Величина электронного заряда в канале MOSFET Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Заряд электрона в канале = Оксидная емкость*ширина канала*Длина канала*Эффективное напряжение
Qe = Cox*Wc*L*Veff
В этой формуле используются 5 Переменные
Используемые переменные
Заряд электрона в канале - (Измеряется в Кулон) - Электронный заряд в канале относится к количеству заряда, переносимого электроном в зоне проводимости полупроводникового материала, используемого в устройстве.
Оксидная емкость - (Измеряется в фарада) - Оксидная емкость — важный параметр, влияющий на производительность МОП-устройств, например, на скорость и энергопотребление интегральных схем.
ширина канала - (Измеряется в Метр) - Ширина канала относится к диапазону частот, используемых для передачи данных по каналу беспроводной связи. Она также известна как полоса пропускания и измеряется в герцах (Гц).
Длина канала - (Измеряется в Метр) - Длина канала относится к расстоянию между клеммами истока и стока полевого транзистора (FET).
Эффективное напряжение - (Измеряется в вольт) - Эффективное напряжение в MOSFET (полевой транзистор металл-оксид-полупроводник) — это напряжение, которое определяет поведение устройства. Оно также известно как напряжение затвор-исток.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Оксидная емкость: 940 Микрофарад --> 0.00094 фарада (Проверьте преобразование ​здесь)
ширина канала: 10 микрометр --> 1E-05 Метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Длина канала: 100 микрометр --> 0.0001 Метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Эффективное напряжение: 1.7 вольт --> 1.7 вольт Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Qe = Cox*Wc*L*Veff --> 0.00094*1E-05*0.0001*1.7
Оценка ... ...
Qe = 1.598E-12
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
1.598E-12 Кулон -->1.598 Пико кулон (Проверьте преобразование ​здесь)
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
1.598 Пико кулон <-- Заряд электрона в канале
(Расчет завершен через 00.021 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Паял Прия
Бирса технологический институт (НЕМНОГО), Синдри
Паял Прия создал этот калькулятор и еще 600+!
Verifier Image
Проверено Урви Ратод
Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад
Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

Внутренние емкостные эффекты и высокочастотная модель Калькуляторы

Частота перехода MOSFET
​ LaTeX ​ Идти Частота перехода = крутизна/(2*pi*(Емкость затвора источника+Емкость затвор-сток))
Ширина канала от шлюза к источнику MOSFET
​ LaTeX ​ Идти ширина канала = Емкость перекрытия/(Оксидная емкость*Длина перекрытия)
Суммарная емкость между затвором и каналом MOSFET
​ LaTeX ​ Идти Емкость канала затвора = Оксидная емкость*ширина канала*Длина канала
Емкость перекрытия MOSFET
​ LaTeX ​ Идти Емкость перекрытия = ширина канала*Оксидная емкость*Длина перекрытия

Величина электронного заряда в канале MOSFET формула

​LaTeX ​Идти
Заряд электрона в канале = Оксидная емкость*ширина канала*Длина канала*Эффективное напряжение
Qe = Cox*Wc*L*Veff

Объясните весь процесс формирования канальной области полевого МОП-транзистора конденсатора с параллельными пластинами.

Затвор и область канала полевого МОП-транзистора образуют конденсатор с параллельными пластинами, причем оксидный слой действует как диэлектрик конденсатора. Положительное напряжение затвора вызывает накопление положительного заряда на верхней пластине конденсатора (электрод затвора). Соответствующий отрицательный заряд на нижней пластине формируется электронами в индуцированном канале. Таким образом, электрическое поле развивается в вертикальном направлении. Именно это поле контролирует количество заряда в канале и, таким образом, определяет проводимость канала и, в свою очередь, ток, который будет течь через канал при приложении напряжения.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!