Используемая формула
Дополнительное пороговое напряжение узкого канала = ((Эмпирический параметр*Вертикальное масштабное истощение субстрата)/(ширина канала*Оксидная емкость на единицу площади))*(sqrt(2*[Charge-e]*Концентрация акцептора*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Поверхностный потенциал)))ΔVT0(nc) = ((k*xdm)/(Wc*Coxide))*(sqrt(2*[Charge-e]*NA*[Permitivity-vacuum]*[Permitivity-silicon]*abs(2*Φs)))В этой формуле используются
3 Константы,
2 Функции,
7 Переменные Используемые константы
[Permitivity-silicon] - Диэлектрическая проницаемость кремния Значение, принятое как 11.7
[Permitivity-vacuum] - Диэлектрическая проницаемость вакуума Значение, принятое как 8.85E-12
[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19
Используемые функции
sqrt - Функция квадратного корня — это функция, которая принимает в качестве входных данных неотрицательное число и возвращает квадратный корень заданного входного числа., sqrt(Number)
abs - Абсолютное значение числа — это его расстояние от нуля на числовой прямой. Это всегда положительное значение, поскольку оно представляет величину числа без учета его направления., abs(Number)
Используемые переменные
Дополнительное пороговое напряжение узкого канала -
(Измеряется в вольт) - Дополнительное пороговое напряжение узкого канала определяется как дополнительный вклад в пороговое напряжение из-за эффектов узкого канала в MOSFET.
Эмпирический параметр - Эмпирический параметр — это константа или значение, используемое в модели, уравнении или теории, которое получено на основе эксперимента и наблюдения, а не выведено теоретически.
Вертикальное масштабное истощение субстрата -
(Измеряется в Метр) - Вертикальная степень объемного истощения подложки относится к глубине области истощения подложки (объема) MOSFET.
ширина канала -
(Измеряется в Метр) - Ширина канала определяется как физическая ширина полупроводникового канала между выводами истока и стока внутри транзисторной структуры.
Оксидная емкость на единицу площади -
(Измеряется в Фарада на квадратный метр) - Оксидная емкость на единицу площади определяется как емкость на единицу площади изолирующего оксидного слоя, который отделяет металлический затвор от полупроводникового материала.
Концентрация акцептора -
(Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцепторной примеси в полупроводниковом материале.
Поверхностный потенциал -
(Измеряется в вольт) - Поверхностный потенциал является ключевым параметром при оценке свойств тонкопленочных транзисторов по постоянному току.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок