калькулятор НОК

K-Prime Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Изготовление СБИС EDC Аналоговая связь Аналоговая электроника Больше >>

⤿

Оптимизация материалов СБИС Аналоговая СБИС

✖Мобильность в MOSFET определяется способностью электрона быстро перемещаться через металл или полупроводник под действием электрического поля.ⓘ Мобильность в MOSFET [μ_eff]			+10% -10%
✖Емкость оксидного слоя затвора определяется как емкость вывода затвора полевого транзистора.ⓘ Емкость оксидного слоя затвора [C_ox]			+10% -10%

✖K Prime — обратная константа скорости реакции.ⓘ K-Prime [K_p]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Электроника формула PDF PDF Image

K-Prime Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

К Прайм = Мобильность в MOSFET*Емкость оксидного слоя затвора
K_p = μ_eff*C_ox
В этой формуле используются 3 Переменные

Используемые переменные

К Прайм - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - K Prime — обратная константа скорости реакции.
Мобильность в MOSFET - (Измеряется в Квадратный метр на вольт в секунду) - Мобильность в MOSFET определяется способностью электрона быстро перемещаться через металл или полупроводник под действием электрического поля.
Емкость оксидного слоя затвора - (Измеряется в Фарада на квадратный метр) - Емкость оксидного слоя затвора определяется как емкость вывода затвора полевого транзистора.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Мобильность в MOSFET: 0.15 Квадратный сантиметр на вольт-секунду --> 1.5E-05 Квадратный метр на вольт в секунду (Проверьте преобразование здесь)
Емкость оксидного слоя затвора: 29.83 Микрофарад на квадратный миллиметр --> 29.83 Фарада на квадратный метр (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

K_p = μ_eff*C_ox --> 1.5E-05*29.83

Оценка ... ...

K_p = 0.00044745

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.00044745 Квадратный метр на вольт в секунду -->4.4745 Квадратный сантиметр на вольт-секунду (Проверьте преобразование здесь)

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

4.4745 Квадратный сантиметр на вольт-секунду <-- К Прайм

(Расчет завершен через 00.020 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Изготовление СБИС » Оптимизация материалов СБИС » K-Prime

Кредиты

Сделано Шобхит Димри

Технологический институт Бипина Трипати Кумаон (BTKIT), Дварахат

Шобхит Димри создал этот калькулятор и еще 900+!

Проверено Урви Ратод

Государственный инженерный колледж Вишвакармы (VGEC), Ахмадабад

Урви Ратод проверил этот калькулятор и еще 1900+!

< Оптимизация материалов СБИС Калькуляторы

Коэффициент эффекта тела

LaTeX Идти Коэффициент эффекта тела = modulus((Пороговое напряжение-Пороговое напряжение DIBL)/(sqrt(Поверхностный потенциал+(Разница в потенциале исходного тела))-sqrt(Поверхностный потенциал)))

DIBL Коэффициент

LaTeX Идти Коэффициент DIBL = (Пороговое напряжение DIBL-Пороговое напряжение)/Сток в источник потенциала

Плата за канал

LaTeX Идти Плата за канал = Емкость затвора*(Ворота к напряжению канала-Пороговое напряжение)

Критическое напряжение

LaTeX Идти Критическое напряжение = Критическое электрическое поле*Электрическое поле по длине канала

Узнать больше >>

K-Prime формула

LaTeX Идти

К Прайм = Мобильность в MOSFET*Емкость оксидного слоя затвора
K_p = μ_eff*C_ox

Что такое транзистор?

В электронике транзистор - это полупроводниковое устройство, обычно используемое для усиления или переключения электронных сигналов. Транзистор является основным строительным блоком компьютеров и всех других современных электронных устройств. Некоторые транзисторы упакованы индивидуально, но большинство из них находится в интегральных схемах.

Дом

БЕСПЛАТНО PDF-файлы

🔍 Поиск

Категории

доля

Let Others Know

✖

Facebook

Twitter

Copied!