калькулятор НОК

MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Аналоговая электроника EDC Аналоговая связь Антенна и распространение волн Больше >>

⤿

МОП-транзистор БЮТ

⤿

крутизна Анализ малых сигналов Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR)Больше >>

✖Крутизна определяется как отношение изменения выходного тока к изменению входного напряжения при постоянном напряжении затвор-исток.ⓘ крутизна [g_m]			+10% -10%
✖Соотношение сторон определяется как отношение ширины канала транзистора к его длине. Это отношение ширины ворот к расстоянию между источникомⓘ Соотношение сторон [WL]			+10% -10%
✖Напряжение затвор-исток является критическим параметром, влияющим на работу полевого транзистора, и его часто используют для управления поведением устройства.ⓘ Напряжение затвор-исток [V_gs]			+10% -10%
✖Пороговое напряжение, также известное как пороговое напряжение затвора или просто Vth, является критическим параметром в работе полевых транзисторов, являющихся фундаментальными компонентами современной электроники.ⓘ Пороговое напряжение [V_th]			+10% -10%

✖Параметр технологической крутизны (PTM) — это параметр, используемый при моделировании полупроводниковых устройств для характеристики производительности транзистора.ⓘ MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны [k'_n]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF PDF Image

MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Параметр крутизны процесса = крутизна/(Соотношение сторон*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение))
k'_n = g_m/(WL*(V_gs-V_th))
В этой формуле используются 5 Переменные

Используемые переменные

Параметр крутизны процесса - (Измеряется в Ампер на квадратный вольт) - Параметр технологической крутизны (PTM) — это параметр, используемый при моделировании полупроводниковых устройств для характеристики производительности транзистора.
крутизна - (Измеряется в Сименс) - Крутизна определяется как отношение изменения выходного тока к изменению входного напряжения при постоянном напряжении затвор-исток.
Соотношение сторон - Соотношение сторон определяется как отношение ширины канала транзистора к его длине. Это отношение ширины ворот к расстоянию между источником
Напряжение затвор-исток - (Измеряется в вольт) - Напряжение затвор-исток является критическим параметром, влияющим на работу полевого транзистора, и его часто используют для управления поведением устройства.
Пороговое напряжение - (Измеряется в вольт) - Пороговое напряжение, также известное как пороговое напряжение затвора или просто Vth, является критическим параметром в работе полевых транзисторов, являющихся фундаментальными компонентами современной электроники.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

крутизна: 0.5 Миллисименс --> 0.0005 Сименс (Проверьте преобразование здесь)
Соотношение сторон: 0.1 --> Конверсия не требуется
Напряжение затвор-исток: 4 вольт --> 4 вольт Конверсия не требуется
Пороговое напряжение: 3.68 вольт --> 3.68 вольт Конверсия не требуется

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

k'_n = g_m/(WL*(V_gs-V_th)) --> 0.0005/(0.1*(4-3.68))

Оценка ... ...

k'_n = 0.015625

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.015625 Ампер на квадратный вольт --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.015625 Ампер на квадратный вольт <-- Параметр крутизны процесса

(Расчет завершен через 00.005 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » крутизна » MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны

Кредиты

Сделано Паял Прия

Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри

Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!

Проверено Аншика Арья

Национальный Технологический Институт (NIT), Хамирпур

Аншика Арья проверил этот калькулятор и еще 2500+!

< крутизна Калькуляторы

Крутизна заданного параметра крутизны процесса

LaTeX Идти крутизна = Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение)

Крутизна тока стока

LaTeX Идти крутизна = sqrt(2*Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон*Ток стока)

Транскондуктивность с использованием параметра крутизны процесса и напряжения перегрузки

LaTeX Идти крутизна = Параметр крутизны процесса*Соотношение сторон*Повышенное напряжение

Ток стока с использованием крутизны

LaTeX Идти Ток стока = (Повышенное напряжение)*крутизна/2

Узнать больше >>

MOSFET крутизна с использованием параметра технологической крутизны формула

LaTeX Идти

Параметр крутизны процесса = крутизна/(Соотношение сторон*(Напряжение затвор-исток-Пороговое напряжение))
k'_n = g_m/(WL*(V_gs-V_th))

Какая польза от крутизны в MOSFET?

Крутизна - это выражение характеристик биполярного транзистора или полевого транзистора (FET). В общем, чем больше коэффициент крутизны для устройства, тем большее усиление (усиление) оно способно обеспечить, когда все другие факторы остаются постоянными.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!