НОД трех чисел

Максимальная глубина истощения Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Аналоговая электроника EDC Аналоговая связь Антенна и распространение волн Больше >>

⤿

МОП-транзистор БЮТ

⤿

МОП-транзистор Анализ малых сигналов Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Коэффициент подавления синфазного сигнала (CMRR)Больше >>

✖Объемный потенциал Ферми — это параметр, который описывает электростатический потенциал в объеме (внутри) полупроводникового материала.ⓘ Объемный потенциал Ферми [Φ_f]			+10% -10%
✖Легирующая концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцептора, намеренно добавленных в полупроводниковый материал.ⓘ Легирующая концентрация акцептора [N_A]			+10% -10%

✖Максимальная глубина обеднения относится к максимальной степени, до которой область обеднения распространяется на полупроводниковый материал устройства при определенных условиях эксплуатации.ⓘ Максимальная глубина истощения [x_dm]

⎘ копия

👎

Формула

✖

Максимальная глубина истощения

Формула

x dm = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot Φ f)}{[Charge-e] \cdot N A}}

Пример

7.4E+6 m = \sqrt{\frac{2 \cdot [Permitivity-silicon] \cdot mod \underset{̲}{u} s (2 \cdot 0.25 V)}{[Charge-e] \cdot 1.32 electrons/cm³}}

Калькулятор

LaTeX

сбросить

👍

Скачать МОП-транзистор формула PDF PDF Image

Максимальная глубина истощения Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Максимальная глубина истощения = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Объемный потенциал Ферми))/([Charge-e]*Легирующая концентрация акцептора))
x_dm = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Φ_f))/([Charge-e]*N_A))
В этой формуле используются 2 Константы, 2 Функции, 3 Переменные

Используемые константы

[Permitivity-silicon] - Диэлектрическая проницаемость кремния Значение, принятое как 11.7
[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19

Используемые функции

sqrt - Функция извлечения квадратного корня — это функция, которая принимает на вход неотрицательное число и возвращает квадратный корень из заданного входного числа., sqrt(Number)
modulus - Модуль числа — это остаток от деления этого числа на другое число., modulus

Используемые переменные

Максимальная глубина истощения - (Измеряется в Метр) - Максимальная глубина обеднения относится к максимальной степени, до которой область обеднения распространяется на полупроводниковый материал устройства при определенных условиях эксплуатации.
Объемный потенциал Ферми - (Измеряется в вольт) - Объемный потенциал Ферми — это параметр, который описывает электростатический потенциал в объеме (внутри) полупроводникового материала.
Легирующая концентрация акцептора - (Измеряется в Электронов на кубический метр) - Легирующая концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцептора, намеренно добавленных в полупроводниковый материал.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Объемный потенциал Ферми: 0.25 вольт --> 0.25 вольт Конверсия не требуется
Легирующая концентрация акцептора: 1.32 Электронов на кубический сантиметр --> 1320000 Электронов на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

x_dm = sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*Φ_f))/([Charge-e]*N_A)) --> sqrt((2*[Permitivity-silicon]*modulus(2*0.25))/([Charge-e]*1320000))

Оценка ... ...

x_dm = 7437907.45302539

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

7437907.45302539 Метр --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

7437907.45302539 ≈ 7.4E+6 Метр <-- Максимальная глубина истощения

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » МОП-транзистор » Аналоговая электроника » МОП-транзистор » Максимальная глубина истощения

Кредиты

Сделано банупракаш

Инженерный колледж Даянанда Сагар (ДСКЭ), Бангалор

банупракаш создал этот калькулятор и еще 50+!

Проверено Дипанхона Маллик

Технологический институт наследия (ХИТК), Калькутта

Дипанхона Маллик проверил этот калькулятор и еще 50+!

< МОП-транзистор Калькуляторы

Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке

Идти Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке = -(2*sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок)/(Конечное напряжение-Начальное напряжение)*(sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок-Конечное напряжение)-sqrt(Заложенный потенциал соединений боковых стенок-Начальное напряжение)))

Потенциал Ферми для типа P

Идти Потенциал Ферми для типа P = ([BoltZ]*Абсолютная температура)/[Charge-e]*ln(Собственная концентрация носителей/Легирующая концентрация акцептора)

Эквивалентная большая емкость сигнального перехода

Идти Эквивалентная большая емкость сигнального перехода = Периметр боковой стенки*Емкость бокового перехода*Коэффициент эквивалентности напряжения на боковой стенке

Емкость перехода на боковой стенке с нулевым смещением на единицу длины

Идти Емкость бокового перехода = Потенциал соединения боковой стенки с нулевым смещением*Глубина боковины

Узнать больше >>

Максимальная глубина истощения формула

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!