Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Крутизна МОП-транзистора = sqrt(2*Электронная подвижность*Оксидная емкость*(Ширина транзистора/Длина транзистора)*Ток стока)
gm = sqrt(2*μn*Cox*(Wt/Lt)*Id)
В этой формуле используются 1 Функции, 6 Переменные
Используемые функции
sqrt - Функция квадратного корня — это функция, которая принимает в качестве входных данных неотрицательное число и возвращает квадратный корень заданного входного числа., sqrt(Number)
Используемые переменные
Крутизна МОП-транзистора - (Измеряется в Сименс) - Крутизна МОП-транзистора является ключевым параметром, который описывает взаимосвязь между входным напряжением и выходным током.
Электронная подвижность - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Подвижность электронов описывает, насколько быстро электроны могут перемещаться через материал в ответ на электрическое поле.
Оксидная емкость - (Измеряется в фарада) - Оксидная емкость относится к емкости, связанной с изолирующим оксидным слоем в структуре металл-оксид-полупроводник (МОП), например, в МОП-транзисторах.
Ширина транзистора - (Измеряется в Метр) - Ширина транзистора относится к ширине области канала в MOSFET. Этот размер играет решающую роль в определении электрических характеристик и производительности транзистора.
Длина транзистора - (Измеряется в Метр) - Длина транзистора относится к длине области канала в MOSFET. Этот размер играет решающую роль в определении электрических характеристик и производительности транзистора.
Ток стока - (Измеряется в Ампер) - Ток стока относится к току, протекающему между клеммами стока и истока транзистора, когда он работает.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Электронная подвижность: 30 Квадратный метр на вольт в секунду --> 30 Квадратный метр на вольт в секунду Конверсия не требуется
Оксидная емкость: 3.9 фарада --> 3.9 фарада Конверсия не требуется
Ширина транзистора: 5.5 микрометр --> 5.5E-06 Метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Длина транзистора: 3.2 микрометр --> 3.2E-06 Метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Ток стока: 0.013 Ампер --> 0.013 Ампер Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
gm = sqrt(2*μn*Cox*(Wt/Lt)*Id) --> sqrt(2*30*3.9*(5.5E-06/3.2E-06)*0.013)
Оценка ... ...
gm = 2.28657768291392
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
2.28657768291392 Сименс --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
2.28657768291392 2.286578 Сименс <-- Крутизна МОП-транзистора
(Расчет завершен через 00.008 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано банупракаш
Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор
банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!
Verifier Image
Проверено Сантош Ядав
Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор
Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

Характеристики МОП-транзистора Калькуляторы

Коэффициент усиления по напряжению при заданном сопротивлении нагрузки MOSFET
​ LaTeX ​ Идти Усиление напряжения = крутизна*(1/(1/Сопротивление нагрузки+1/Выходное сопротивление))/(1+крутизна*Сопротивление источника)
Максимальное усиление напряжения в точке смещения
​ LaTeX ​ Идти Максимальное усиление напряжения = 2*(Напряжение питания-Эффективное напряжение)/(Эффективное напряжение)
Усиление напряжения при заданном напряжении стока
​ LaTeX ​ Идти Усиление напряжения = (Ток стока*Сопротивление нагрузки*2)/Эффективное напряжение
Максимальное усиление напряжения при всех напряжениях
​ LaTeX ​ Идти Максимальное усиление напряжения = (Напряжение питания-0.3)/Тепловое напряжение

Крутизна МОП-транзистора с учетом оксидной емкости формула

​LaTeX ​Идти
Крутизна МОП-транзистора = sqrt(2*Электронная подвижность*Оксидная емкость*(Ширина транзистора/Длина транзистора)*Ток стока)
gm = sqrt(2*μn*Cox*(Wt/Lt)*Id)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!