Длина соединения на стороне P Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Длина соединения на стороне P = (Оптический ток/([Charge-e]*Зона соединения*Скорость оптической генерации))-(Ширина перехода соединения+Диффузионная длина переходной области)
Lp = (Iopt/([Charge-e]*Aj*gop))-(Wj+Ldif)
В этой формуле используются 1 Константы, 6 Переменные
Используемые константы
[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19
Используемые переменные
Длина соединения на стороне P - (Измеряется в Метр) - Длина соединения p-стороны определяется как средняя длина, на которую носитель перемещается между генерацией и рекомбинацией.
Оптический ток - (Измеряется в Ампер) - Оптический ток представляет собой датчик тока для измерения постоянного тока. С помощью одностороннего оптического волокна вокруг проводника с током.
Зона соединения - (Измеряется в Квадратный метр) - Область перехода — это граница или область интерфейса между двумя типами полупроводниковых материалов в p-n-диоде.
Скорость оптической генерации - Коэффициент оптической генерации количество электронов, генерируемых в каждой точке устройства в результате поглощения фотонов.
Ширина перехода соединения - (Измеряется в Метр) - Ширина перехода соединения определяется как пространственная область, в которой ширина соединения изменяется от одного значения к другому.
Диффузионная длина переходной области - (Измеряется в Метр) - Диффузионная длина переходной области определяется как диффузионная длина — это среднее расстояние, которое избыточные носители могут преодолеть, прежде чем они рекомбинируют.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Оптический ток: 0.135 Миллиампер --> 0.000135 Ампер (Проверьте преобразование ​здесь)
Зона соединения: 5401.3 Площадь микрометра --> 5.4013E-09 Квадратный метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Скорость оптической генерации: 2.9E+19 --> Конверсия не требуется
Ширина перехода соединения: 0.025 микрометр --> 2.5E-08 Метр (Проверьте преобразование ​здесь)
Диффузионная длина переходной области: 0.0056 микрометр --> 5.6E-09 Метр (Проверьте преобразование ​здесь)
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Lp = (Iopt/([Charge-e]*Aj*gop))-(Wj+Ldif) --> (0.000135/([Charge-e]*5.4013E-09*2.9E+19))-(2.5E-08+5.6E-09)
Оценка ... ...
Lp = 5379.31629748251
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
5379.31629748251 Метр -->5379316297.48251 микрометр (Проверьте преобразование ​здесь)
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
5379316297.48251 5.4E+9 микрометр <-- Длина соединения на стороне P
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Шобхит Димри
Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат
Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!
Verifier Image
Проверено Урви Ратод
Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад
Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

SSD-соединение Калькуляторы

Емкость перехода
​ LaTeX ​ Идти Емкость перехода = (Зона соединения/2)*sqrt((2*[Charge-e]*Смещение постоянной длины*Легирующая концентрация основания)/(Напряжение источника-Напряжение источника 1))
Последовательное сопротивление P-типа
​ LaTeX ​ Идти Последовательное сопротивление в P-переходе = ((Напряжение источника-Напряжение соединения)/Электрический ток)-Последовательное сопротивление в N-переходе
Переходное напряжение
​ LaTeX ​ Идти Напряжение соединения = Напряжение источника-(Последовательное сопротивление в P-переходе+Последовательное сопротивление в N-переходе)*Электрический ток
Ширина N-типа
​ LaTeX ​ Идти Проникновение заряда N-типа = Общий заряд акцептора/(Зона соединения*Концентрация акцептора*[Charge-e])

Длина соединения на стороне P формула

​LaTeX ​Идти
Длина соединения на стороне P = (Оптический ток/([Charge-e]*Зона соединения*Скорость оптической генерации))-(Ширина перехода соединения+Диффузионная длина переходной области)
Lp = (Iopt/([Charge-e]*Aj*gop))-(Wj+Ldif)

Какова ширина pn-перехода?

Физическая ширина области обеднения в типичном кремниевом диоде колеблется от долей микрометра до десятков микрометров в зависимости от геометрии устройства, профиля легирования и внешнего смещения. Рисунок 11.4. Упрощенное представление pn-перехода.

Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!