИАК

✖Проводимость канала FET — это мера того, насколько хорошо канал FET проводит ток. Она определяется подвижностью носителей заряда в канале.ⓘ Проводимость канала FET [G_o(fet)]			+10% -10%
✖Напряжение источника стока FET — это напряжение между стоком и выводом истока полевого транзистора.ⓘ Напряжение источника стока FET [V_ds(fet)]			+10% -10%
✖Полевой транзистор с поверхностным потенциалом работает на основе поверхностного потенциала полупроводникового канала, управляя потоком тока через напряжение затвора без создания инверсионных слоев.ⓘ Поверхностный потенциал FET [Ψ_0(fet)]			+10% -10%
✖Напряжение Pinch OFF — это напряжение, при котором канал полевого транзистора (FET) становится настолько узким, что он эффективно закрывается, предотвращая дальнейшее протекание тока.ⓘ Напряжение отключения напряжения [V_off(fet)]			+10% -10%

✖Ток стока полевого транзистора — это ток, который протекает через стоковый переход полевого транзистора.ⓘ Ток стока омической области полевого транзистора [I_d(fet)]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Усовершенствованные транзисторные устройства Формулы PDF PDF Image

Ток стока омической области полевого транзистора Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Ток стока полевого транзистора = Проводимость канала FET*(Напряжение источника стока FET+3/2*((Поверхностный потенциал FET+Напряжение источника стока FET-Напряжение источника стока FET)^(3/2)-(Поверхностный потенциал FET+Напряжение источника стока FET)^(3/2))/((Поверхностный потенциал FET+Напряжение отключения напряжения)^(1/2)))
I_d(fet) = G_o(fet)*(V_ds(fet)+3/2*((Ψ_0(fet)+V_ds(fet)-V_ds(fet))^(3/2)-(Ψ_0(fet)+V_ds(fet))^(3/2))/((Ψ_0(fet)+V_off(fet))^(1/2)))
В этой формуле используются 5 Переменные

Используемые переменные

Ток стока полевого транзистора - (Измеряется в Ампер) - Ток стока полевого транзистора — это ток, который протекает через стоковый переход полевого транзистора.
Проводимость канала FET - (Измеряется в Сименс) - Проводимость канала FET — это мера того, насколько хорошо канал FET проводит ток. Она определяется подвижностью носителей заряда в канале.
Напряжение источника стока FET - (Измеряется в вольт) - Напряжение источника стока FET — это напряжение между стоком и выводом истока полевого транзистора.
Поверхностный потенциал FET - (Измеряется в вольт) - Полевой транзистор с поверхностным потенциалом работает на основе поверхностного потенциала полупроводникового канала, управляя потоком тока через напряжение затвора без создания инверсионных слоев.
Напряжение отключения напряжения - (Измеряется в вольт) - Напряжение Pinch OFF — это напряжение, при котором канал полевого транзистора (FET) становится настолько узким, что он эффективно закрывается, предотвращая дальнейшее протекание тока.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Проводимость канала FET: 0.24 Миллисименс --> 0.00024 Сименс (Проверьте преобразование здесь)
Напряжение источника стока FET: 4.8 вольт --> 4.8 вольт Конверсия не требуется
Поверхностный потенциал FET: 4.976 вольт --> 4.976 вольт Конверсия не требуется
Напряжение отключения напряжения: 63.56 вольт --> 63.56 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

I_d(fet) = G_o(fet)*(V_ds(fet)+3/2*((Ψ_0(fet)+V_ds(fet)-V_ds(fet))^(3/2)-(Ψ_0(fet)+V_ds(fet))^(3/2))/((Ψ_0(fet)+V_off(fet))^(1/2))) --> 0.00024*(4.8+3/2*((4.976+4.8-4.8)^(3/2)-(4.976+4.8)^(3/2))/((4.976+63.56)^(1/2)))

Оценка ... ...

I_d(fet) = 0.000305501451597179

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.000305501451597179 Ампер -->0.305501451597179 Миллиампер (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.305501451597179 ≈ 0.305501 Миллиампер <-- Ток стока полевого транзистора

(Расчет завершен через 00.021 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электрические » Силовая электроника » Усовершенствованные транзисторные устройства » полевой транзистор » Ток стока омической области полевого транзистора

Кредиты

Сделано Мохамед Фазиль V

Технологический институт Ачарья (АИТ), Бангалор

Мохамед Фазиль V создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Парминдер Сингх

Чандигархский университет (ТС), Пенджаб

Парминдер Сингх проверил этот калькулятор и еще 500+!

< полевой транзистор Калькуляторы

Напряжение источника стока полевого транзистора

LaTeX Идти Напряжение источника стока FET = Напряжение питания на стоковом полевом транзисторе-Ток стока полевого транзистора*(Сопротивление стока FET+Исходное сопротивление полевого транзистора)

Крутизна полевого транзистора

LaTeX Идти Полевой транзистор прямой крутизны = (2*Ток стока нулевого смещения)/Напряжение отключения напряжения*(1-Напряжение источника стока FET/Напряжение отключения напряжения)

Ток стока полевого транзистора

LaTeX Идти Ток стока полевого транзистора = Ток стока нулевого смещения*(1-Напряжение источника стока FET/Напряжение отсечки FET)^2

Отключение напряжения полевого транзистора

LaTeX Идти Напряжение отключения напряжения = Pinch OFF Напряжение источника стока FET-Напряжение источника стока FET

Узнать больше >>