✖Длина канала относится к расстоянию между клеммами истока и стока полевого транзистора (FET).ⓘ Длина канала [L] | | | +10% -10% |
✖Подвижность электронов на поверхности канала относится к способности электронов перемещаться или путешествовать через поверхность полупроводникового материала, такого как кремниевый канал в транзисторе.ⓘ Мобильность электронов на поверхности канала [μs] | | | +10% -10% |
✖Оксидная емкость — важный параметр, влияющий на производительность МОП-устройств, например, на скорость и энергопотребление интегральных схем.ⓘ Оксидная емкость [Cox] | | | +10% -10% |
✖Ширина канала относится к диапазону частот, используемых для передачи данных по каналу беспроводной связи. Она также известна как полоса пропускания и измеряется в герцах (Гц).ⓘ ширина канала [Wc] | | | +10% -10% |
✖Эффективное напряжение в MOSFET (полевой транзистор металл-оксид-полупроводник) — это напряжение, которое определяет поведение устройства. Оно также известно как напряжение затвор-исток.ⓘ Эффективное напряжение [Veff] | | | +10% -10% |