НОД трех чисел

Соединение Встроенное напряжение СБИС Калькулятор

Инженерное дело Детская площадка Здоровье математика Больше >>

↳

Электроника Гражданская Материаловедение Механический Больше >>

⤿

Изготовление СБИС EDC Аналоговая связь Аналоговая электроника Больше >>

⤿

Оптимизация материалов СБИС Аналоговая СБИС

✖Температура отражает, насколько горячим или холодным является объект или окружающая среда.ⓘ Температура [T]			+10% -10%
✖Концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцепторной примеси в полупроводниковом материале.ⓘ Концентрация акцептора [N_A]			+10% -10%
✖Концентрация доноров относится к концентрации атомов донорной примеси, введенных в полупроводниковый материал для увеличения количества свободных электронов.ⓘ Концентрация доноров [N_D]			+10% -10%
✖Собственная концентрация относится к концентрации носителей заряда (электронов и дырок) в собственном полупроводнике при тепловом равновесии.ⓘ Внутренняя концентрация [N_i]			+10% -10%

✖Встроенное напряжение перехода определяется как напряжение, которое существует на полупроводниковом переходе в тепловом равновесии, когда внешнее напряжение не приложено.ⓘ Соединение Встроенное напряжение СБИС [Ø₀]

⎘ копия

👎

Формула

LaTeX

сбросить

👍

Скачать Электроника формула PDF PDF Image

Соединение Встроенное напряжение СБИС Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета

Используемая формула

Встроенное напряжение соединения = ([BoltZ]*Температура/[Charge-e])*ln(Концентрация акцептора*Концентрация доноров/(Внутренняя концентрация)^2)
Ø₀ = ([BoltZ]*T/[Charge-e])*ln(N_A*N_D/(N_i)^2)
В этой формуле используются 2 Константы, 1 Функции, 5 Переменные

Используемые константы

[Charge-e] - Заряд электрона Значение, принятое как 1.60217662E-19
[BoltZ] - постоянная Больцмана Значение, принятое как 1.38064852E-23

Используемые функции

ln - Натуральный логарифм, также известный как логарифм по основанию е, является обратной функцией натуральной показательной функции., ln(Number)

Используемые переменные

Встроенное напряжение соединения - (Измеряется в вольт) - Встроенное напряжение перехода определяется как напряжение, которое существует на полупроводниковом переходе в тепловом равновесии, когда внешнее напряжение не приложено.
Температура - (Измеряется в Кельвин) - Температура отражает, насколько горячим или холодным является объект или окружающая среда.
Концентрация акцептора - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация акцептора относится к концентрации атомов акцепторной примеси в полупроводниковом материале.
Концентрация доноров - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Концентрация доноров относится к концентрации атомов донорной примеси, введенных в полупроводниковый материал для увеличения количества свободных электронов.
Внутренняя концентрация - (Измеряется в 1 на кубический метр) - Собственная концентрация относится к концентрации носителей заряда (электронов и дырок) в собственном полупроводнике при тепловом равновесии.

ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок

Температура: 300 Кельвин --> 300 Кельвин Конверсия не требуется
Концентрация акцептора: 1E+16 1 на кубический сантиметр --> 1E+22 1 на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)
Концентрация доноров: 1E+17 1 на кубический сантиметр --> 1E+23 1 на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)
Внутренняя концентрация: 14500000000 1 на кубический сантиметр --> 1.45E+16 1 на кубический метр (Проверьте преобразование здесь)

ШАГ 2: Оцените формулу

Подстановка входных значений в формулу

Ø₀ = ([BoltZ]*T/[Charge-e])*ln(N_A*N_D/(N_i)^2) --> ([BoltZ]*300/[Charge-e])*ln(1E+22*1E+23/(1.45E+16)^2)

Оценка ... ...

Ø₀ = 0.75463200359389

ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода

0.75463200359389 вольт --> Конверсия не требуется

ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ

0.75463200359389 ≈ 0.754632 вольт <-- Встроенное напряжение соединения

(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Вы здесь -

Дом » Инженерное дело » Электроника » Изготовление СБИС » Оптимизация материалов СБИС » Соединение Встроенное напряжение СБИС

Кредиты

Сделано Приянка Патель

Инженерный колледж Лалбхай Далпатбхай (ЛДЦЭ), Ахмедабад

Приянка Патель создал этот калькулятор и еще 25+!

Проверено Сантош Ядав

Инженерный колледж Даянанды Сагара (ДСКЭ), Банглор

Сантош Ядав проверил этот калькулятор и еще 50+!

< Оптимизация материалов СБИС Калькуляторы

Коэффициент эффекта тела

LaTeX Идти Коэффициент эффекта тела = modulus((Пороговое напряжение-Пороговое напряжение DIBL)/(sqrt(Поверхностный потенциал+(Разница в потенциале исходного тела))-sqrt(Поверхностный потенциал)))

DIBL Коэффициент

LaTeX Идти Коэффициент DIBL = (Пороговое напряжение DIBL-Пороговое напряжение)/Сток в источник потенциала

Плата за канал

LaTeX Идти Плата за канал = Емкость затвора*(Ворота к напряжению канала-Пороговое напряжение)

Критическое напряжение

LaTeX Идти Критическое напряжение = Критическое электрическое поле*Электрическое поле по длине канала

Узнать больше >>