Омическая проводимость примесей Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Электронная концентрация+Подвижность кремния, легированного дырками*Концентрация дырок)
σ = q*(μn*ne+μp*p)
В этой формуле используются 6 Переменные
Используемые переменные
Омическая проводимость - (Измеряется в Сименс/ метр) - Омическая проводимость — это мера способности материала пропускать поток электрического тока. Электропроводность варьируется от одного материала к другому.
Заряжать - (Измеряется в Кулон) - Заряд — характеристика единицы вещества, которая выражает степень, в которой у нее больше или меньше электронов, чем у протонов.
Электронно-легированная подвижность кремния - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Электронное легирование кремния. Подвижность характеризует, насколько быстро электрон может перемещаться через металл или полупроводник, когда его притягивает электрическое поле.
Электронная концентрация - (Измеряется в 1 на кубический метр) - На концентрацию электронов влияют различные факторы, такие как температура, примеси или легирующие примеси, добавленные в полупроводниковый материал, а также внешние электрические или магнитные поля.
Подвижность кремния, легированного дырками - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Подвижность кремния, легированного дырками, — это способность дырки перемещаться по металлу или полупроводнику в присутствии приложенного электрического поля.
Концентрация дырок - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация дырок предполагает большее количество доступных носителей заряда в материале, что влияет на его проводимость и различные полупроводниковые устройства.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Заряжать: 5 Милликулон --> 0.005 Кулон (Проверьте преобразование ​здесь)
Электронно-легированная подвижность кремния: 0.38 Квадратный сантиметр на вольт-секунду --> 3.8E-05 Квадратный метр на вольт в секунду (Проверьте преобразование ​здесь)
Электронная концентрация: 50.6 1 на кубический сантиметр --> 50600000 1 на кубический метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Подвижность кремния, легированного дырками: 2.4 Квадратный сантиметр на вольт-секунду --> 0.00024 Квадратный метр на вольт в секунду (Проверьте преобразование ​здесь)
Концентрация дырок: 0.69 1 на кубический сантиметр --> 690000 1 на кубический метр (Проверьте преобразование ​здесь)
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
σ = q*(μn*nep*p) --> 0.005*(3.8E-05*50600000+0.00024*690000)
Оценка ... ...
σ = 10.442
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
10.442 Сименс/ метр -->0.10442 мо/ Сантиметр (Проверьте преобразование ​здесь)
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
0.10442 мо/ Сантиметр <-- Омическая проводимость
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Рахул Гупта
Чандигархский университет (КУ), Мохали, Пенджаб
Рахул Гупта создал этот калькулятор и еще 25+!
Verifier Image
Проверено Парминдер Сингх
Чандигархский университет (ТС), Пенджаб
Парминдер Сингх проверил этот калькулятор и еще 500+!

Изготовление биполярных ИС Калькуляторы

Проводимость N-типа
​ LaTeX ​ Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Равновесная концентрация N-типа+Подвижность кремния, легированного дырками*(Внутренняя концентрация^2/Равновесная концентрация N-типа))
Омическая проводимость примесей
​ LaTeX ​ Идти Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Электронная концентрация+Подвижность кремния, легированного дырками*Концентрация дырок)
Примеси с собственной концентрацией
​ LaTeX ​ Идти Внутренняя концентрация = sqrt((Электронная концентрация*Концентрация дырок)/Температурная примесь)
Напряжение пробоя коллектора-эмиттера
​ LaTeX ​ Идти Напряжение пробоя коллектор-эмиттер = Напряжение пробоя базы коллектора/(Текущий прирост BJT)^(1/Корневой номер)

Омическая проводимость примесей формула

​LaTeX ​Идти
Омическая проводимость = Заряжать*(Электронно-легированная подвижность кремния*Электронная концентрация+Подвижность кремния, легированного дырками*Концентрация дырок)
σ = q*(μn*ne+μp*p)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!