НОД трех чисел

Напряжение смещения MOSFET с токовой зеркальной нагрузкой Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Усилители EDC Аналоговая связь Аналоговая электроника Больше >>

⤿

МОП-транзисторные усилители Выходные каскады и усилители мощности Дифференциальные усилители BJT Операционные усилители Больше >>

⤿

Смещение постоянного тока Дифференциальная конфигурация Каскодная конфигурация Прирост

✖Пороговое напряжение транзистора — это минимальное напряжение затвор-исток, которое необходимо для создания проводящего пути между клеммами истока и стока.ⓘ Пороговое напряжение [V_t]			+10% -10%
✖Принудительное усиление тока с общим эмиттером представляет собой соотношение тока коллектора и тока базы в режиме насыщения.ⓘ Принудительное усиление тока с общим эмиттером [β_forced]			+10% -10%

✖Входное напряжение смещения — это напряжение, которое необходимо приложить между двумя входными клеммами операционного усилителя, чтобы получить на выходе нулевое напряжение.ⓘ Напряжение смещения MOSFET с токовой зеркальной нагрузкой [V_os]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзисторные усилители Формулы PDF PDF Image

Напряжение смещения MOSFET с токовой зеркальной нагрузкой Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Входное напряжение смещения = -(2*Пороговое напряжение)/Принудительное усиление тока с общим эмиттером
V_os = -(2*V_t)/β_forced
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

Входное напряжение смещения - (Измеряется в вольт) - Входное напряжение смещения — это напряжение, которое необходимо приложить между двумя входными клеммами операционного усилителя, чтобы получить на выходе нулевое напряжение.
Пороговое напряжение - (Измеряется в вольт) - Пороговое напряжение транзистора — это минимальное напряжение затвор-исток, которое необходимо для создания проводящего пути между клеммами истока и стока.
Принудительное усиление тока с общим эмиттером - Принудительное усиление тока с общим эмиттером представляет собой соотношение тока коллектора и тока базы в режиме насыщения.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Пороговое напряжение: 19.5 вольт --> 19.5 вольт Конверсия не требуется
Принудительное усиление тока с общим эмиттером: 11 --> Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

V_os = -(2*V_t)/β_forced --> -(2*19.5)/11

Оценка ... ...

V_os = -3.54545454545455

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

-3.54545454545455 вольт --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

-3.54545454545455 ≈ -3.545455 вольт <-- Входное напряжение смещения

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Усилители » МОП-транзисторные усилители » Смещение постоянного тока » Напряжение смещения MOSFET с токовой зеркальной нагрузкой

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Аншика Арья

Национальный Технологический Институт (NIT), Хамирпур

Аншика Арья проверил этот калькулятор и еще 2500+!

< Смещение постоянного тока Калькуляторы

Ток при работе с дифференциальным входным напряжением

LaTeX Идти Общий ток = 1/2*(Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон)*(Напряжение на диоде-Пороговое напряжение)^2

Выходное напряжение усилителя напряжения

LaTeX Идти Выходное напряжение = Исходное напряжение-(Ток стока*Сопротивление нагрузки)

Напряжение смещения MOSFET с токовой зеркальной нагрузкой

LaTeX Идти Входное напряжение смещения = -(2*Пороговое напряжение)/Принудительное усиление тока с общим эмиттером

Максимальное дифференциальное входное напряжение МОП-транзистора при заданном напряжении перегрузки

LaTeX Идти Дифференциальный входной сигнал = sqrt(2)*Эффективное напряжение

Узнать больше >>

Напряжение смещения MOSFET с токовой зеркальной нагрузкой формула

LaTeX Идти

Входное напряжение смещения = -(2*Пороговое напряжение)/Принудительное усиление тока с общим эмиттером
V_os = -(2*V_t)/β_forced

Что вызывает напряжение смещения?

Причина входного напряжения смещения хорошо известна - это связано с внутренним несоответствием входных транзисторов и компонентов во время изготовления кремниевого кристалла, а также с напряжениями, возникающими на кристалле во время процесса упаковки (незначительный вклад).

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!