Частота MOSFET с единичным коэффициентом усиления Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Частота единичного усиления в MOSFET = Крутизна МОП-транзистора/(Емкость источника затвора+Емкость стока затвора)
ft = gm/(Cgs+Cgd)
В этой формуле используются 4 Переменные
Используемые переменные
Частота единичного усиления в MOSFET - (Измеряется в Герц) - Частота единичного усиления в MOSFET означает частоту, при которой коэффициент усиления по напряжению устройства падает до 1 (0 дБ) в конфигурации с общим истоком и резистивной нагрузкой.
Крутизна МОП-транзистора - (Измеряется в Сименс) - Крутизна МОП-транзистора является ключевым параметром, который описывает взаимосвязь между входным напряжением и выходным током.
Емкость источника затвора - (Измеряется в фарада) - Емкость источника затвора относится к емкости между клеммами затвора и истока полевого транзистора (FET).
Емкость стока затвора - (Измеряется в фарада) - Емкость затвора-стока относится к емкости между клеммами затвора и стока устройства.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Крутизна МОП-транзистора: 2.2 Сименс --> 2.2 Сименс Конверсия не требуется
Емкость источника затвора: 56 Микрофарад --> 5.6E-05 фарада (Проверьте преобразование ​здесь)
Емкость стока затвора: 2.8 Микрофарад --> 2.8E-06 фарада (Проверьте преобразование ​здесь)
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
ft = gm/(Cgs+Cgd) --> 2.2/(5.6E-05+2.8E-06)
Оценка ... ...
ft = 37414.9659863946
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
37414.9659863946 Герц -->37.4149659863946 Килогерц (Проверьте преобразование ​здесь)
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
37.4149659863946 37.41497 Килогерц <-- Частота единичного усиления в MOSFET
(Расчет завершен через 00.015 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано банупракаш
Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор
банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!
Verifier Image
Проверено Сантош Ядав
Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор
Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

Изготовление МОП-ИС Калькуляторы

Эффект тела в MOSFET
​ LaTeX ​ Идти Пороговое напряжение с подложкой = Пороговое напряжение с нулевым смещением тела+Параметр эффекта тела*(sqrt(2*Объемный потенциал Ферми+Напряжение, приложенное к телу)-sqrt(2*Объемный потенциал Ферми))
Ток стока MOSFET в области насыщения
​ LaTeX ​ Идти Ток стока = Параметр крутизны/2*(Напряжение источника затвора-Пороговое напряжение с нулевым смещением тела)^2*(1+Коэффициент модуляции длины канала*Напряжение источника стока)
Сопротивление канала
​ LaTeX ​ Идти Сопротивление канала = Длина транзистора/Ширина транзистора*1/(Электронная подвижность*Плотность носителей)
Частота MOSFET с единичным коэффициентом усиления
​ LaTeX ​ Идти Частота единичного усиления в MOSFET = Крутизна МОП-транзистора/(Емкость источника затвора+Емкость стока затвора)

Частота MOSFET с единичным коэффициентом усиления формула

​LaTeX ​Идти
Частота единичного усиления в MOSFET = Крутизна МОП-транзистора/(Емкость источника затвора+Емкость стока затвора)
ft = gm/(Cgs+Cgd)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!