Заряд инверсионного слоя в PMOS Решение

ШАГ 0: Сводка предварительного расчета
Используемая формула
Заряд инверсионного слоя = -Оксид Емкость*(Напряжение между затвором и источником-Пороговое напряжение)
Qp = -Cox*(VGS-VT)
В этой формуле используются 4 Переменные
Используемые переменные
Заряд инверсионного слоя - (Измеряется в Кулон на квадратный метр) - Заряд инверсионного слоя относится к накоплению носителей заряда на границе между полупроводником и изолирующим оксидным слоем, когда на электрод затвора подается напряжение.
Оксид Емкость - (Измеряется в фарада) - Оксидная емкость является важным параметром, влияющим на производительность МОП-устройств, например, на быстродействие и энергопотребление интегральных схем.
Напряжение между затвором и источником - (Измеряется в вольт) - Напряжение между затвором и истоком полевого транзистора (FET) известно как напряжение затвор-исток (VGS). Это важный параметр, влияющий на работу полевого транзистора.
Пороговое напряжение - (Измеряется в вольт) - Пороговое напряжение, также известное как пороговое напряжение затвора или просто Vth, является критическим параметром в работе полевых транзисторов, являющихся фундаментальными компонентами современной электроники.
ШАГ 1. Преобразование входов в базовый блок
Оксид Емкость: 0.0008 фарада --> 0.0008 фарада Конверсия не требуется
Напряжение между затвором и источником: 2.86 вольт --> 2.86 вольт Конверсия не требуется
Пороговое напряжение: 0.7 вольт --> 0.7 вольт Конверсия не требуется
ШАГ 2: Оцените формулу
Подстановка входных значений в формулу
Qp = -Cox*(VGS-VT) --> -0.0008*(2.86-0.7)
Оценка ... ...
Qp = -0.001728
ШАГ 3: Преобразуйте результат в единицу вывода
-0.001728 Кулон на квадратный метр --> Конверсия не требуется
ОКОНЧАТЕЛЬНЫЙ ОТВЕТ
-0.001728 Кулон на квадратный метр <-- Заряд инверсионного слоя
(Расчет завершен через 00.004 секунд)

Кредиты

Creator Image
Сделано Аман Дуссават
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ ИНСТИТУТ ГУРУ ТЕХ БАХАДУР (ГТБИТ), НЬЮ-ДЕЛИ
Аман Дуссават создал этот калькулятор и еще 50+!
Verifier Image
Проверено Парминдер Сингх
Чандигархский университет (ТС), Пенджаб
Парминдер Сингх проверил этот калькулятор и еще 500+!

Улучшение P-канала Калькуляторы

Ток стока в области триода PMOS-транзистора
​ LaTeX ​ Идти Ток стока = Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*((Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение))*Напряжение между стоком и истоком-1/2*(Напряжение между стоком и истоком)^2)
Ток стока в области триода PMOS-транзистора с учетом Vsd
​ LaTeX ​ Идти Ток стока = Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(modulus(Эффективное напряжение)-1/2*Напряжение между стоком и истоком)*Напряжение между стоком и истоком
Ток стока в области насыщения транзистора PMOS
​ LaTeX ​ Идти Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(Напряжение между затвором и источником-modulus(Пороговое напряжение))^2
Ток стока в области насыщения PMOS-транзистора с учетом Vov
​ LaTeX ​ Идти Ток стока насыщения = 1/2*Параметр крутизны процесса в PMOS*Соотношение сторон*(Эффективное напряжение)^2

Заряд инверсионного слоя в PMOS формула

​LaTeX ​Идти
Заряд инверсионного слоя = -Оксид Емкость*(Напряжение между затвором и источником-Пороговое напряжение)
Qp = -Cox*(VGS-VT)
Let Others Know
Facebook
Twitter
Reddit
LinkedIn
Email
WhatsApp
Copied!